【文章內(nèi)容簡介】 模型為四面體；(5)SO3中S原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+=3，且不含孤電子對(duì)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷其空間構(gòu)型；該分子中SO原子之間存在共價(jià)鍵和離域大π鍵?！驹斀狻?1)原子核外電子排布中，如果電子所占的軌道能級(jí)越高，該原子能量越高，根據(jù)圖知，電子排布能量最低的是1s22s1，即D；電子排布能量最高的是2s12px2，即C；(2)LiAlH4中的陰離子中Al原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=4+=4，且不含孤電子對(duì)，中心原子的雜化形式為sp3雜化，陰離子空間構(gòu)型為正四面體形；在LiAlH4中含有離子鍵和σ鍵，不存在π鍵和氫鍵，故答案為AB；(3)基態(tài)K原子核外有4個(gè)電子層，最高能層為第四層，即N層，最外層電子為4s1電子，該能層電子的電子云輪廓圖形狀為球形，K和Cr屬于同一周期，K的原子半徑較大，且價(jià)電子較少，金屬鍵較弱，則金屬K的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等都比金屬Cr低；(4)每個(gè)N原子形成3個(gè)σ鍵（2個(gè)NH鍵、1個(gè)NC鍵），含有1個(gè)孤電子對(duì)；每個(gè)C原子形成4個(gè)σ鍵，不含孤電子對(duì)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷N、C原子雜化類型分別為spsp3；(5)SO3中S原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=3+=3，且不含孤電子對(duì)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷其空間構(gòu)型為平面正三角形；該分子中SO原子之間存在σ和離域大π鍵，所以共價(jià)鍵類型2種?！军c(diǎn)睛】價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)．σ鍵個(gè)數(shù)=配原子個(gè)數(shù)，孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=(axb)，a指中心原子價(jià)電子個(gè)數(shù)，x指配原子個(gè)數(shù)，b指配原子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)需要的電子個(gè)數(shù)；分子的立體構(gòu)型是指分子中的原子在空間的排布，不包括中心原子未成鍵的孤對(duì)電子；實(shí)際空間構(gòu)型要去掉孤電子對(duì)，略去孤電子對(duì)就是該分子的空間構(gòu)型。3．3d104s24p4 大于 小于 4 原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故CaN、GaP、GaAs的熔點(diǎn)逐漸降低解析：3d104s24p4 大于 小于 4 原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故CaN、GaP、GaAs的熔點(diǎn)逐漸降低 12 【解析】【分析】(1)基態(tài)硒原子序數(shù)為34，根據(jù)構(gòu)造原理寫出其核外電子排布式；(2)同一周期中從左到右，原子半徑逐漸減小，同一周期從左到右，元素的第一電離能有增大趨勢(shì)，但I(xiàn)IA、VA族第一電離能大于同周期相鄰元素；(3)二氧化硅晶體中含有“SiO4”結(jié)構(gòu)單元，1個(gè)Si原子結(jié)合4個(gè)O原子，同時(shí)每個(gè)O原子結(jié)合2個(gè)Si原子；(4)原子晶體中，原子半徑越大，共價(jià)鍵鍵長越長，共價(jià)鍵越弱，鍵能越小，晶體的熔點(diǎn)越低；(5)①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為12；②均攤法計(jì)算晶胞(平行六面體)中Ga、N原子數(shù)目，計(jì)算原子總質(zhì)量，根據(jù)晶體密度=晶胞質(zhì)量247。晶胞體積。【詳解】(1)Se是34號(hào)元素，位于第四周期ⅥA族，核外電子排布式為[Ar]3d104s24p4；(2)根據(jù)元素周期律，Ga與As位于同一周期，Ga原子序數(shù)小于As，故原子半徑Ga大于As，同周期第一電離能變化趨勢(shì)是從左到右增大，故第一電離能Ga小于As；(3)水晶中1個(gè)硅原子結(jié)合4個(gè)氧原子，同時(shí)每個(gè)氧原子結(jié)合2個(gè)硅原子，所以水晶是以[SiO4]四面體向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，水晶中硅原子的配位數(shù)為4；(4)原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故GaN、GaP、GaAs的熔點(diǎn)逐漸降低；(5)從六方晶胞的面心原子分析，上、中、下層分別有3個(gè)配位原子，故配位數(shù)為12。六方晶胞中原子的數(shù)目往往采用均攤法：①位于晶胞頂點(diǎn)的原子為6個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為；②位于晶胞面心的原子為2個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為；③位于晶胞側(cè)棱的原子為3個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為；④位于晶胞體心的原子為1個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為1。GaN晶胞中Ga原子個(gè)數(shù)為，N原子個(gè)數(shù)為，所以該晶胞化學(xué)式為Ga6N6，質(zhì)量為g，該六棱柱的底面為正六邊形，邊長為acm，底面的面積為6個(gè)邊長為acm的正三角形面積之和，根據(jù)正三角形面積的計(jì)算公式，該底面的面積為，由圖2可知六棱柱的高為，所以晶胞的體積為，密度為g?cm?3?！军c(diǎn)睛】物質(zhì)結(jié)構(gòu)的綜合考題，涉及核外電子排布、電離能、化學(xué)鍵、等電子體、晶體類型與性質(zhì)、晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算等知識(shí)，理解原子相對(duì)位置并計(jì)算晶胞的體積是解題關(guān)鍵，其中均攤法確定立方晶胞中粒子數(shù)目的方法是：①頂點(diǎn)：每個(gè)頂點(diǎn)的原子被8個(gè)晶胞共有，所以晶胞對(duì)頂點(diǎn)原子只占份額；②棱：每條棱的原子被4個(gè)晶胞共有，所以晶胞對(duì)頂點(diǎn)原子只占份額；③面上：每個(gè)面的原子被2個(gè)晶胞共有，所以晶胞對(duì)頂點(diǎn)原子只占份額；④內(nèi)部：內(nèi)部原子不與其他晶胞分享，完全屬于該晶胞。4．[Ar]3d104s1 sp3 與水分子間形成氫鍵 sp2 90NA 4 V形 【解析】【分析】有A、B、C、D、E、F六種元素，A解析：[Ar]3d104s1 sp3 與水分子間形成氫鍵 sp2 90NA 4 V形 【解析】【分析】有A、B、C、D、E、F六種元素，A是周期表中原子半徑最小的元素，則A為H元素；B是電負(fù)性最大的元素，則B為F元素；C的2p軌道中有三個(gè)未成對(duì)的單電子，則C原子核外電子排布為1s22s22p3，則C為N元素；F原子核外電子數(shù)是B與C核外電子數(shù)之和，則F原子核外電子數(shù)為9+7=16，則F為S元素；E能形成紅色（或磚紅色）的E2O和黑色的EO兩種氧化物，則E為Cu元素；D與B可形成離子化合物，根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中F原子數(shù)目為8，D原子數(shù)目為，故化學(xué)式為DF2，D為+2價(jià)，D是主族元素且與E同周期，處于第四周期，則D為Ca元素，據(jù)此解答。判斷碳原子的雜化類型可根據(jù)其成鍵情況來判斷，碳原子若成四個(gè)單鍵，其雜化類型必為sp3，若成一個(gè)雙鍵，兩個(gè)單鍵，其雜化類型必為sp2，若成一個(gè)單鍵，一個(gè)三鍵，其雜化類型必為sp．在每個(gè)C60分子中，由于碳原子都采取sp2雜化，故參與形成σ鍵的電子只有3個(gè)，所以形成σ鍵的電子共有603=180個(gè)，而每個(gè)σ鍵需要2個(gè)電子，所以σ鍵的數(shù)目為90個(gè)，故1molC60中σ鍵的數(shù)目為90NA；①同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢(shì)，但注意第VA族元素大于相鄰元素的第一電離能；②與硫離子最近的鋅離子的數(shù)目為硫離子的配位數(shù)，根據(jù)均攤法計(jì)算晶胞中Zn、S原子數(shù)目，用阿伏伽德羅常數(shù)表示出晶胞質(zhì)量，再結(jié)合m=ρV計(jì)算與S距離最近且等距離的S之間的距離；③計(jì)算Se原子價(jià)層電子對(duì)、孤電子對(duì)，確定其空間構(gòu)型；【詳解】（1）E為Cu元素，原子核外電子數(shù)為29，基態(tài)原子的電子排布式為[Ar]3d104s1，故答案為：[Ar]3d104s1；（2）H2S分子中S原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=，S原子采取sp3雜化，故答案為：sp3；（3）NH3極易溶于水，其原因主要是NH3與水分子間形成氫鍵，由于一水合氨電離產(chǎn)生銨根離子和氫氧根，故NH3?H2O中N原子與水中的H原子之間存在氫鍵，應(yīng)為b結(jié)構(gòu)，故答案為：與水分子間形成氫鍵；（4）每個(gè)碳原子形成3個(gè)σ鍵個(gè)數(shù)且不含孤電子對(duì)，所以采用sp2雜化，每個(gè)碳原子含有的σ鍵個(gè)數(shù)為32，所以1molC60分子中σ鍵的數(shù)目==90NA，故答案為：sp2；90NA；(5)①As和Se屬于同一周期，且As屬于第VA族，Se屬于第VIA族，As原子4p能級(jí)容納3個(gè)電子，為半滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能高于Se，故答案為：；②根據(jù)圖片知,每個(gè)S離子連接4個(gè)Zn離子,所其配位數(shù)是4；晶胞中Zn原子數(shù)為4，S原子數(shù)為，晶胞質(zhì)量，則，與S距離最近且等距離的S之間的距離為，故答案為：4；；③二氧化硒分子中Se原子孤電子對(duì)數(shù)，價(jià)層電子對(duì)=2+1=3，所以其空間結(jié)構(gòu)為V形，故答案為：V形。5．1s22s22p63s23p63d3 Ti4+、Cu+ 2 sp3 [Cr(NH3)5C1]Cl2 8 1030 【解析】【分析】【詳解】(1)C解析：1s22s22p63s23p63d3 Ti4+、Cu+ 2 sp3 [Cr(NH3)5C1]Cl2 8 1030 【解析】【分析】【詳解】(1)Cr原子核外電子數(shù)為24，核外電子排布為1s22s22p63s23p63d54s1，原子失去4s能級(jí)1個(gè)電子、3d能級(jí)2個(gè)電子形成Cr3+，Cr3+電子排布式為：1s22s22p63s23p63d3；Ti4+的核外電子排布為1s22s22p63s23p6，無未成對(duì)電子，其水溶液為無色；V3+的核外電子排布為1s2 2s22p63s23p63d2，3d軌道有兩個(gè)未成對(duì)電子，其水溶液有顏色；Ni2+的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d8，3d軌道有2個(gè)未成對(duì)電子，其水溶液有顏色；Cu+的核外電子排布式為1s22s22p