【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 越穩(wěn)定；性質(zhì)活潑，但很穩(wěn)定，說明形成配位鍵后，三價(jià)鈷的氧化性減弱，性質(zhì)變得穩(wěn)定；(4)晶體結(jié)構(gòu)中陰陽離子的配位數(shù)均為6，晶胞的俯視圖應(yīng)類似于NaCl晶胞，而NaCl晶胞俯視圖為CD；從晶體中最小重復(fù)單元出發(fā)，1個(gè)晶胞中含Ni2+為 ，含O2為 即根據(jù)各微粒在晶胞中位置計(jì)算出每個(gè)NiO晶胞中含4個(gè)NiO， NiO的摩爾質(zhì)量75g/mol，晶體的密度除以1個(gè)晶胞的質(zhì)量除以1個(gè)晶胞的體積，即為 = ，故答案為：。【點(diǎn)睛】晶胞計(jì)算中，要找準(zhǔn)一個(gè)晶胞中所含微粒數(shù)目，如此題中，1個(gè)晶胞中含Ni2+為 ，含O2為 即根據(jù)各微粒在晶胞中位置計(jì)算出每個(gè)NiO晶胞中含4個(gè)NiO；同時(shí)要找準(zhǔn)一個(gè)晶胞的體積，注意單位換算。3．X—射線衍射實(shí)驗(yàn) 小于 Zn原子軌道中電子處于全滿狀態(tài)，較難失電子，Cu失去一個(gè)電子內(nèi)層電子達(dá)到全充滿穩(wěn)定狀態(tài) b 3:5 四面體空隙 【解析】【分析解析：X—射線衍射實(shí)驗(yàn) 小于 Zn原子軌道中電子處于全滿狀態(tài)，較難失電子，Cu失去一個(gè)電子內(nèi)層電子達(dá)到全充滿穩(wěn)定狀態(tài) b 3:5 四面體空隙 【解析】【分析】（1）確定某種金屬互化物是晶體還是非晶體可通過X—射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)定；（2）軌道中電子處于全滿、全空、半滿時(shí)較穩(wěn)定，失去電子需要的能量較大，Zn原子軌道中電子處于全滿狀態(tài)，Cu失去一個(gè)電子內(nèi)層電子達(dá)到全充滿穩(wěn)定狀態(tài)，所以Cu較Zn易失電子；（3）[Ni(NH3)6](NO3)2中NH3與Ni2+之間為配位鍵；[Ni(NH3)6]2+與NO3之間為離子鍵；（4）①根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖計(jì)算晶胞中H2 與 Ni個(gè)數(shù)比；②Ni 原子占據(jù)如圖乙的頂點(diǎn)和面心，Mg2+處于乙圖八個(gè)小立方體的體心，則Mg2+位于 Ni 原子形成四面體空隙；Mg2+和 Ni 原子的最短距離為晶胞體對(duì)角線的，再根據(jù)晶胞密度計(jì)算?！驹斀狻浚?）確定某種金屬互化物是晶體還是非晶體可通過X—射線衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)定，故答案為：X—射線衍射實(shí)驗(yàn)；（2）軌道中電子處于全滿、全空、半滿時(shí)較穩(wěn)定，失去電子需要的能量較大，基態(tài)Cu的核外電子排布式為[Ar]3d104s1，基態(tài)Zn的核外電子排布式為[Ar]3d104s2，Zn原子軌道中電子處于全滿狀態(tài)，較難失電子，而Cu失去1個(gè)電子成為Cu+：[Ar]3d10，Cu+達(dá)到全滿結(jié)構(gòu)，較穩(wěn)定，Cu失去1個(gè)電子更容易，則第一電離能CuZn，故答案為：小于；Zn原子軌道中電子處于全滿狀態(tài)，較難失電子，Cu失去一個(gè)電子內(nèi)層電子達(dá)到全充滿穩(wěn)定狀態(tài)；（3）[Ni(NH3)6](NO3)2中NH3與Ni2+之間為配位鍵；[Ni(NH3)6]2+與NO3之間為離子鍵，不存在金屬鍵，故答案為：b；（4）①根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖計(jì)算晶胞中H2數(shù)目為，Ni數(shù)目為，則H2 與 Ni 的物質(zhì)的量之比為3:5，故答案為：3:5；②Ni 原子占據(jù)如圖乙的頂點(diǎn)和面心，Mg2+處于乙圖八個(gè)小立方體的體心，則Mg2+位于 Ni 原子形成四面體空隙；該晶胞中Ni原子個(gè)數(shù)，Mg2+個(gè)數(shù)為8，由化學(xué)式可知H原子個(gè)數(shù)為16，則晶胞質(zhì)量為，晶體的密度為ρgcm3，則晶胞的邊長(zhǎng)為： ，Mg2+和 Ni 原子的最短距離為晶胞體對(duì)角線的，則Mg2+和 Ni 原子的最短距離為，故答案為：四面體空隙；?！军c(diǎn)睛】由晶胞示意圖可知Mg2+和 Ni 原子的最短距離為晶胞體對(duì)角線的。4．3d Fe2+中3d軌道沒有達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，而Fe3+中3d軌道達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu) 12NA 6 sp 兩者均為離子晶體，但S2半徑大于O2半徑，CoO的晶解析：3d Fe2+中3d軌道沒有達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，而Fe3+中3d軌道達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu) 12NA 6 sp 兩者均為離子晶體，但S2半徑大于O2半徑，CoO的晶格能大于CoS，因此CoO的熔點(diǎn)較高 (1，) 【解析】【分析】（1）鐵的原子序數(shù)為26，價(jià)電子排布式為3d64s2；（2）氧化亞鐵中亞鐵離子的價(jià)電子排布式為3d6，3d軌道沒有達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，氧化鐵中鐵離子的價(jià)電子排布式為3d5，3d軌道達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；（3）在配合物Fe（CN）63中，CN與鐵離子之間有6個(gè)配位鍵，在每個(gè)CN內(nèi)部有一個(gè)共價(jià)鍵；（4）[Co(N3)(NH3)5]2+中，Co3+為中心離子，N3和NH3為配位體；配體N3與二氧化碳的原子個(gè)數(shù)和價(jià)電子數(shù)相同，屬于等電子體，等電子體具有相同的空間結(jié)構(gòu)；CoO和CoS均為離子晶體，但S2半徑大于O2半徑；（5）已知晶胞中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0），B的原子坐標(biāo)分別為（1，1，0），則以A為晶胞坐標(biāo)原點(diǎn)，晶胞的邊長(zhǎng)為1，C原子在晶胞立方體的面心上。【詳解】（1）鐵的原子序數(shù)為26，價(jià)電子排布式為3d64s2，由構(gòu)造原理可知能量最高的能級(jí)為3d，故答案為：3d；（2）氧化亞鐵中亞鐵離子的價(jià)電子排布式為3d6，3d軌道沒有達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，氧化鐵中鐵離子的價(jià)電子排布式為3d5，3d軌道達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以在空氣中FeO穩(wěn)定性小于Fe2O3，故答案為：Fe2+中3d軌道沒有達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，而Fe3+中3d軌道達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；（3）在配合物Fe（CN）63中，CN與鐵離子之間有6個(gè)配位鍵，在每個(gè)CN內(nèi)部有一個(gè)共價(jià)鍵，所以1mol該配合物中含有σ鍵的數(shù)目為12NA，故答案為：12NA；（4）[Co(N3)(NH3)5]2+中，Co3+為中心離子，N3和NH3為配位體，配位數(shù)為6；配體N3與二氧化碳的原子個(gè)數(shù)和價(jià)電子數(shù)相同，屬于等電子體，等電子體具有相同的空間結(jié)構(gòu)，二氧化碳的空間構(gòu)型為直線形，則N3離子的空間構(gòu)型也為直線形，由空間構(gòu)型可知N原子的雜化方式為sp雜化；CoO和CoS均為離子晶體，但S2半徑大于O2半徑，CoO的晶格能大于CoS，因此CoO的熔點(diǎn)較高，故答案為：兩者均為離子晶體，但S2半徑大于O2半徑，CoO的晶格能大于CoS，因此CoO的熔點(diǎn)較高；（5）已知晶胞中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0），B的原子坐標(biāo)分別為（1，1，0），則以A為晶胞坐標(biāo)原點(diǎn)，晶胞的邊長(zhǎng)為1，C原子在晶胞立方體的面心上，則C原子坐標(biāo)參數(shù)為(1，)，故答案為：(1，)?！军c(diǎn)睛】由晶胞中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0），B的原子坐標(biāo)分別為（1，1，0），確定晶胞的邊長(zhǎng)為1，C原子在晶胞立方體的面心上是確定C原子坐標(biāo)參數(shù)的關(guān)鍵，也是解答難點(diǎn)。5．鍺 4s24p2 sp3雜化 直線型 烷烴分子組成和結(jié)構(gòu)相似，隨著n值增大，相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔沸點(diǎn)升高 SiSi鍵，SiH鍵鍵能比較小，易斷裂，解析：鍺 4s24p2 sp3雜化 直線型 烷烴分子組成和結(jié)構(gòu)相似，隨著n值增大，相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔沸點(diǎn)升高 SiSi鍵，SiH鍵鍵能比較小，易斷裂，不易形成長(zhǎng)的硅鏈 12 【解析】【分析】【詳解】（1）最早用于制造半導(dǎo)體器件的的碳族元素是鍺，鍺是32號(hào)元素，位于第四周期，其價(jià)電子排布式為：4s24p2，故答案為：鍺；4s24p2；（2）CH3OH中，價(jià)層電子對(duì)數(shù)=σ鍵電子對(duì)數(shù)（4）+中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)（0）=4，所以碳原子采取sp3雜化，SCN的中心C原子：價(jià)層電子對(duì)數(shù)=σ鍵電子對(duì)數(shù)（2）+中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)（0）=2，所以SCN中C的雜化方式為sp雜化，SCN的空間構(gòu)型為直線型，故答案為：sp3雜化；直線型；（3）①烷烴分子組成和結(jié)構(gòu)相似，隨著n值增大，相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔化和氣化時(shí)，所需克服的分子間作用力增大，熔沸點(diǎn)升高，故答案為：烷烴分子組成和結(jié)構(gòu)相似，隨著n值增大，相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔沸點(diǎn)升高；②比起CC鍵，CH鍵，SiSi鍵，SiH鍵鍵能比較小，易斷裂，不易形成長(zhǎng)的硅鏈，但是CC是可以形成很長(zhǎng)碳鏈的，故答案為：SiSi鍵，SiH鍵鍵能比較小，易斷裂，不易形成長(zhǎng)的硅鏈；（4）從SiO2晶胞來看，構(gòu)成二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)的最小環(huán)包含6個(gè)Si，6個(gè)O，共12個(gè)原子，均攤法可得：每個(gè)SiO2晶胞中Si的個(gè)數(shù)=8+6+4=8，O原子數(shù)=16，所以1mol晶胞的質(zhì)量=(288+1616)g=480g，那么每個(gè)晶胞的質(zhì)量m=，因?yàn)榫О麉?shù)=apm=a1010cm，所以每個(gè)晶胞的體積V=(a1010cm)3，由==gcm3，故答案為：12；?！军c(diǎn)睛】（4）==。6．灼燒時(shí)基態(tài)銅原子的電子躍遷到較高能級(jí)，電子從較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)或基態(tài)時(shí)，將以一定波長(zhǎng)（可見光區(qū)域）的光的形式釋放能量 M 1 sp3 12NA 配位解析：灼燒時(shí)基態(tài)銅原子的電子躍遷到較高能級(jí)，電子從較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)或基態(tài)時(shí)，將以一定波長(zhǎng)（可見光區(qū)域）的光的形式釋放能量 M 1 sp3 12NA 配位鍵、共價(jià)鍵和離子鍵 O＞S＞H＞Cu 1：2 1010 【解析】【分析】【詳解】（1）銅鹽在灼燒時(shí)會(huì)產(chǎn)生特殊的顏色，這是由于金屬的焰色反應(yīng)導(dǎo)致的：灼燒時(shí)基態(tài)銅原子的電子躍遷到較高能級(jí)，電子從較高能量的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)或基態(tài)時(shí)，將以一定波長(zhǎng)（可