【文章內(nèi)容簡介】 O（COO） 【解析】【分析】【詳解】（1）碳原子電子排布式為1s22s22p2，其價層電子的電子排布圖為。（2）元素的第一電離能是氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子變?yōu)闅鈶B(tài)基態(tài)正離子時需要的最低能量。失去電子越難，第一電離能越大。同一周期元素從左到右，原子半徑逐漸減小，原子核對核外電子的束縛力逐漸增強(qiáng)，失去電子越來越難，所以元素的第一電離能逐漸增大。但氮元素的2p軌道上有3個電子，是比較穩(wěn)定的半充滿結(jié)構(gòu)，所以失去一個電子比較困難，所以其第一電離能比氧大。（3）①從結(jié)構(gòu)角度分析， NH4+與氨分子的中心原子N原子的價層電子對數(shù)均為4，均為sp3雜化，但NH4+是正四面體，而NH3為三角錐形，故相同之處選AB，不同之處選C。②(NH4)3C19H8(OH)3(COO)3中有羥基和酯基，每個羥基的氧原子都和碳原子結(jié)合形成C—Oσ鍵，每個酯基中有2個C—Oσ鍵，所以1個(NH4)3C19H8(OH)3(COO)3單元的C—Oσ鍵總數(shù)為3+32=9個。苯環(huán)上的碳原子是sp2雜化，每個碳原子還剩一個p軌道上的電子形成大π鍵，參與形成大π鍵的原子數(shù)為6，參與形成大π鍵的電子數(shù)也為6，則阿羅明拿中苯環(huán)的大π鍵應(yīng)表示為。③從圖2可以看出，氫鍵存在于NH4+中的H和COO的氧原子之間，其表示式為（NH4+）NHO（COO），還存在于NH4+中的H和羥基的O之間，表示式為（NH4+）NHO（OH），還存在于羥基中的H和COO的氧原子之間，其表示式為（OH）OHO（COO）。（4）立方晶胞參數(shù)為a nm，所以晶胞的體積為(a107)3cm3，阿羅明拿的晶體密度為d gcm3，所以一個晶胞的質(zhì)量為(a107)3dg。根據(jù)其晶胞中含有y個(NH4)3C19H8(OH)3(COO)3單元，該單元的相對質(zhì)量為M，則一個晶胞的質(zhì)量為g，所以(a107)3d =，y=。3．[Ar]3d10或1s22s22p63s23p63d10 平面正三角形 HCNO spsp3 11mol或111023 12 【解析】【解析：[Ar]3d10或1s22s22p63s23p63d10 平面正三角形 HCNO spsp3 11mol或111023 12 【解析】【分析】【詳解】（1）Zn是第30號原子，Zn2+的基態(tài)核外電子排布式為[Ar]3d10或1s22s22p63s23p63d10；（2）CO32的價層電子對數(shù)為，所以空間構(gòu)型是平面三角形；同周期元素從左到右元素的電負(fù)性逐漸增大，則有電負(fù)性CNO，H的電負(fù)性最小，電負(fù)性順序為：HCNO；（3）DMF中，1號位置的C有雙鍵，是sp2雜化，3號位置的C都是單鍵，是sp3雜化；單鍵都是σ鍵，雙鍵里一條σ鍵一條π鍵，所以DMF共有11NA的σ鍵；（4）由ZnS的晶胞結(jié)構(gòu)可以看出，ZnS是面心立方最密堆積，所以與Zn2+距離相等且最近的Zn2+有12個；【點睛】本題要注意第（3）問中的σ鍵，DMF的鍵線式為：，要注意2號、3號位置上是兩個甲基，每個甲基里有3個σ鍵，數(shù)的時候不要忽略掉。4．3d Fe2+中3d軌道沒有達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，而Fe3+中3d軌道達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu) 12NA 6 sp 兩者均為離子晶體，但S2半徑大于O2半徑，CoO的晶解析：3d Fe2+中3d軌道沒有達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，而Fe3+中3d軌道達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu) 12NA 6 sp 兩者均為離子晶體，但S2半徑大于O2半徑，CoO的晶格能大于CoS，因此CoO的熔點較高 (1，) 【解析】【分析】（1）鐵的原子序數(shù)為26，價電子排布式為3d64s2；（2）氧化亞鐵中亞鐵離子的價電子排布式為3d6，3d軌道沒有達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，氧化鐵中鐵離子的價電子排布式為3d5，3d軌道達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；（3）在配合物Fe（CN）63中，CN與鐵離子之間有6個配位鍵，在每個CN內(nèi)部有一個共價鍵；（4）[Co(N3)(NH3)5]2+中，Co3+為中心離子，N3和NH3為配位體；配體N3與二氧化碳的原子個數(shù)和價電子數(shù)相同，屬于等電子體，等電子體具有相同的空間結(jié)構(gòu)；CoO和CoS均為離子晶體，但S2半徑大于O2半徑；（5）已知晶胞中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0），B的原子坐標(biāo)分別為（1，1，0），則以A為晶胞坐標(biāo)原點，晶胞的邊長為1，C原子在晶胞立方體的面心上?！驹斀狻浚?）鐵的原子序數(shù)為26，價電子排布式為3d64s2，由構(gòu)造原理可知能量最高的能級為3d，故答案為：3d；（2）氧化亞鐵中亞鐵離子的價電子排布式為3d6，3d軌道沒有達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，氧化鐵中鐵離子的價電子排布式為3d5，3d軌道達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以在空氣中FeO穩(wěn)定性小于Fe2O3，故答案為：Fe2+中3d軌道沒有達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，而Fe3+中3d軌道達(dá)到半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；（3）在配合物Fe（CN）63中，CN與鐵離子之間有6個配位鍵，在每個CN內(nèi)部有一個共價鍵，所以1mol該配合物中含有σ鍵的數(shù)目為12NA，故答案為：12NA；（4）[Co(N3)(NH3)5]2+中，Co3+為中心離子，N3和NH3為配位體，配位數(shù)為6；配體N3與二氧化碳的原子個數(shù)和價電子數(shù)相同，屬于等電子體，等電子體具有相同的空間結(jié)構(gòu)，二氧化碳的空間構(gòu)型為直線形，則N3離子的空間構(gòu)型也為直線形，由空間構(gòu)型可知N原子的雜化方式為sp雜化；CoO和CoS均為離子晶體，但S2半徑大于O2半徑，CoO的晶格能大于CoS，因此CoO的熔點較高，故答案為：兩者均為離子晶體，但S2半徑大于O2半徑，CoO的晶格能大于CoS，因此CoO的熔點較高；（5）已知晶胞中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0），B的原子坐標(biāo)分別為（1，1，0），則以A為晶胞坐標(biāo)原點，晶胞的邊長為1，C原子在晶胞立方體的面心上，則C原子坐標(biāo)參數(shù)為(1，)，故答案為：(1，)?！军c睛】由晶胞中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0），B的原子坐標(biāo)分別為（1，1，0），確定晶胞的邊長為1，C原子在晶胞立方體的面心上是確定C原子坐標(biāo)參數(shù)的關(guān)鍵，也是解答難點。5．3d104s24p4 大于 小于 4 原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故CaN、GaP、GaAs的熔點逐漸降低解析：3d104s24p4 大于 小于 4 原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故CaN、GaP、GaAs的熔點逐漸降低 12 【解析】【分析】(1)基態(tài)硒原子序數(shù)為34，根據(jù)構(gòu)造原理寫出其核外電子排布式；(2)同一周期中從左到右，原子半徑逐漸減小，同一周期從左到右，元素的第一電離能有增大趨勢，但I(xiàn)IA、VA族第一電離能大于同周期相鄰元素；(3)二氧化硅晶體中含有“SiO4”結(jié)構(gòu)單元，1個Si原子結(jié)合4個O原子，同時每個O原子結(jié)合2個Si原子；(4)原子晶體中，原子半徑越大，共價鍵鍵長越長，共價鍵越弱，鍵能越小，晶體的熔點越低；(5)①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為12；②均攤法計算晶胞(平行六面體)中Ga、N原子數(shù)目，計算原子總質(zhì)量，根據(jù)晶體密度=晶胞質(zhì)量247。晶胞體積?！驹斀狻?1)Se是34號元素，位于第四周期ⅥA族，核外電子排布式為[Ar]3d104s24p4；(2)根據(jù)元素周期律，Ga與As位于同一周期，Ga原子序數(shù)小于As，故原子半徑Ga大于As，同周期第一電離能變化趨勢是從左到右增大，故第一電離能Ga小于As；(3)水晶中1個硅原子結(jié)合4個氧原子，同時每個氧原子結(jié)合2個硅原子，所以水晶是以[SiO4]四面體向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，水晶中硅原子的配位數(shù)為4；(4)原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故GaN、GaP、GaAs的熔點逐漸降低；(5)從六方晶胞的面心原子分析，上、中、下層分別有3個配位原子，故配位數(shù)為12。六方晶胞中原子的數(shù)目往往采用均攤法：①位于晶胞頂點的原子為6個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻(xiàn)為；②位于晶胞面心的原子為2個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻(xiàn)為；③位于晶胞側(cè)棱的原子為3個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻(xiàn)為；④位于晶胞體心的原子為1個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻(xiàn)為1。GaN晶胞中Ga原子個數(shù)為，N原子個數(shù)為，所以該晶胞化學(xué)式為Ga6N6，質(zhì)量為g，該六棱柱的底面為正六邊形，邊長為acm，底面的面積為6個邊長為acm的正三角形面積之和，根據(jù)正三角形面積的計算公式，該底面的面積為，由圖2可知六棱柱的高為，所以晶胞的體積為，密度為g?cm?3?！军c睛】物質(zhì)結(jié)構(gòu)的綜合考題，涉及核外電子排布、電離能、化學(xué)鍵、等電子體、晶體類型與性質(zhì)、晶胞結(jié)構(gòu)與計算等知識，理解原子相對位置并計算