【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 Ni 原子占據(jù)如圖乙的頂點(diǎn)和面心，Mg2+處于乙圖八個(gè)小立方體的體心，則Mg2+位于 Ni 原子形成四面體空隙；Mg2+和 Ni 原子的最短距離為晶胞體對(duì)角線(xiàn)的，再根據(jù)晶胞密度計(jì)算。【詳解】（1）確定某種金屬互化物是晶體還是非晶體可通過(guò)X—射線(xiàn)衍射實(shí)驗(yàn)測(cè)定，故答案為：X—射線(xiàn)衍射實(shí)驗(yàn)；（2）軌道中電子處于全滿(mǎn)、全空、半滿(mǎn)時(shí)較穩(wěn)定，失去電子需要的能量較大，基態(tài)Cu的核外電子排布式為[Ar]3d104s1，基態(tài)Zn的核外電子排布式為[Ar]3d104s2，Zn原子軌道中電子處于全滿(mǎn)狀態(tài)，較難失電子，而Cu失去1個(gè)電子成為Cu+：[Ar]3d10，Cu+達(dá)到全滿(mǎn)結(jié)構(gòu)，較穩(wěn)定，Cu失去1個(gè)電子更容易，則第一電離能CuZn，故答案為：小于；Zn原子軌道中電子處于全滿(mǎn)狀態(tài)，較難失電子，Cu失去一個(gè)電子內(nèi)層電子達(dá)到全充滿(mǎn)穩(wěn)定狀態(tài)；（3）[Ni(NH3)6](NO3)2中NH3與Ni2+之間為配位鍵；[Ni(NH3)6]2+與NO3之間為離子鍵，不存在金屬鍵，故答案為：b；（4）①根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖計(jì)算晶胞中H2數(shù)目為，Ni數(shù)目為，則H2 與 Ni 的物質(zhì)的量之比為3:5，故答案為：3:5；②Ni 原子占據(jù)如圖乙的頂點(diǎn)和面心，Mg2+處于乙圖八個(gè)小立方體的體心，則Mg2+位于 Ni 原子形成四面體空隙；該晶胞中Ni原子個(gè)數(shù)，Mg2+個(gè)數(shù)為8，由化學(xué)式可知H原子個(gè)數(shù)為16，則晶胞質(zhì)量為，晶體的密度為ρgcm3，則晶胞的邊長(zhǎng)為： ，Mg2+和 Ni 原子的最短距離為晶胞體對(duì)角線(xiàn)的，則Mg2+和 Ni 原子的最短距離為，故答案為：四面體空隙；?！军c(diǎn)睛】由晶胞示意圖可知Mg2+和 Ni 原子的最短距離為晶胞體對(duì)角線(xiàn)的。3．3d84s2 Fe N 1∶1 三角錐形 PClPBrNFNCl3等 電子從較高能級(jí)的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能級(jí)的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，會(huì)以光的形式釋放能量解析：3d84s2 Fe N 1∶1 三角錐形 PClPBrNFNCl3等 電子從較高能級(jí)的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能級(jí)的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，會(huì)以光的形式釋放能量 Ni的原子半徑較小，價(jià)層電子數(shù)目較多，金屬鍵較強(qiáng) C 【解析】【分析】(1)基態(tài)鎳原子核外有28個(gè)電子，根據(jù)構(gòu)造原理書(shū)寫(xiě)Ni原子的電子排布式，上述材料中所含元素為K、Ca、Ni、Fe、As，這些元素的基態(tài)原子中，未成對(duì)電子數(shù)分別是0、3；(2)配離子含有Fe，C，N，O4種元素，非金屬為C，N與O，原子軌道上電子處于全滿(mǎn)、全空、半滿(mǎn)時(shí)較穩(wěn)定，結(jié)合C、N與O的電子排布式分析解答；(3)①根據(jù)VSEPR理論判斷AsO33的立體構(gòu)型，等電子體是指原子總數(shù)相同，價(jià)電子總數(shù)也相同的微粒；②電子從高能態(tài)躍遷到低能態(tài)時(shí)，要釋放能量；(4)金屬晶體熔沸點(diǎn)的高低與金屬鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，金屬鍵的強(qiáng)弱與價(jià)層電子數(shù)目和金屬原子的半徑有關(guān)；(5)①根據(jù)圖示，金屬Ni的晶胞堆積方式呈現(xiàn)ABCABC……重復(fù)，這是面心立方最密堆積；②由晶胞結(jié)構(gòu)結(jié)合均攤法，計(jì)算每個(gè)晶胞中含有的Ni原子和As原子個(gè)數(shù)，確定晶胞的質(zhì)量，再根據(jù)晶體密度=晶胞質(zhì)量247。晶胞體積計(jì)算?！驹斀狻?1)基態(tài)鎳原子核外有28個(gè)電子， Ni原子的電子排布式為[Ar]3d84s2，上述材料中所含元素為K、Ca、Ni、Fe、As，這些元素的基態(tài)原子中，未成對(duì)電子數(shù)分別是0、3，未成對(duì)電子數(shù)最多的是Fe，故答案為：3d84s2；Fe；(2)配離子含有Fe，C，N，O4種元素，非金屬為C、N與O，原子軌道上電子處于全滿(mǎn)、全空、半滿(mǎn)時(shí)較穩(wěn)定，氮原子2p軌道上的電子為半充滿(mǎn)，相對(duì)穩(wěn)定，更不易失去電子，所以C、N、O這三種元素第一電離能最大的是N元素，[Fe(CN)6] 4中含有6個(gè)配位鍵，6個(gè)C≡N，因此σ鍵與π鍵的數(shù)目比為(6+6)∶62=1∶1，故答案為：N；1∶1；(3)①對(duì)于AsO33，根據(jù)VSEPR理論，VP=BP+LP=3+=4，則AsO33的立體構(gòu)型為三角錐形；等電子體是指原子總數(shù)相同，價(jià)電子總數(shù)也相同的微粒，與AsO33互為等電子體的分子有：PClPBrNFNCl3等，故答案為：三角錐形；PClPBrNFNCl3等；②電子從高能態(tài)躍遷到低能態(tài)時(shí)，要釋放能量，所以金屬焰色反應(yīng)原理是激發(fā)態(tài)的電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時(shí)，以一定波長(zhǎng)(可見(jiàn)光區(qū)域)光的形式釋放能量，故答案為：電子從較高能級(jí)的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能級(jí)的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，會(huì)以光的形式釋放能量；(4)Ni的原子半徑較小，價(jià)層電子數(shù)目較多，金屬鍵較強(qiáng)，故金屬Ni的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)均比金屬Ca的高，故答案為：Ni的原子半徑較小，價(jià)層電子數(shù)目較多，金屬鍵較強(qiáng)；(5)①根據(jù)金屬鎳的原子堆積模型圖，金屬Ni的晶胞堆積方式呈現(xiàn)ABCABC……重復(fù)，這是面心立方最密堆積，A選項(xiàng)是某一個(gè)面的二維圖，俯視圖中還可以看到C中相對(duì)于A多出的4個(gè)面心硬球，則金屬鎳晶胞俯視圖為C，故答案為：C；②由晶胞結(jié)構(gòu)可知，Ni位于晶胞的頂點(diǎn)和4條棱上，每個(gè)晶胞中含有Ni原子數(shù)目=8+4=2，As位于晶胞內(nèi)部，含有2個(gè)As原子，晶胞質(zhì)量=2g，晶胞的體積V=a1010 cma1010 cmsin60176。c1010 cm=1030cm3，故晶胞的密度ρ==g?cm3，故答案為：。【點(diǎn)睛】本題的易錯(cuò)點(diǎn)和難點(diǎn)為(5)②中晶胞的計(jì)算，要注意該晶胞的底面不是矩形，而是菱形，要注意底面面積的計(jì)算方法。4．3d104s1 無(wú) Cu+中無(wú)單電子 共價(jià)鍵、配位鍵 大于 [Cu(NH3)4]Cl2 中氮原子無(wú)孤電子對(duì)，NH3 中氮原子有孤電子對(duì)，孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子排斥力大，鍵角解析：3d104s1 無(wú) Cu+中無(wú)單電子 共價(jià)鍵、配位鍵 大于 [Cu(NH3)4]Cl2 中氮原子無(wú)孤電子對(duì)，NH3 中氮原子有孤電子對(duì)，孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子排斥力大，鍵角小 4 【解析】【分析】【詳解】(1)銅是29號(hào)元素，核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1，價(jià)層電子排布式3d104s1，故答案為：3d104s1；(2) 根據(jù)價(jià)層電子排布，F(xiàn)e3+有5對(duì)未成對(duì)電子，呈黃色；Fe2+有4對(duì)未成對(duì)電子，呈綠色，可知Cu+無(wú)顏色，因?yàn)镃u+中無(wú)單電子，故答案為：無(wú)；Cu+中無(wú)單電子；(3)根據(jù)氯化銅的結(jié)構(gòu)可知分子中含有的化學(xué)鍵類(lèi)型為共價(jià)鍵、配位鍵；NH3中N原子含有3個(gè)共價(jià)鍵和1個(gè)孤電子對(duì)，由于NH3提供孤對(duì)電子與Cu2+ 形成配位鍵后，NH成鍵電子對(duì)受到的排斥力減小，所以HNH鍵角增大或NH3分子內(nèi)存在孤電子對(duì)，孤電子對(duì)與共用電子對(duì)之間的斥力更大，所以NH3的鍵角更小，故答案為：共價(jià)鍵、配位鍵；大于； [Cu(NH3)4]Cl2 中氮原子無(wú)孤電子對(duì)，NH3 中氮原子有孤電子對(duì)，孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子排斥力大，鍵角?。?4)晶胞中Cl原子數(shù)目為4，晶胞中Cu原子數(shù)目為8+6=4，二者原子數(shù)目為1∶1，故配位數(shù)也相等，Cu原子與周?chē)?個(gè)Cl原子形成正四面體，Cu的配位數(shù)為4；若C1原子位于Cu原子構(gòu)成的四面體體心，則體對(duì)角線(xiàn)是銅原子和氯原子的半徑之和的4倍，Cu原子位于立方體的頂點(diǎn)和面心，為面心立方最密堆積，則面對(duì)角線(xiàn)是銅原子半徑的4倍，設(shè)晶胞的邊長(zhǎng)為a cm，面對(duì)角線(xiàn)等于，則銅原子半徑為，體對(duì)角線(xiàn)等于，則氯原子半徑為，則氯原子與銅原子半徑之比等于，故答案為：4；。5．F對(duì)最外層電子的吸引力比O強(qiáng)，N原子核外電子處于半滿(mǎn)的較穩(wěn)定狀態(tài)，故第一電離能均高于O Cr 1s22s22p63s23p63d54s1或[Ar]3d54s1 15 （CH3解析：F對(duì)最外層電子的吸引力比O強(qiáng)，N原子核外電子處于半滿(mǎn)的較穩(wěn)定狀態(tài)，故第一電離能均高于O Cr 1s22s22p63s23p63d54s1或[Ar]3d54s1 15 （CH3）2C=CHCH2OH分子間含有氫鍵，增大分子間的作用力，使沸點(diǎn)升高 2 PCl5 = PCl4+＋PCl6－ PCl3分子中P原子有一對(duì)孤電子對(duì)，PCl4+中P沒(méi)有孤電子對(duì)。孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子的排斥力大于成鍵電子對(duì)間的排斥力 或 【解析】【分析】(1)F對(duì)最外層電子的吸引力比O強(qiáng)，N原子核外電子處于半滿(mǎn)的較穩(wěn)定狀態(tài)；(2)元素X與(Se)同周期，且該周期中X元素原子核外未成對(duì)電子數(shù)最多，X應(yīng)該是第四周期3d、4s能級(jí)半滿(mǎn)的原子，為24號(hào)元素；該原子核外有24個(gè)電子，根據(jù)構(gòu)造原理書(shū)寫(xiě)其基態(tài)原子的電子排布式；(3)臭齅排放的臭氣主要成分為3MBT甲基2丁烯硫醇，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為)，共價(jià)單鍵為σ鍵、共價(jià)雙鍵中一個(gè)是σ鍵另一個(gè)是排鍵，所以1個(gè)3MBT分子中含有15個(gè)σ鍵；存在分子間氫鍵的物質(zhì)熔沸點(diǎn)較高；(4)含有自由移動(dòng)離子的化合物能導(dǎo)電；孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子的排斥力大于成鍵電子對(duì)間的排斥力；該晶胞中PCl5個(gè)數(shù)=1+8=2，晶胞體積=(a1010cm)3，晶胞密度=?！驹斀狻?1)F對(duì)最外層電子的吸引力比O強(qiáng)，N原子核外電子處于半滿(mǎn)的較穩(wěn)定狀態(tài)，所以第一電離能均高于O元素(2)元素X與(Se)同周期，且該周期中X元素原子核外未成對(duì)電子數(shù)最多，X應(yīng)該是