高二化學(xué)晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專項(xiàng)訓(xùn)練單元自檢題檢測(cè)試卷(編輯修改稿)
2025-04-05 04:22 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 含B一B鍵的個(gè)數(shù)為，每個(gè)正三角形平均占有硼原子的個(gè)數(shù)為，故結(jié)構(gòu)單元中含正三角形個(gè)數(shù)為，故A正確；+周圍距離最近且相等的Na+有12個(gè)，故B不正確；，故C正確；－C≡N，故其分子中含有2個(gè)σ鍵、2個(gè)π鍵，故D正確；故答案選：B。3．B【解析】【分析】【詳解】A. 根據(jù)石墨烯結(jié)構(gòu)可知：在石墨烯晶體中，每個(gè)C原子與相鄰3個(gè)C原子形成3個(gè)碳碳鍵，這些C原子形成一個(gè)個(gè)平面正六邊形，通過每個(gè)C原子形成了3個(gè)六元環(huán)，A正確；B. 在石墨烯晶體中，C原子采用sp2雜化，物質(zhì)結(jié)構(gòu)中既有碳碳單鍵，也有碳碳雙鍵，B錯(cuò)誤；C. 碳原子價(jià)電子數(shù)為4，在金剛石晶體中，每個(gè)C原子與相鄰的4個(gè)C原子形成共價(jià)鍵，所有價(jià)電子全部參與成鍵，形成了4個(gè)CC鍵，C原子采用sp3雜化，C正確；D. 在金剛石中，C原子與相鄰的4個(gè)C原子形成立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，最小的環(huán)上含有6個(gè)C原子，其中六元環(huán)上能夠共平面的C原子數(shù)目為4，結(jié)構(gòu)如圖所示： ，D正確；故合理選項(xiàng)是B。4．A【解析】【分析】【詳解】A．白磷晶體為分子晶體，分子之間通過范德華力結(jié)合，A錯(cuò)誤；B．在NaCl晶體中，與Na＋(或Cl－)距離最近且相等的Cl－(或6個(gè)Na＋)有6個(gè)，B正確；C．金剛石的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，最小環(huán)上有6個(gè)碳原子，且碳原子間都以共價(jià)單鍵相連，C正確；D．離子晶體在熔化時(shí)，離子鍵被破壞；而分子晶體熔化時(shí)，分子不改變，改變的是分子間的距離，所以化學(xué)鍵不被破壞，D正確；故選A。5．D【解析】【分析】【詳解】，沸點(diǎn)最高。一般來(lái)說(shuō)，組成與結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高，則沸點(diǎn)：H2SeH2S，故A錯(cuò)誤；B. 一般來(lái)說(shuō)，組成與結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔點(diǎn)越高，則熔點(diǎn)Br2Cl2F2，故B錯(cuò)誤；C. CHSiHGeH4均為分子晶體，則沸點(diǎn)：GeH4SiH4CH4，故C錯(cuò)誤；，熔點(diǎn)越高，則熔點(diǎn)：LiNaK，故D正確；故答案選：D。6．B【解析】【詳解】A. HCl是共價(jià)化合物，氯化氫氣體溶于水時(shí)破壞共價(jià)鍵，產(chǎn)生H+和Cl，A錯(cuò)誤；B. 硅晶體屬于原子晶體，熔化斷裂共價(jià)鍵；碘化氫屬于分子晶體，碘化氫分解破壞共價(jià)鍵，因此需克服的化學(xué)鍵類型相同，B正確；C. NH3和HCl都極易溶于水，NH3是因?yàn)榭梢院虷2O形成氫鍵，但HCl分子與H2O分子之間不存在氫鍵，C錯(cuò)誤；D. CO2和SiO2的熔沸點(diǎn)和硬度相差很大，是由于CO2屬于分子晶體，分子之間以微弱的分子間作用力結(jié)合，而SiO2屬于原子晶體，原子之間以強(qiáng)的共價(jià)鍵結(jié)合，熔化時(shí)破壞的作用力性質(zhì)不同，D錯(cuò)誤；故合理選項(xiàng)是B。7．A【解析】【分析】【詳解】鹵素單質(zhì)是分子晶體，分子晶體的熔沸點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量成正比，所以鹵素單質(zhì)的熔沸點(diǎn)隨著原子半徑增大而升高，堿金屬單質(zhì)的熔沸點(diǎn)逐漸降低，故A正確，B錯(cuò)誤；堿金屬和鹵素單質(zhì)的密度都依次變大，但是鈉鉀反常，鈉的密度大于鉀的密度，故CD均錯(cuò)誤；故選A。8．D【解析】【分析】【詳解】A．由表中數(shù)據(jù)可以知道，SiCl4的熔沸點(diǎn)較低，屬于分子晶體，A選項(xiàng)正確；B．單質(zhì)B的熔沸點(diǎn)很高，所以單質(zhì)B是原子晶體， B選項(xiàng)正確；C．由表中數(shù)據(jù)可以知道氯化鋁的沸點(diǎn)低于熔點(diǎn)，所以能夠不經(jīng)液態(tài)直接升華，C選項(xiàng)正確；D．離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高，由表中數(shù)據(jù)可以知道，NaCl的熔、沸點(diǎn)均比MgCl2高，所以NaCl晶體中的離子鍵應(yīng)比MgCl2的強(qiáng)，D選項(xiàng)錯(cuò)誤；答案選D。9．D【解析】【分析】可根據(jù)題給的幾種物質(zhì)的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)，判斷這些物質(zhì)的晶體類型：共價(jià)晶體熔沸點(diǎn)很高，離子晶體熔沸點(diǎn)也較高，分子晶體熔沸點(diǎn)低。在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步判斷各選項(xiàng)是否正確?！驹斀狻緼. 根據(jù)題給數(shù)據(jù)，SiCl4熔點(diǎn)低，屬于分子晶體，A選項(xiàng)正確；B. 根據(jù)題給數(shù)據(jù)，單質(zhì)B熔沸點(diǎn)很高，可能是共價(jià)晶體，B選項(xiàng)正確；C. AlCl3沸點(diǎn)低于熔點(diǎn)，加熱時(shí)先達(dá)到沸點(diǎn)，所以，AlCl3加熱能升華，C選項(xiàng)正確；D. NaCl和KCl都是離子晶體，化學(xué)鍵均為離子鍵，由于半徑：r(Na+)＜r(K+)，所以NaCl中離子鍵的強(qiáng)度比KCl中的大，D選項(xiàng)錯(cuò)誤；答案選D?！军c(diǎn)睛】離子鍵強(qiáng)弱比較：離子半徑越小、所帶電荷越高，離子鍵越強(qiáng)。10．3d74s2 Mn2+價(jià)層電子排布式為3d5，達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，不易失電子形成Mn3+，F(xiàn)e2+價(jià)層電子排布式為3d6，要失去1個(gè)電子才達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu) ，較易形成Fe3+，故錳的第三電離能大于鐵 小于 24 S [Co(H2O)6]3+
語(yǔ)文相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1