晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專項(xiàng)訓(xùn)練單元自檢題檢測試題(編輯修改稿)
2025-04-02 03:43 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 答案選C。2．B【解析】【分析】【詳解】，且該反應(yīng)屬于難揮發(fā)酸制易揮發(fā)酸，也體現(xiàn)了濃硫酸的難揮發(fā)性，故A正確；B. CaF2晶體中Ca2+和F－的配位數(shù)分別是8和4，配位數(shù)之比為2:1，故B錯(cuò)誤；C. H2SO4是分子晶體，影響熔點(diǎn)的是分子間作用力，CaSO4是離子晶體，影響CaSO4熔點(diǎn)的是離子鍵的強(qiáng)度，故C正確；D. HF和HC1均為極性分子，H和F的電負(fù)性之差較大，則HF分子極性強(qiáng)于HC1，故D正確；故選B?！军c(diǎn)睛】CaF2晶胞中擁有4個(gè)Ca2+和8個(gè)F－，Ca2+和F－的個(gè)數(shù)比為1：2，CaF2晶體中Ca2+和F－的配位數(shù)分別是8和4，配位數(shù)之比為2:1是解答關(guān)鍵。3．A【解析】【分析】【詳解】A．2p和3p軌道形狀均為啞鈴形，但是原子軌道離原子核越遠(yuǎn)，能量越高，2p軌道能量低于3p，A選項(xiàng)錯(cuò)誤；B．金屬離子的電荷數(shù)越多，半徑越小，則金屬離子與自由電子之間的金屬鍵越強(qiáng)，其金屬晶體的硬度越大，熔沸點(diǎn)越高，B選項(xiàng)正確；C．石墨屬于層狀結(jié)構(gòu)晶體，每層石墨原子間為共價(jià)鍵，層與層之間為分子間作用力，金剛石只含有共價(jià)鍵，因而石墨轉(zhuǎn)化為金剛石既有共價(jià)鍵的斷裂和生成，也有分子間作用力的破壞，C選項(xiàng)正確；D．DNA分子的兩條長鏈中的堿基以氫鍵互補(bǔ)配對形成雙螺旋結(jié)構(gòu)，DNA復(fù)制時(shí)，在有關(guān)酶的作用下，兩條鏈的配對堿基之間的氫鍵斷裂，堿基暴露出來，形成了兩條模板鏈，以半保留的方式進(jìn)行復(fù)制，使遺傳信息得以精準(zhǔn)復(fù)制，D選項(xiàng)正確；答案選A。4．D【解析】【分析】【詳解】A．每個(gè)晶胞含有8+6=4個(gè)Na+，12+1=4個(gè)Cl，故A錯(cuò)誤；B．晶體中每個(gè)Na+周圍有上下左右前后6個(gè)Cl，同理每個(gè)Cl周圍有6個(gè)Na+，故B錯(cuò)誤；C．NaCl晶體為立方面心，與每個(gè)Na+距離相等且最近的Na+可看作頂點(diǎn)和面心位置，個(gè)數(shù)為38=12，故C錯(cuò)誤；D．將晶胞分成8個(gè)小正方體，CD為右上方小正方體的體對角線，與AB 平行，若作投影，則相互重合，故D正確；故選D?！军c(diǎn)睛】難點(diǎn)D，注意理解題目的含義，沿體對角線AB作投影。5．D【解析】【分析】【詳解】A. 晶體金紅石的晶胞如圖1所示，Ti為8+1=2，O為4+2=4，推知化學(xué)式為TiO2 （注：氧原子分別位于晶胞的上下底面和內(nèi)部），故A正確；B. 配合物（如圖2）分子中含有分子內(nèi)氫鍵，故B正確；C. 某手性分子可通過酯化反應(yīng)讓其失去手性，由變成，故C正確；D. 不可以表示氯化鈉晶體，是氯化鈉的晶胞的，故D錯(cuò)誤；故選D。6．C【解析】【分析】【詳解】A．離子晶體在熔化時(shí)會(huì)發(fā)生電離，存在自由移動(dòng)的離子，能夠?qū)щ?，故A正確；B．晶體只要有陰離子就一定有陽離子，但含有陽離子的不一定有陰離子，如金屬晶體，故B正確；C．原子晶體中不一定含有非極性共價(jià)鍵，如二氧化硅，故C錯(cuò)誤；D．分子晶體中可能不含化學(xué)鍵，如稀有氣體，故D正確；故選C?！军c(diǎn)睛】本題的易錯(cuò)點(diǎn)為B，要注意晶體中只要有陰離子就一定有陽離子，為離子晶體，但有陽離子的不一定有陰離子，金屬晶體的構(gòu)成微粒為金屬陽離子和自由電子。7．C【解析】【分析】【詳解】A．晶體的形成都要有一定的形成條件，如溫度、壓強(qiáng)、結(jié)晶速率等，但并不是說結(jié)晶速率越快越好，速率太快可能導(dǎo)致晶體質(zhì)量下降，故A錯(cuò)誤；B．晶體硅有固定的熔點(diǎn)，研碎后仍為原子晶體，故B錯(cuò)誤；C．晶體與非晶體最本質(zhì)的區(qū)別是組成物質(zhì)的粒子在微觀空間是否有序排列，x射線衍射可以看到微觀結(jié)構(gòu)，所以區(qū)別晶體與非晶體最可靠的科學(xué)方法是對固體進(jìn)行x射線衍射實(shí)驗(yàn)，故C正確；D．晶體硅的形成與晶體的自范性有關(guān)，形成的晶體有各向異性，故D錯(cuò)誤；故答案為C。8．A【解析】【分析】高溫加熱、用X射線
小學(xué)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1