加工工藝3_xxxx-wenkub
2023-03-23 02:48:37 本頁面
【正文】 對(duì)準(zhǔn) : ? 產(chǎn)量 半導(dǎo)體加工 秦明 半導(dǎo)體加工 秦明 半導(dǎo)體加工 秦明 光刻分辨率 ? 對(duì)準(zhǔn)機(jī)和光刻膠的分辨率是爆光波長的函數(shù) ? 波長越短 , 分辨率越高 ? 短波長能量高，爆光時(shí)間可以更短、散射更小 半導(dǎo)體加工 秦明 光源系統(tǒng) ? 光源 ? Hg Arc lamps 436(Gline), 405(Hline), 365(Iline) nm ? Excimer lasers: KrF (248nm) and ArF (193nm) 半導(dǎo)體加工 秦明 接觸式光刻 ? Resolution R ? 掩膜板容易損壞或沾污 半導(dǎo)體加工 秦明 接近式光刻 ? 最小特征尺寸： K~1, ?~波長， g~間距 最小特征尺寸 ~3um gkW ??m in半導(dǎo)體加工 秦明 投影式光刻 ? 增加數(shù)值孔徑 NA，最小特征尺寸減小，但聚焦深度也減小，必須折中考慮。 ?聚焦深度增加 半導(dǎo)體加工 秦明 電子束光刻 ? 波長 ?例 : 30keV, ?= ? 缺點(diǎn) : ?束流大 , 10’ s mA ?產(chǎn)量低 , 10wafers/hr. 半導(dǎo)體加工 秦明 XRay Lithography ? Synchrotron Radiation 23 )()()()()(GeVETBGeVEmrA ???半導(dǎo)體加工 秦明 投影式 X射線光刻 半導(dǎo)體加工 秦明 離子束光刻 半導(dǎo)體加工 秦明 Pt 淀積 半導(dǎo)體加工 秦明 FEA 制造 半導(dǎo)體加工 秦明 納米壓印光刻 半導(dǎo)體加工 秦明 納米壓印光刻 ? 極高分辨率 : 可以形成 10nm的結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體加工 秦明 半導(dǎo)體加工工藝原理 ? 概述 ? 半導(dǎo)體襯底 ? 熱氧化 ? 擴(kuò)散 ? 離子注入 ? 光刻 ? 刻蝕 ? 化學(xué)氣相淀積 ? 物理淀積 ? 外延 ? 工藝集成 ? CMOS ? 雙極工藝 ? BiCMOS 半導(dǎo)體加工 秦明 刻蝕 ? 硅片表面形成光刻膠圖形后，通過刻蝕將圖形轉(zhuǎn)移到 wafer上 ? 干法、濕法等 ? Figure of Merit: ?刻蝕速率 ?均勻性 ?選擇比 ?例： 20 : 1 = polysilicon : silicon oxide 半導(dǎo)體加工 秦明 刻蝕 ? 鉆刻 ? Etch rate anisotropy RL : lateral etch rate RV: vertical etch rate A=0, isotropic etching A=1, anisotropic etching VLRRA ?? 1半導(dǎo)體加工 秦明 腐蝕選擇性 ? S的定義 ? Wet Etching ? S 受化學(xué)溶液 , 濃度和溫度控制 ? RIE ? S受等離子參數(shù)、氣氛、氣壓、流量和溫度影響 的垂直腐蝕速率材料的垂直腐蝕速率材料BASAB ?半導(dǎo)體加工 秦明 刻
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