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2025-04-05 02:48本頁(yè)面
【正文】 秦明 光刻分辨率 ? 對(duì)準(zhǔn)機(jī)和光刻膠的分辨率是爆光波長(zhǎng)的函數(shù) ? 波長(zhǎng)越短 , 分辨率越高 ? 短波長(zhǎng)能量高，爆光時(shí)間可以更短、散射更小 半導(dǎo)體加工 秦明 光源系統(tǒng) ? 光源 ? Hg Arc lamps 436(Gline), 405(Hline), 365(Iline) nm ? Excimer lasers: KrF (248nm) and ArF (193nm) 半導(dǎo)體加工 秦明 接觸式光刻 ? Resolution R ? 掩膜板容易損壞或沾污 半導(dǎo)體加工 秦明 接近式光刻 ? 最小特征尺寸： K~1, ?~波長(zhǎng)， g~間距 最小特征尺寸 ~3um gkW ??m in半導(dǎo)體加工 秦明 投影式光刻 ? 增加數(shù)值孔徑 NA，最小特征尺寸減小，但聚焦深度也減小，必須折中考慮。 NAkW ??m i n mmW ?? m in ?? m , NA nm, 365 2?????????NA聚焦深度 半導(dǎo)體加工 秦明 光刻膠 ? 負(fù)膠 Negative Resist爆光區(qū)域保留 ? 正膠 Positive Resist爆光區(qū)域去除 ? 光刻膠的成份 ? Resin 或 base materials ? Photoactive pound (PAC) ? Solvent ? 靈敏度 發(fā)生化學(xué)變化所需的光能量 ? 分辨率 在光刻膠上再現(xiàn)的最小尺寸 半導(dǎo)體加工 秦明 聚合物 ? 聚合物是由許多小的重復(fù)單元連接而成的。 半導(dǎo)體加工 秦明 DQN正膠感光機(jī)理 ? 鄰疊氮萘醌類化合物經(jīng)紫外光照射后，分解釋放出氮?dú)猓瑫r(shí)分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行重排，產(chǎn)生環(huán)的收縮作用，再經(jīng)水解生成茚羧酸衍生物，成為能溶于堿性溶液的物質(zhì)，從而顯示圖形 半導(dǎo)體加工 秦明 光刻膠的對(duì)比度 半導(dǎo)體加工 秦明 光刻膠的對(duì)比度 ? 對(duì)比度： )/(log1010010 DD??半導(dǎo)體加工 秦明 光刻膠的涂敷與顯影 半導(dǎo)體加工 秦明 顯影中的三個(gè)主要問題 半導(dǎo)體加工 秦明 甩膠 半導(dǎo)體加工 秦明 半導(dǎo)體加工 秦明 先進(jìn)光刻技術(shù) ? 浸入光刻 Immersion Lithography ? 電子束光刻 Electron beam Lithography ? XRay Lithography ? 離子束光刻 Ion Beam Lithography ? 納米壓印光刻 Nanoimprint Lithography 半導(dǎo)體加工 秦明 浸入光刻 ? A liquid with index of refraction n1 is introduced between the imaging optics and the wafer. ? 優(yōu)點(diǎn) : ?分辨率與 n成正比 。/min SiO2 + 6HF H2+ SiF6 + 2H2O NH4F? NH3 + HF ? Si3N4的腐蝕 ? 20 : 1 BHF at RT 10 197。 半導(dǎo)體加工 秦明 Ion Milling ? 采用的惰性氣體 Ar ? 純粹的物理轟擊 ?高定向性 ?選擇比差 半導(dǎo)體加工 秦明 離子銑可能帶來的問題 ? 斜坡轉(zhuǎn)移 ? 不均勻刻蝕 ? 溝槽 半導(dǎo)體加工 秦明 Reactive Ion Etching(RIE) ? 硅片放置在功率電極上 ? 低壓工作 , 離子的平均自由程
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