加工工藝3_xxxx-文庫吧資料
2025-03-08 02:48本頁面
【正文】 ?硝酸 HNO3— 改善臺(tái)階性能 ?醋酸 — 降低腐蝕液表面張力 ?水 — 調(diào)節(jié)腐蝕液濃度 半導(dǎo)體加工 秦明 硅的腐蝕 ? HF/HNO3 ? Si + HNO3+6HF?H2SiF6+HNO2+H2+H2O 半導(dǎo)體加工 秦明 硅的腐蝕 ? KOH : IPA : H2O = : 13. 5 : 63 R(100)~ 100X R(111) SiO2可以作為短時(shí)間掩膜 半導(dǎo)體加工 秦明 全自動(dòng)濕法腐蝕操作設(shè)備 半導(dǎo)體加工 秦明 手動(dòng)腐蝕設(shè)備操作 半導(dǎo)體加工 秦明 Chemical Mechanical Polishing(CMP) ? 互連平坦化 ? 以 KOH, 或 NH4OH為基體的含 SiO2顆粒的磨料 ? 顆粒尺寸 ? ?m 半導(dǎo)體加工 秦明 等離子刻蝕 ? 容易控制 ? 對(duì)溫度不敏感 ? 高各向異性 ? 刻蝕步驟 : ?氣體離化、離子擴(kuò)散到硅片表面、膜反應(yīng)、生成物解析、抽離反應(yīng)腔 半導(dǎo)體加工 秦明 工作氣體 刻蝕原理 含硅化合物 CF4 金屬鋁 BCl3+Cl2 金屬鎢 CF4/O2 C+F* CF4 等離子體 SiO2+F* SiF4 +O2 BCl3 等離子體 B+Cl* Al+ Cl* AlCl3 C+F* CF4 等離子體 W+F* WF3 等離子刻蝕 半導(dǎo)體加工 秦明 直流輝光放電 ? 典型壓力： 1Torr ? 極間電場： 100V/cm 裂解 e* + AB ? A + B + e 原子離化 e* + A ? A+ + e + e 分子離化 e* + AB ?AB+ + e + e 原子激發(fā) e* + A ?A* + e 分子激發(fā) e* + AB ?AB* + e 半導(dǎo)體加工 秦明 直流輝光放電 ? 極間高壓電弧產(chǎn)生離子和電子 ? 陰極產(chǎn)生二次電子 半導(dǎo)體加工 秦明 射頻放電 ? 直流放電 ?絕緣材料表面由于產(chǎn)生二次電子會(huì)屏蔽電場 ? 交流放電 半導(dǎo)體加工 秦明 刻蝕設(shè)備 半導(dǎo)體加工 秦明 高壓等離子刻蝕 ? 高壓 ?平均自由程 腔體尺寸 ? 刻蝕主要靠化學(xué)作用 ? 少量的 O2加入可以提高 CF4刻蝕速率 ? C+O?CO2 C — F + Si — Si = Si — F + 17kcal/mole 500 mTorr CF4 對(duì) Si 的腐蝕的基本思想是 SiF代替 SiSi： 等離子打破 105kcal/mole 打破能量 半導(dǎo)體加工 秦明 選擇性刻蝕 ? H2加入減少 F，形成富碳等離子。 ?聚焦深度增加 半導(dǎo)體加工 秦明 電子束光刻 ? 波長 ?例 : 30keV, ?= ? 缺點(diǎn) : ?束流大 , 10’ s mA ?產(chǎn)量低 , 10wafers/hr. 半導(dǎo)體加工 秦明 XRay Lithography ? Synchrotron Radiation 23 )()()()()(GeVETBGeVEmrA ???半導(dǎo)體加工 秦明 投影式 X射線光刻 半導(dǎo)體加工 秦明 離子束光刻 半導(dǎo)體加工 秦明 Pt 淀積 半導(dǎo)體加工
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