加工工藝3_xxxx-展示頁
2025-03-10 02:48本頁面
【正文】 秦明 FEA 制造 半導(dǎo)體加工 秦明 納米壓印光刻 半導(dǎo)體加工 秦明 納米壓印光刻 ? 極高分辨率 : 可以形成 10nm的結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體加工 秦明 半導(dǎo)體加工工藝原理 ? 概述 ? 半導(dǎo)體襯底 ? 熱氧化 ? 擴(kuò)散 ? 離子注入 ? 光刻 ? 刻蝕 ? 化學(xué)氣相淀積 ? 物理淀積 ? 外延 ? 工藝集成 ? CMOS ? 雙極工藝 ? BiCMOS 半導(dǎo)體加工 秦明 刻蝕 ? 硅片表面形成光刻膠圖形后，通過刻蝕將圖形轉(zhuǎn)移到 wafer上 ? 干法、濕法等 ? Figure of Merit: ?刻蝕速率 ?均勻性 ?選擇比 ?例： 20 : 1 = polysilicon : silicon oxide 半導(dǎo)體加工 秦明 刻蝕 ? 鉆刻 ? Etch rate anisotropy RL : lateral etch rate RV: vertical etch rate A=0, isotropic etching A=1, anisotropic etching VLRRA ?? 1半導(dǎo)體加工 秦明 腐蝕選擇性 ? S的定義 ? Wet Etching ? S 受化學(xué)溶液 , 濃度和溫度控制 ? RIE ? S受等離子參數(shù)、氣氛、氣壓、流量和溫度影響 的垂直腐蝕速率材料的垂直腐蝕速率材料BASAB ?半導(dǎo)體加工 秦明 刻蝕 ? Physical etching ? Chemical etching 半導(dǎo)體加工 秦明 濕法腐蝕 ? Anisotropy ? 工藝簡單 ? 高選擇比 ? 無襯底損傷 ? 非各向異性 ? 工藝控制差 ? 沾污 半導(dǎo)體加工 秦明 腐蝕過程 ? 1 反應(yīng)劑傳輸?shù)奖砻? ? 2 化學(xué)反應(yīng) ? 3 生成物離開表面 半導(dǎo)體加工 秦明 常見材料的腐蝕 ? SiO2 的腐蝕 ? 6:1 = HF ? Thermal silicon dioxide , 1200 197。 ? 結(jié)構(gòu)： ?串聯(lián)、分支、交聯(lián) ? 光刻膠 ?爆光產(chǎn)生斷鏈 ?正膠 ?爆光產(chǎn)生交聯(lián) ?負(fù)膠 半導(dǎo)體加工 秦明 DQN正膠 ? 感光化合物 DQ ? 基體材料 N 半導(dǎo)體加工 秦明 DQN正膠的典型反應(yīng) ? PAC的氮分子鍵很弱，光照會使其脫離 ? Wolff重組，形成乙烯酮 ? 初始材料不溶于基本溶液 ? PAC為抑制劑。半導(dǎo)體加工 秦明 半導(dǎo)體加工工藝原理 ? 概述 ? 半導(dǎo)體襯底 ? 熱氧化 ? 擴(kuò)散 ? 離子注入 ? 光刻 ? 刻蝕 ? 化學(xué)氣相淀積 ? 物理淀積 ? 外延 ? 工藝集成 ? CMOS ? 雙極工藝 ? BiCMOS 半導(dǎo)體加工 秦明 光刻 ? 將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上 半導(dǎo)體加工 秦明 Lithographc System ? 光刻系統(tǒng)的設(shè)備需要 ? 甩膠機(jī) ? 烘箱或熱板 ? 對準(zhǔn)與暴光機(jī) 對準(zhǔn)機(jī) Aligner3個(gè)性能標(biāo)準(zhǔn) ? 分辨率 : 3σ10%線寬 ? 對準(zhǔn) : ? 產(chǎn)量 半導(dǎo)體加工 秦明 半導(dǎo)體加工 秦明 半導(dǎo)體加工
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