【摘要】半導體材料?半導體材料的發(fā)展簡史?半導體材料的發(fā)展趨勢?半導體材料的分類什么是半導體?按照不同的標準,有不同的分類方式。按固體的導電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導體、半導體和絕緣體。導體、半導體和絕緣體的電阻率范圍材料導體半導體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-03-03 10:05
【摘要】集成電路版圖設計與驗證第三章半導體制造工藝簡介學習目的?(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理?(2)了解集成電路制造工藝?(3)了解COMS工藝流程主要內容??工藝流程?工藝集成?半導體硅原子結構:4個共價鍵,比較穩(wěn)定,沒有明顯的自由電子。
2025-06-16 04:54
【摘要】半導體器件原理與工藝半導體器件原理與工藝?概述?半導體襯底?熱氧化?擴散?離子注入?光刻?刻蝕?薄膜淀積?CMOS半導體器件原理與工藝摻雜摻雜擴散離子注入擴散的基本原理擴散方法擴散層的主要參數(shù)及檢測離子注
2025-04-10 15:11
【摘要】IntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝簡介艾ICProcessFlowCustomer客戶ICDesignIC設計WaferFab晶圓制造WaferProbe晶圓測試Assembly&TestIC封裝測試SMTIC組裝
2025-06-17 23:06
【摘要】哈爾濱工業(yè)大學電工學教研室第11章常用半導體器件返回半導體的導電特性PN結半導體二極管穩(wěn)壓管半導體三極管目錄返回電工和電子科學技術發(fā)展史?一、電學的早期發(fā)展?1.摩
2025-06-29 06:37
【摘要】半導體器件習題-PN結和三極管田野3月14日作業(yè)?1、討論影響共射極電流增益的因素;?2、比較多晶硅發(fā)射極晶體管與擴散晶體管的優(yōu)越性。1、討論影響共射極電流增益的因素??出現(xiàn)在P278表?其中NB、NE為基極、發(fā)射極摻雜濃度DB、
2025-06-23 12:44
【摘要】1預祝各位同學在本門課程的學習中取得優(yōu)異成績!盧健康老師愿為大家學好本門課程盡心盡力!2課程名稱:模擬與數(shù)字電子技術教材:電子技術(電工學II比電工技術難但更有趣)史儀凱主編緒論一、內容體系:1、模擬電子技術(教材第1~5章)重點:第
【摘要】現(xiàn)代半導體器件物理與工藝天津工業(yè)大學光電器件1光電器件現(xiàn)代半導體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices現(xiàn)代半導體器件物理與工藝天津工業(yè)大學光電器件2本章內容?輻射躍遷與光的吸收?發(fā)光二極管?半導體激光?光
2025-03-03 10:23
【摘要】上頁返回1-1電子技術電工學II主講孫媛第一章半導體器件上頁返回1-3第一章半導體器件§半導體的基本知識與PN結§二極管§穩(wěn)壓二極管§雙極結型晶體管§場效晶體管
2025-03-08 01:25
【摘要】第4章對半導體材料的技術要求材料學院徐桂英半導體材料第4章對半導體材料的技術要求?半導體材料的實際應用是以其作出的器件來實現(xiàn)的。?器件對材料的要求總的說來有兩個方面:?一方面是根據(jù)器件的功能來選擇能滿足其性能的材料,這包括材料的能帶結構、晶體結構、遷移率、光學性質等;?另一方面,在材料選定后,要使材料具有
2025-06-23 12:45
【摘要】西安電子科技大學計算機學院吳自力202221第一章半導體器件本章是本課程的基礎,應著重掌握以下要點:(1)半導體的導電特性。(2)PN結的形成及其單向導電性(3)三極管的結構、類型及其電流放大原理(4)三極管的特性及其主要參數(shù)本章內容:§半導體基礎知識§PN結
2025-06-23 12:41
【摘要】noneguilibriumcarriersG-R(非平衡載流子的產生與復合)Chapter5NoneguilibriumCarriers(非平衡載流子)產生率G復合率R如果在外界作用下,平衡條件破壞,偏離了熱平衡的狀態(tài)非平衡狀態(tài)。外界作用光
2025-06-23 12:47
【摘要】化合物半導體材料與器件?輸運:載流子的凈流動過程稱為輸運。?兩種基本輸運體制:漂移運動、擴散運動。?載流子的輸運現(xiàn)象是最終確定半導體器件電流-電壓特性的基礎。?假設:雖然輸運過程中有電子和空穴的凈流動,但是熱平衡狀態(tài)不會受到干擾。?涵義:n、p、EF的關系沒有變化。(輸運過程中特定位置的載流子濃度不發(fā)生變化)?熱運動的速度遠遠超
2025-06-23 06:14
【摘要】第四章光源主要內容半導體物理簡介發(fā)光二極管(LED)半導體激光器(LD)光源的物理基礎半導體物理原子的能級、能帶以及電子躍遷自發(fā)輻射與受激輻射半導體本征材料和非本征材料原子核電子高能級低能級孤立原子的能級圍繞原子核旋轉的電子能量不能任意取值,只能取
2025-06-24 12:40
【摘要】中國科學技術大學物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices1半導體器件原理TheoryofSemiconductorDevices聯(lián)系方式中國科學技術大學物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices2前言半導體器件進展中國科學技術大學物理系
2025-05-31 23:58