半導(dǎo)體封裝工藝介紹-在線瀏覽
2025-06-17 23:06本頁面
【正文】 止外界干擾； ?存放條件：零下 5176。 以下存放，使用之前回溫 24小時 ； 【 Epoxy】 銀漿 Typical Assembly Process Flow FOL/前段 EOL/中段 Plating/電鍍 EOL/后段 Final Test/測試 FOL– Front of Line前段工藝 Back Grinding 磨片 Wafer Wafer Mount 晶圓安裝 Wafer Saw 晶圓切割 Wafer Wash 晶圓清洗 Die Attach 芯片粘接 Epoxy Cure 銀漿固化 Wire Bond 引線焊接 2nd Optical 第二道光檢 3rd Optical 第三道光檢 EOL FOL– Back Grinding背面減薄 Taping 粘膠帶 Back Grinding 磨片 DeTaping 去膠帶 ?將從晶圓廠出來的 Wafer進行背面研磨，來減薄晶圓達到 封裝需要的厚度（ 8mils~10mils）； ?磨片時，需要在正面（ Active Area）貼膠帶保護電路區(qū)域 同時研磨背面。 FOL– 2nd Optical Inspection二光檢查 主要是針對 Wafer Saw之后在顯微鏡下進行 Wafer的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品 。 Die Attach： Placement。 C， 1個小時； N2環(huán)境，防止氧化： Die Attach質(zhì)量檢查： Die Shear（芯片剪切力） FOL– Wire Bonding 引線焊接 ※ 利用高純度的金線（ Au） 、銅線（ Cu）或鋁線（ Al）把 Pad 和 Lead通過焊接的方法連接起來。 W/B是封裝工藝中最為關(guān)鍵的一部工藝。 W/B工藝中最核心的一個 Bonding Tool，內(nèi)部為空心，中間穿上金線，并分別在芯片的 Pad和 Lead Frame的 Lead上形成第一和第二焊點； EFO：打火桿。打火桿打火形成高溫，將外露于 Capillary前端的金線高溫熔化成球形，以便在 Pad上形成第一焊點（ Bond Ball）； Bond Ball：第一焊點。指金線在 Cap的作用下，在 Lead Frame上形成的焊接點，一般為月牙形（或者魚尾形）； W/B四要素：壓力（ Force）、超聲（ USG Power）、時間（ Time）、溫度（ Temperature）； FOL– Wire Bonding 引線焊接 陶瓷的 Capillary 內(nèi)穿金線，并且在 EFO的作用下，高溫?zé)颍? 金線在 Cap施加的一定壓力和超聲的作用下，形成 Bond Ball； 金線在 Cap施加的一定壓力作用下，形成Wedge； FOL– Wire Bonding 引線焊接 EFO打火桿在磁嘴前燒球 Cap下降到芯片的 Pad上，加 Force和 Power形成第一焊點 Cap牽引金線上升 Cap運動軌跡形成良好的 Wire Loop Cap下降到 Lead Frame形成焊接 Cap側(cè)向劃開，將金線切斷，形成魚尾 Cap上提，完成一次動作 F
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