【摘要】半導(dǎo)體封裝業(yè)之作業(yè)流程分析與改善任何企業(yè)為了適應(yīng)日益競爭的環(huán)境,必頇採用適宜的作業(yè)管理系統(tǒng),以達到降低成本、提高效率、準(zhǔn)時交貨、精進品質(zhì)及生產(chǎn)彈性等目的,而作業(yè)管理系統(tǒng)可以運作如宜且發(fā)揮其功效,實有賴於正確地建構(gòu)出該管理系統(tǒng)下各個機能之作業(yè)程序與控制重點(Huguet。Grabot,1995)。PisanoWhee
2025-03-30 08:37
【摘要】第五章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)二極管的單相導(dǎo)電特性特殊二極管三極管的基本結(jié)構(gòu)和電流放大特性場效應(yīng)管簡介電子技術(shù)是利用半導(dǎo)體器件完成對電信號處理的技術(shù)。它包括模擬電子和數(shù)字電子。處理的電信號為連續(xù)變化的信號時,我們使用的電路為模擬電路。處理的信號為不連續(xù)變化、只有在其高低電
2025-06-23 12:43
【摘要】半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展簡史?半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢?半導(dǎo)體材料的分類什么是半導(dǎo)體?按照不同的標(biāo)準(zhǔn),有不同的分類方式。按固體的導(dǎo)電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的電阻率范圍材料導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-03-03 10:05
【摘要】上節(jié)課回顧:半導(dǎo)體激光器的制備流程;半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)要求?機械穩(wěn)定性;?電連接;?散熱問題;以50%電光轉(zhuǎn)換效率計算,一個典型的中等功率50W/bar,腔長為1mm,熱流密度為500W/cm2,電流密度1000A/cm2以每個發(fā)光單元2W,有源區(qū)尺寸1um
2024-09-14 22:29
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段
2025-07-15 20:53
【摘要】第一章微電子工藝概述?微電子工藝是指微電子產(chǎn)品的制作方法、原理、技術(shù)。不同產(chǎn)品的制作工藝不同,且繁瑣復(fù)雜,但可以分解為多個基本相同的小單元,就是單項工藝,不同產(chǎn)品的制作就是將單項工藝按需要排列組合來實現(xiàn)的。?芯片制造半導(dǎo)體器件制作在硅片表面僅幾微米的薄層上,在一片硅片上可以同時制作幾十甚至上百個特定的芯片。?芯片制造涉及五個大的制造
2025-06-24 12:40
【摘要】哈爾濱工業(yè)大學(xué)電工學(xué)教研室第11章常用半導(dǎo)體器件返回半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性PN結(jié)半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓管半導(dǎo)體三極管目錄返回電工和電子科學(xué)技術(shù)發(fā)展史?一、電學(xué)的早期發(fā)展?1.摩
2025-06-29 06:37
【摘要】半導(dǎo)體器件習(xí)題-PN結(jié)和三極管田野3月14日作業(yè)?1、討論影響共射極電流增益的因素;?2、比較多晶硅發(fā)射極晶體管與擴散晶體管的優(yōu)越性。1、討論影響共射極電流增益的因素??出現(xiàn)在P278表?其中NB、NE為基極、發(fā)射極摻雜濃度DB、
2025-06-23 12:44
【摘要】1預(yù)祝各位同學(xué)在本門課程的學(xué)習(xí)中取得優(yōu)異成績!盧健康老師愿為大家學(xué)好本門課程盡心盡力!2課程名稱:模擬與數(shù)字電子技術(shù)教材:電子技術(shù)(電工學(xué)II比電工技術(shù)難但更有趣)史儀凱主編緒論一、內(nèi)容體系:1、模擬電子技術(shù)(教材第1~5章)重點:第
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件1光電器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件2本章內(nèi)容?輻射躍遷與光的吸收?發(fā)光二極管?半導(dǎo)體激光?光
2025-03-03 10:23
【摘要】上頁返回1-1電子技術(shù)電工學(xué)II主講孫媛第一章半導(dǎo)體器件上頁返回1-3第一章半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體的基本知識與PN結(jié)§二極管§穩(wěn)壓二極管§雙極結(jié)型晶體管§場效晶體管
2025-03-08 01:25
【摘要】第4章對半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求材料學(xué)院徐桂英半導(dǎo)體材料第4章對半導(dǎo)體材料的技術(shù)要求?半導(dǎo)體材料的實際應(yīng)用是以其作出的器件來實現(xiàn)的。?器件對材料的要求總的說來有兩個方面:?一方面是根據(jù)器件的功能來選擇能滿足其性能的材料,這包括材料的能帶結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)、遷移率、光學(xué)性質(zhì)等;?另一方面,在材料選定后,要使材料具有
2025-06-23 12:45
【摘要】西安電子科技大學(xué)計算機學(xué)院吳自力202221第一章半導(dǎo)體器件本章是本課程的基礎(chǔ),應(yīng)著重掌握以下要點:(1)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。(2)PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦裕?)三極管的結(jié)構(gòu)、類型及其電流放大原理(4)三極管的特性及其主要參數(shù)本章內(nèi)容:§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識§PN結(jié)
2025-06-23 12:41
【摘要】noneguilibriumcarriersG-R(非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合)Chapter5NoneguilibriumCarriers(非平衡載流子)產(chǎn)生率G復(fù)合率R如果在外界作用下,平衡條件破壞,偏離了熱平衡的狀態(tài)非平衡狀態(tài)。外界作用光
2025-06-23 12:47
【摘要】化合物半導(dǎo)體材料與器件?輸運:載流子的凈流動過程稱為輸運。?兩種基本輸運體制:漂移運動、擴散運動。?載流子的輸運現(xiàn)象是最終確定半導(dǎo)體器件電流-電壓特性的基礎(chǔ)。?假設(shè):雖然輸運過程中有電子和空穴的凈流動,但是熱平衡狀態(tài)不會受到干擾。?涵義:n、p、EF的關(guān)系沒有變化。(輸運過程中特定位置的載流子濃度不發(fā)生變化)?熱運動的速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超
2025-06-23 06:14