場(chǎng)效應(yīng)管放大電路ppt課件-展示頁(yè)
2025-01-21 10:38本頁(yè)面
【正文】 29 ? (1)夾斷電壓 VP ? 由式 ()和圖 ，當(dāng) vGS＝ 0時(shí)，－ vDS＝ VP 。 ? 2. 轉(zhuǎn)移特性 ?如 圖 。此區(qū)， iD 基本不受 vGS 和 vDS的控制。 ?① Ⅰ 區(qū)為可變電阻區(qū)，此區(qū)， iD受 vGS的控制。 ? P溝道 JFET工作時(shí)，其電源極性與 N溝道JFET的電源極性相反，工作原理基本相同。 PV2022年 2月 9日星期三 第四章 25 ? ② JFET是電壓控制電流器件， iD受 vGS的控制。 2022年 2月 9日星期三 第四章 23 2022年 2月 9日星期三 第四章 24 ?分析表明：在 0vDS (預(yù)加斷之前 )時(shí)， iD與 vDS呈線性關(guān)系；當(dāng) vDS Vp(預(yù)加斷 )之后， iD 趨于飽和， vDS再增加， iD 變化不大。因此，改變柵源電壓vGS可得一族曲線，如圖 。所以， iD基本上不隨 vDS 增加而上升 ,漏極電流趨于飽和。 2022年 2月 9日星期三 第四章 21 ? 但由于夾斷處場(chǎng)強(qiáng)也增大，仍能將電子拉過夾斷區(qū) (實(shí)即耗盡層 )，形成漏極電流，這和 NPN型 BJT在集電結(jié)反偏時(shí)仍能把電子拉過耗盡區(qū)基本上是相似的。 ?當(dāng) vGS ≠0時(shí)，在預(yù)夾斷點(diǎn) A處 VP與 vGS、 vDS之間有如下關(guān)系： vGD = vGS vDS＝ VP () 2022年 2月 9日星期三 第四章 20 ?圖 ，對(duì)應(yīng)于圖 iD達(dá)到了飽和漏極電流 IDSS， IDSS下標(biāo)中的第二個(gè) S表示柵源極間短路的意思。當(dāng)兩耗盡層在 A點(diǎn)相遇時(shí) (圖 )，稱為預(yù)夾斷，此時(shí)， A點(diǎn)耗盡層兩邊的電位差用夾斷電壓VP來描述。但在 vDS較小時(shí)，導(dǎo)電溝道靠近漏端區(qū)域仍較寬，這時(shí)阻礙的因素是次要的，故 iD隨 vDS 升高幾乎成正比地增大，構(gòu)成如圖 (圖 FET的輸出特性，其定義見 )的上升段。 ? b. 但隨著 vDS 逐漸增加，由于 溝道 自漏到源存在著 電位梯度 ，耗盡層也愈向 N型半導(dǎo)體中心擴(kuò)展，使靠近漏極處的導(dǎo)電溝道比靠近源極要窄，導(dǎo)電溝道呈楔形，如圖 所示。 2022年 2月 9日星期三 第四章 14 ? (2) vDS對(duì) iD的 影響 ?如圖 。 PV［轉(zhuǎn) 13］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 12 2022年 2月 9日星期三 第四章 13 ? 上述分析表明：改變 vGS的大小，可以有效的控制溝道電阻 (寬度 )的大小。 ［轉(zhuǎn) 11］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 10 2022年 2月 9日星期三 第四章 11 ? c. 當(dāng) vGS的絕對(duì)值進(jìn)一步增大到某一定值 時(shí)，兩側(cè)耗盡層將在中間合攏，溝道全部被夾斷，如 圖 。 ? a. vDS＝ 0， 導(dǎo)電溝道不變，如 圖 。 2022年 2月 9日星期三 第四章 9 ?因此，討論 JFET的工作原理就是討論 vGS對(duì) iD的控制作用和 vDS對(duì) iD的影響。 ? N溝道 JFET 工作時(shí)， vGS0，使兩 PNJ反偏，柵流 iG≈0， FET呈 現(xiàn)高達(dá) 107Ω以上的高輸入電阻。 ? P溝道 JFET的結(jié)構(gòu)示意圖如 圖 。 2022年 2月 9日星期三 第四章 4 JFET ? JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 ? 1. 結(jié)構(gòu) ? N溝道 JFET的結(jié)構(gòu)示意圖如 圖 (a)所示。 ?分 類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 (JFET)、金屬 氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 2022年 2月 9日星期三 第四章 3 ?特點(diǎn)：只有一種載流子參與導(dǎo)電 (電子或空穴 )。2022年 2月 9日星期三 第四章 1 4 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 引 言 2022年 2月 9日星期三 第四章 2 ?場(chǎng)效應(yīng)管 (FET)的特點(diǎn)： 體積小、重量輕、耗電省、壽命長(zhǎng)；輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡(jiǎn)單。 ?主要用途：大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路。 ?本節(jié)要掌握的主要內(nèi)容： ?了解 FET的結(jié)構(gòu)、基本工作原理、特性曲線、主要參數(shù)、基本放大原理。圖 (b)為其電路符號(hào)， 圖 (c)為實(shí)際的 N溝道 JFET的結(jié)構(gòu)剖面圖。 2022年 2月 9日星期三 第四章 5 2022年 2月 9日星期三 第四章 6 2022年 2月 9日星期三 第四章 7 2022年 2月 9日星期三 第四章 8 2. 工作原理 ? 以 N溝道 JFET為例，分析 JFET的工作原理。 vDS0,使 N溝道中的多數(shù)載流子 (電子 )在電場(chǎng)的作用下，由源極向漏極運(yùn)動(dòng)，形成iD， iD 的大小受 vGS的控制。 ? (1) vGS對(duì) iD的控制作用 ?
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