mos場(chǎng)效應(yīng)管放大電路-展示頁(yè)
2025-08-03 19:03本頁(yè)面
【正文】 MOSFET的工作點(diǎn)， Q3增強(qiáng)型 MOSFET的工作點(diǎn)。 ? 而 )( SDDQDDDSQ RRIVU ???三、場(chǎng)效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)分析 ? 場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)等效模型 ? 共源放大電路的分析 ? 共漏放大電路的分析 ? 共柵放大電路的分析 場(chǎng)效應(yīng)管的低頻小信號(hào)等效模型 ? 與晶體管模型的導(dǎo)出相類似， iD是 uGS 和 uDS的函數(shù)： ? iD=f(uGS， uDS） ? 研究動(dòng)態(tài)信號(hào)時(shí)用全微分表示： 場(chǎng)效應(yīng)管的低頻小信號(hào)等效模型 ? 定義： ? 當(dāng)信號(hào)較小時(shí)，管子的電壓、電流僅在 Q點(diǎn)附近變化，可以認(rèn)為是線形的， gm與 rds近似為常數(shù)，用有效值表示： dsdsgsmd UrUgI1??場(chǎng)效應(yīng)管的低頻小信號(hào)等效模型 ? 由此式可畫(huà)出場(chǎng)效應(yīng)管的低頻小信號(hào)等效模型： ? 可見(jiàn)場(chǎng)效應(yīng)管的低頻小信號(hào)等效模型比晶體管還要簡(jiǎn)單。由于 gm是輸出回路電流與輸入回路電壓之比，所以稱為跨導(dǎo)。 場(chǎng)效應(yīng)管的低頻小信號(hào)等效模型 ? 由于 rds的值很大，可以忽略，得到簡(jiǎn)化的等效模型： 場(chǎng)效應(yīng)管的低頻小信號(hào)等效模型 ? 對(duì)增強(qiáng)型 MOS管，可用電流方程求出 gm的表達(dá)式： DDOthGSUthGSGSthGSDOUGSDmDODthGSGSthGSGSDODiIUUuUIuigIiUuUuIiDSDS)()()()(2)(2)1(2]1[]1[??????????場(chǎng)效應(yīng)管的低頻小信號(hào)等效模型 ? 增強(qiáng)型 MOS管在小信號(hào)作用時(shí)，可用 IDQ代替 iD，得出： DQDOthGSm IIUg)(2?場(chǎng)效應(yīng)管的低頻小信號(hào)等效模型 ? 對(duì)耗盡型 MOS管，同樣可用電流方程作類似的推導(dǎo)求出 gm的表達(dá)式，電流方程和推導(dǎo)如下： DDSSo f fGSUo f fGSGSo f fGSDSSUGSDmDSSDo f fGSGSo f fGSGSDSSDiIUUuUIuigIiUuUuIiDSDS)()()()(2)(2)1(2]1[]1[????????????場(chǎng)效應(yīng)管的低頻小信號(hào)等效模型 ? 耗盡型 MOS管在小信號(hào)作用時(shí)，可用 IDQ代替 iD，得出： DQD S So f fGSm IIUg)(2??場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型 ? 場(chǎng)效應(yīng)管各極之間同樣也存在電容，因而其高頻響應(yīng)與晶體管類似。 共源放大電路的分析 LmgsLDgsmuLDgsmORgURRUgARRUgU????????????)//()//(共源放大電路的分析 ? 如果有信號(hào)源內(nèi)阻 RS時(shí)： ?
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