場效應(yīng)管放大電路ppt課件-展示頁
2025-03-31 06:18本頁面
【正文】 )( TGSDS VVV ??即 dDDDDS RIVV ??DSTGSnD )( vv VKI ?? 2假設(shè)工作在飽和區(qū) 滿足 )(TGSDS VVV ??假設(shè)成立 ， 結(jié)果即為所求 。 3. VI 特性曲線及大信號(hào)特性方程 （ 1）輸出特性及大信號(hào)特性方程 c o n s t .DSD GS)( ?? vvfi② 可變電阻區(qū) vDS≤（ vGS－ VT） ] )([ DSDSTGSnD 22 vvv ??? VKi由于 vDS較小，可近似為 DSTGSnD )( vv VKi ?? 2常數(shù)??GSDDSd s ovvdidr)( TGSn VK ?? v21 rdso是一個(gè)受 vGS控制的可變電阻 3. VI 特性曲線及大信號(hào)特性方程 （ 1）輸出特性及大信號(hào)特性方程 ② 可變電阻區(qū) DSTGSnD )( vv VKi ?? 2)( TGSnd s o VKr ?? v21?n ：反型層中電子遷移率 Cox ：柵極 （ 與襯底間 ） 氧化層單位面積電容 本征電導(dǎo)因子 oxn39。 2. 工作原理 （ 2） vDS對(duì)溝道的控制作用 在預(yù)夾斷處： vGD=vGSvDS =VT 預(yù)夾斷后， vDS? ?夾斷區(qū)延長 ?溝道電阻 ? ?ID基本不變 2. 工作原理 （ 2） vDS對(duì)溝道的控制作用 2. 工作原理 （ 3） vDS和 vGS同時(shí)作用時(shí) vDS一定， vGS變化時(shí) 給定一個(gè) vGS ，就有一條不同的 iD – vDS 曲線。 當(dāng) vGS VT 時(shí) 在電場作用下產(chǎn)生導(dǎo)電溝道， d、 s間加電壓后，將有電流產(chǎn)生。 金屬 氧化物 半導(dǎo)體（ MOS）場效應(yīng)管 結(jié)型場效應(yīng)管（ JFET） * 砷化鎵金屬 半導(dǎo)體場效應(yīng)管 各種放大器件電路性能比較 MOSFET放大電路 金屬 氧化物 半導(dǎo)體（ MOS）場效應(yīng)管 結(jié)型場效應(yīng)管（ JFET） * 砷化鎵金屬 半導(dǎo)體場效應(yīng)管 各種放大器件電路性能比較 MOSFET放大電路 P溝道 耗盡型 P溝道 P溝道 N溝道 增強(qiáng)型 N溝道 N溝道 （耗盡型） FET 場效應(yīng)管 JFET 結(jié)型 MOSFET 絕緣柵型 (IGFET) 耗盡型 ：場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時(shí)，就有導(dǎo)電溝道存在 增強(qiáng)型 ：場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時(shí)，沒有導(dǎo)電溝道 場效應(yīng)管的分類： 金屬 氧化物 半導(dǎo)體（ MOS）場效應(yīng)管 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET MOSFET的主要參數(shù) N溝道耗盡型 MOSFET P溝道 MOSFET 溝道長度調(diào)制效應(yīng) N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 1. 結(jié)構(gòu) （ N溝道） L ：溝道長度 W ：溝道寬度 tox ：絕緣層厚度 通常 W L N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 剖面圖 1. 結(jié)構(gòu) （ N溝道） 符號(hào) N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 2. 工作原理 （ 1） vGS對(duì)溝道的控制作用 當(dāng) vGS≤0 時(shí) 無導(dǎo)電溝道， d、 s間加電壓時(shí)，也無電流產(chǎn)生。 當(dāng) 0vGS VT 時(shí) 產(chǎn)生電場，但未形成導(dǎo)電溝道（感生溝道）， d、 s間加電壓后，沒有電流產(chǎn)生。 vGS越大，導(dǎo)
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