場效應(yīng)管放大器ppt課件-展示頁
2025-05-16 00:12本頁面
【正文】 DSVfi ?? )(－ 1 － 2 － 3 － 4 － 5 VGS ID IDSS VP 輸入電壓 VGS對輸出漏極電流 ID的控制 ΔID ΔVGS 轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率， gm 的大小反映了 VGS對 ID的控制作用。由于 VGD=VGSVDS, 故 vGS越負(fù) ，對應(yīng)的 V(BR)DS就越小。 恒流區(qū) DVD SI( m A )( V )vG S= 0 V 1 V 2 V 3 V 4 V 5 V可變電阻區(qū) 恒流區(qū) 夾斷區(qū) （ 3）夾斷區(qū)： 用途： 做無觸點(diǎn) 電子開關(guān) 。 DVD SI( m A )( V )vG S= 0 V 1 V 2 V 3 V 4 V 5 V可變電阻區(qū) （ 2）恒流區(qū)： (又稱飽和區(qū)或放大區(qū)） VV PGS ?條件 : ② 漏端溝道予夾斷 ① 源端溝道未夾斷 D S G S PV V V??? ?21 VvIi PGSD S SD ??② 恒流性：輸出電流 i D 基本上不受輸出電壓 v DS 的影響。 2)管壓降 vDS 很小。 電阻 增 大，使 VDS增加不能使漏極也增大， 漏極電流 iD 趨于飽和 。 由于 漏源間有一電位梯度 VDS 漏端耗盡層所受的反偏電壓為 VGD=VGSVDS 源端耗盡層所受的反偏電壓為 VGD=VGS 漏端的耗盡層比源端的耗盡層厚，使溝道呈楔形。 當(dāng) VDS繼續(xù)增加時(shí)，預(yù)夾斷區(qū)向源極方向伸長 。 加入 UGS使 溝道 變窄 ， 該類型效應(yīng)管稱為耗盡型 漏源電壓 VDS對 iD的影響 隨 VDS增大，這種不均勻性越明顯。 DS間相當(dāng)于線性電阻。 N溝道 P溝道 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 （耗盡型） FET 場效應(yīng)管 JFET 結(jié)型 MOSFET 絕緣柵型 (IGFET) ： N 基底 ： N型半導(dǎo)體 P P 兩邊是 P區(qū) G柵極 S源極 D漏極 結(jié)構(gòu) : 導(dǎo)電溝道 PN結(jié) 結(jié)型場效應(yīng)管 : P 溝道結(jié)型場效應(yīng)管 D G S N溝道結(jié)型場效應(yīng)管 D G S 符號： DGSNP PDGSPN NDGSNP P二、工作原理（以 N溝道為例） 當(dāng) UDS= 0 V時(shí)： UGS * 若加入 UGS 0,PN結(jié)反偏， 耗盡層變厚 * 若 UGS = 0,溝道較寬，溝道電阻小 溝道變窄，溝道電阻增大 * 若 UGS = VP （夾斷電壓）時(shí) 溝道夾斷，溝道電阻很大 |UGS|越大 ,則耗盡區(qū)越寬，導(dǎo)電溝道越窄。 (3) 體積小、耗電少、壽命長等優(yōu)點(diǎn)， (4) 輸入電阻高、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、 噪聲低、制造工藝簡單、 便于集成 等特點(diǎn)。第 5章 場效應(yīng)管及其基本放大電路 場效應(yīng)管 1. 特點(diǎn) : (1)導(dǎo)電能力由 電壓控制 的半導(dǎo)體器件。
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