第4章場效應(yīng)管放大電路-展示頁
2024-10-15 17:22本頁面
【正文】 vGS下降而減少 , iD受 vGS 的控制。 特點(diǎn) : vGS越負(fù)，耗盡層越寬，漏源間的電阻越大，輸出曲線越傾斜。 此時： vDS=vGSVP vDS再加大， vGDVP (vDS vGSVP) 耗盡層兩邊相接觸的長度 增加， iD基本上不隨 vDS的 增加而上升，漏極電流趨于 飽和 —飽和區(qū)，恒流區(qū)。 N d g s N d g s 耗盡層 iD 7 ∵ vGD=vGSvDS vDS ↑， vGD↓ 當(dāng) vGD=VP時， 靠近 D端兩邊的耗盡層 相接觸 —預(yù)夾斷 。 vDS不為 0時， 耗盡層變成鍥型。 對 N溝道， vGS 減小，溝道電阻增大， iD 減小。 2 結(jié)型場效應(yīng)管 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 1. 結(jié)構(gòu) : N d g s 高攙雜的 P型區(qū) . N溝道 JEFT的示意圖 N型導(dǎo)電溝道 符號 g d s 對于 N溝道 JEFT 工作于放大狀態(tài)， vGS0. vDS0 g—柵極， s—源極， d—漏極 3 P d g s 高攙雜的N型區(qū) . P型導(dǎo)電溝道 P溝道 JEFT的示意圖 對于 P溝道 JEFT 工作于放大狀態(tài)， vGS 0. vDS 0 g d s 符號 4 2. 工作原理 (1) vGS對 iD的控制作用 vGS=0 VpvGS0 vGS≦ VP 耗盡層兩側(cè)剛剛合攏，溝道全部 夾斷時的 vGS稱為夾斷電壓 VP N P d g s N g d s N s g d 先設(shè)： vDS=0 5 vGS 對溝道的影響： 改變 vGS 的大小，可以有效的控制耗盡層的寬度，從而改變溝道電阻的大小。 絕緣柵型 場效應(yīng)管 (MOSFET) 根據(jù)溝道性質(zhì)分為： N溝道 。 優(yōu)點(diǎn)： 輸入電阻非常高 (高達(dá) 107~1015歐姆 )， 噪聲低，熱穩(wěn)定性好， 抗輻射能力強(qiáng)，工藝簡單，便于集成。1 第四章 場效應(yīng)管放大電路 BJT的缺點(diǎn)：輸入電阻較低 , 溫度特性差。 場效應(yīng)管 (FET)：利用電場效應(yīng)控制其電流的半導(dǎo)體器件。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為： 結(jié)型 場效應(yīng)管 (JFET)。 P溝道 根據(jù)偏壓為零時溝道能否導(dǎo)電分為： 耗盡型，增強(qiáng)型 場效應(yīng)管工作時，只有一種極性的載流子參與導(dǎo)電， 所以場效應(yīng)管又稱為 單極型晶體管 。 若在漏源極間加上固定的正向電壓，則 漏極流向源極的電流 iD 將受 vGS 的控制 。 vDS=0時，耗盡層均勻 6 (2) VDS 對 iD 的影響 設(shè)： vGSVP且不變 vDS=0， 耗盡層均勻 vGSVp vGDVp ：溝道呈電阻性， iD隨 vDS升高幾乎成正比例的增加。 vDS增加，鍥型的斜率加大。 iD達(dá)到了最大值 IDSS。 N d g s N g d s
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