第3章場效應(yīng)管及其基本放大電路-展示頁
2024-10-10 19:08本頁面
【正文】 3）預(yù)夾斷 (UGD = UGS(th))： 漏極附近反型層消失。 預(yù)夾斷發(fā)生之前： uDS? iD?。 模 擬 電 子 技 術(shù) uDS 對 iD的影響 (uGS UGS(th)) DS 間的電位差使溝道呈楔形 ， uDS?，靠近漏極端的溝道厚度變薄 。 UDS對導電溝道的影響 a） 若 UDS較小，溝道形狀變化不大，ID將隨 UDS的增大而線性增大； b） 若 UDS繼續(xù)增大，漏極附近的溝道將進一步變薄。 模 擬 電 子 技 術(shù) 2)UGS、 UDS共同作用時的情況 當 UGSUGS(TH)以后，由于 UDS的作用，沿溝道產(chǎn)生了電位梯度，使靠近漏極附近的電壓 UGD（ =UGSUDS）小于源極附近的電壓UGS，漏極附近的電場減弱，反型層變薄，使溝道變?yōu)樾ㄐ汀? 結(jié)論： UGS 對導電溝道的影響是溝道是平行變化的。 模 擬 電 子 技 術(shù) 1)uGS 對導電溝道的影響 (uDS = 0) a. 當 UGS = 0 ， DS 間為兩個背對背的 PN 結(jié)； b. 當 0 UGS UGS(th)(開啟電壓 )時， GB 間的垂 直電場吸引 P 區(qū)中電子形成離子區(qū) (耗盡層 )； c. 當 uGS ? UGS(th) 時，襯底中電子被吸引到表面， 形成導電溝道。 227。 171。 171。只有當 UGS具有一定的極性且達到一定數(shù)值后，才開始有 ID存在。加上適當極性的 UGS， ID就逐漸減小。它們的區(qū)別僅在于半導體表面的絕緣層所用的物質(zhì)不同。它利用柵源電壓的大小，改變半導體表面感生電荷的多少，從而控制 ID的大小 ，其輸入電阻更高，可達 1012—— 1015 Ω。 尤其是溫度增高時 ， 反向飽和電流增大 ，輸入電阻將下降 。但這一電阻實質(zhì)上是 PN結(jié)的反偏電阻 。 模 擬 電 子 技 術(shù) 3. 轉(zhuǎn)移特性和輸出特性 UGS(off) 當 UGS(off) ? uGS ? 0 時 , 2G S ( o ff )GSD S SD )1( UuIi ??uGS iD IDSS uDS iD uGS = – 3 V – 2 V – 1 V 0 V – 3 V O O 模 擬 電 子 技 術(shù) MOS 場效應(yīng)管 MOS 場效應(yīng)管（絕緣柵場效應(yīng)管 ） N溝道絕緣柵場效應(yīng)管 P溝道絕緣柵場效應(yīng)管 增強型 耗盡型 增強型 耗盡型 模 擬 電 子 技 術(shù) ? 結(jié)型場效應(yīng)管的 不足之處 ：結(jié)型場效應(yīng)管是利用 PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制 ， 來改變導電溝道的寬窄 ，從而控制漏極電流的大小 。即 iD幾乎僅僅決定于 UGS，而與 UDS無關(guān)。 ? 導電溝道預(yù)夾斷后， UDS增大 iD幾乎不變。 模 擬 電 子 技 術(shù) 綜上所述： ? 導電溝道預(yù)夾斷前， UDS增大 iD增大，漏源間呈現(xiàn)電阻特性。模 擬 電 子 技 術(shù) 第三章 場效應(yīng)管 引 言 結(jié)型場效應(yīng)管 場效應(yīng)管的主要參數(shù) MOS 場效應(yīng)管 場效應(yīng)管電路小信號等效電路分析法 場效應(yīng)管放大電路的組態(tài) 模 擬 電 子 技 術(shù) 引 言 場效應(yīng)管 FET (Field Effect Transistor) 類型： 結(jié)型 JFET (Junction Field Effect Transistor) 絕緣柵型 IGFET(Insulated Gate FET) 模 擬 電 子 技
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