場(chǎng)效應(yīng)管放大電路ppt課件(參考版)
2025-03-25 06:18本頁面
【正文】 已知 ，mS 18m ?g ，100?? 試求電路的中頻增益、輸入電阻和輸出電。 為什么 JFET的輸入電阻比 BJT高得多？ ? JFET柵極與溝道間的 PN結(jié)是反向偏置的，因 此 iG?0，輸入電阻很高。 ? JFET是電壓控制電流器件， iD受 vGS控制。 此時(shí) vDS ? 夾斷區(qū)延長(zhǎng) ? 溝道電阻 ? ? ID基本不變 ? 2. 工作原理 （以 N溝道 JFET為例） ③ vGS和 vDS同時(shí)作用時(shí) 當(dāng) VP vGS0 時(shí)，導(dǎo)電溝道更容易夾斷， 對(duì)于同樣的 vDS ， ID的值比 vGS=0時(shí)的值要小。 2. 工作原理 （以 N溝道 JFET為例） ② vDS對(duì)溝道的控制作用 當(dāng) vGS=0時(shí)， vDS? ? ID ? G、 D間 PN結(jié)的反向電壓增加，使靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，從上至下呈楔形分布。 PN結(jié)反偏 耗盡層加厚 溝道變窄。 VDD=5V， VT=1V， MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 （ 2）帶源極電阻的 NMOS共源極放大電路 2)( TGSnD VVKI ??飽和區(qū) 需要驗(yàn)證是否滿足 )(TGSDS VVV ??SGGS VVV ??)(2 dDDDDS RRIVV ???])([ SSSSDDg2g1g2 VVVRRR ????)( SSD VRI ?? MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 靜態(tài)時(shí) ， vI＝ 0， VG ＝ 0， ID ＝ I 電流源偏置 VS ＝ VG － VGS 2TGSnD )( VVKI ?? （ 飽和區(qū) ） MOSFET放大電路 2. 圖解分析 由于負(fù)載開路，交流負(fù)載線與直流負(fù)載線相同 MOSFET放大電路 3. 小信號(hào)模型分析 2TGSnD )( VKi ?? v 2TgsG S Qn )( VVK ??? v 2gsTG S Qn ])[( v??? VVK2gsngsTG S Qn2TG S Qn )(2)( vv KVVKVVK ?????（ 1）模型 DQI? gsmvg? 2gsnvK?靜態(tài)值 （直流） 動(dòng)態(tài)值 （交流） 非線性失真項(xiàng) 當(dāng) ， vgs 2(VGSQ VT )時(shí)， DQD Ii ? gsmvg? dDQ iI ?? MOSFET放大電路 3. 小信號(hào)模型分析 （ 1）模型 DQD Ii ? gsmvg? dDQ iI ??gsmd vgi ???0時(shí) 高頻小信號(hào)模型 3. 小信號(hào)模型分析 解：例 求得： ?I V2G SQ ?V S Q ?VV/mA1 V/mA)12( )(2 TG S Qnm??????? VVKg（ 2）放大電路分析 （例 ） s 3. 小信號(hào)模型分析 （ 2）放大電路分析 （例 ） dgsmo Rg vv ??)1()( mgsgsmgsi RgRg ???? vvvvRgRgAmdmio1 ???? vvvg2g1i // RRR ?do RR ?SiiSiioSos RRRAA???? ?? vv vvvvvvs 3. 小信號(hào)模型分析 （ 2）放大電路分析 （例 ） )
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