場效應(yīng)管放大電路ppt課件(參考版)
2025-01-17 13:09本頁面
【正文】 ，?? k 1ber例題 ?gsm1Vg ??iV? ?gsV? 2gsm1 RVg ??bI? bI?? bI????oV? cgsm1cb RVgRIβ ?? ????MVA?2m1cm11 RgRg????gi RR ?co RR ??? M 5則電壓增益為 sgi RRR ????ioVV??由于 則 ?? k 20sosM VVAV ??? ?iosiVVVV???? ??Misi VARRR ???? 2 8M ??? VA?end 根據(jù)電路有 。 VDD=5V， VT=1V， MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 （ 2）帶源極電阻的 NMOS共源極放大電路 2)( TGSnD VVKI ??飽和區(qū) 需要驗證是否滿足 )(TGSDS VVV ??SGGS VVV ??)()( dDSSDDDS RRIVVV ????])([ SSSSDDg2g1g2 VVVRRR ????)( SSD VRI ?? MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 靜態(tài)時 ， vI＝ 0， VG ＝ 0， ID ＝ I 電流源偏置 VS ＝ VG － VGS 2TGSnD )( VVKI ?? （ 飽和區(qū) ） MOSFET放大電路 2. 圖解分析 由于負(fù)載開路，交流負(fù)載線與直流負(fù)載線相同 MOSFET放大電路 3. 小信號模型分析 2TGSnD )( VKi ?? v 2TgsG S Qn )( VVK ??? v 2gsTG S Qn ])[( v??? VVK2gsngsTG S Qn2TG S Qn )(2)( vv KVVKVVK ?????（ 1）模型 DQI? gsmvg? 2gsnvK?靜態(tài)值 （直流） 動態(tài)值 （交流） 非線性失真項 當(dāng) ， vgs 2(VGSQ VT )時， DQD Ii ? gsmvg? dDQ iI ?? MOSFET放大電路 3. 小信號模型分析 （ 1）模型 DQD Ii ? gsmv
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