x射線光電子譜(xps)x-rayphotoelectr-文庫(kù)吧資料
2025-02-11 03:37本頁(yè)面
【正文】 知道對(duì)于處于環(huán)境為 1和 2的某種原子有： 216。XPS ?? XPS中的化學(xué)位移 v化學(xué)位移216。eV。選用 Ar2p3/2譜線對(duì)荷電能量位移進(jìn)行校正的效果良好。 Ar具有極好的化學(xué)穩(wěn)定性，適合于濺射后和深度剖面分析，且操作簡(jiǎn)便易行。216。另外，金可能會(huì)與某些材料反應(yīng)，公布的C1s譜線的結(jié)合能也有一定的差異。216。在實(shí)際的工作中，一般選用 (CH2)n中的 C1s峰， (CH2)n一般來(lái)自樣品的制備處理及機(jī)械泵油的污染。XPS ?? X射線光電子譜儀的能量校準(zhǔn)v荷電效應(yīng) 內(nèi)標(biāo) 法 在處理荷電效應(yīng)的過(guò)程中，人們經(jīng)常采用內(nèi)標(biāo)法。內(nèi)標(biāo) 法 測(cè)試時(shí)用低能電子束中和試樣表面的電荷，使Ec，216。216。實(shí)際工作中必須采取有效的措施解決荷電效應(yīng)所導(dǎo)致的能量偏差。荷電電勢(shì)的大小同樣品的厚度、 X射線源的工作參數(shù)等因素有關(guān)。荷電效應(yīng)的來(lái)源主要是樣品的導(dǎo)電性能差。XPS ?? X射線光電子譜儀的能量校準(zhǔn)v荷電效應(yīng) 荷電效應(yīng)還會(huì)使譜鋒展寬、畸變，對(duì)分析結(jié)果產(chǎn)生一定的影響。XPS ?? X射線光電子譜儀的能量校準(zhǔn)v荷電效應(yīng) 荷電效應(yīng)將使樣品出現(xiàn)一穩(wěn)定的表面電勢(shì) VS，它對(duì)光電子逃離有束縛作用。用 XPS測(cè)定絕緣體或半導(dǎo)體時(shí)，由于光電子的連續(xù)發(fā)射而得不到足夠的電子補(bǔ)充，使得樣品表面出現(xiàn)電子 “虧損 ”，這種現(xiàn)象稱為 “荷電效應(yīng) ”。XPS ?? X射線光電子譜儀的能量校準(zhǔn)v荷電效應(yīng) ?????M4NNL3MMCu4f7/2AgK?Cu Al?????PdAEIES200BXPS ?? X射線光電子譜儀的能量校準(zhǔn)v能量坐標(biāo)標(biāo)定 PdAEIES200?LMM,EKEB， EF3d5/2Cu3pAu 216。216。216。 Pt,XPS ?? X射線光電子譜儀的能量校準(zhǔn)v能量零點(diǎn) 216。216。216。XPS ?? X射線光電子譜儀的能量校準(zhǔn)v能量零點(diǎn) 216。X射線光電子譜儀的能量校準(zhǔn)工作是經(jīng)常性的，一般地說(shuō)，每工作幾個(gè)月或半年，就要重新校準(zhǔn)一次。一臺(tái)工作正常的 X射線光電子譜儀應(yīng)是經(jīng)過(guò)能量校準(zhǔn)的。216。 216。216。 對(duì)于孤立原子，軌道結(jié)合能的定義為把一個(gè)電子從軌道移到核勢(shì)場(chǎng)以外所需的能量，即以 “自由電子能級(jí) ”為基準(zhǔn)的。在用 XPS測(cè)定內(nèi)層電子結(jié)合能與理論計(jì)算結(jié)果進(jìn)行比較時(shí)，必須有一共同的結(jié)合能參照基準(zhǔn)。XPS ?? X射線光電子譜基本原理v結(jié)合能參照基準(zhǔn) 考慮相對(duì)論校正SCF理論方法直接計(jì)算方法2sKoopmans定理 子 1s 2s 3p 3s 3p 3d 4sMgAlSiPSClArKTiMnCuXPS ?? X射線光電子譜基本原理v絕熱近似 原 如考慮這兩項(xiàng)的影響，準(zhǔn)確的理論計(jì)算公式為 其中： Erelat和 Ecorr分別為相對(duì)論效應(yīng)和電子相關(guān)作用對(duì)結(jié)合能的校正，一般小于 Erelax。 216。表示按絕熱近似求得的結(jié)合能 。因弛豫過(guò)程與光電子發(fā)射同時(shí)進(jìn)行，所以加速了光電子的發(fā)射，提高了光電子動(dòng)能。 216。 絕熱近似認(rèn)為，電子從內(nèi)殼層出射，結(jié)果使原來(lái)體系的平衡勢(shì)場(chǎng)破壞，離子處于激發(fā)態(tài)。實(shí)測(cè)的 XPS譜是同電離體系的終態(tài)密切相關(guān)的， Koopmans定理所假設(shè)的離子軌道凍結(jié)狀態(tài)是不存在的。XPS ?? X射線光電子譜基本原理v絕熱近似 因?yàn)楹雎粤穗婋x后終態(tài)的影響，這種方法只適用于閉殼層體系。Koopmans定理使某軌道電子結(jié)合能 EB的求取變成計(jì)算該軌道電子波函數(shù)本征值而與終態(tài)無(wú)關(guān)，使計(jì)算簡(jiǎn)化。表示 EaSCF用Koopmans定理確定的 (n, l, j)軌道電子結(jié)合能。 XPS ?? X射線光電子譜基本原理v突然近似 216。體系受激出射光電子后，原穩(wěn)定的電子結(jié)構(gòu)受到破壞，這時(shí)體系處于何種狀態(tài)、如何求解狀態(tài)波函數(shù)及本征值遇到了很大的理論處理困難。X射線光電子能譜的理論依據(jù)就是 Einstein的光電子發(fā)射公式，在實(shí)際的 X射線光電子譜分析中，不僅用 XPS測(cè)定軌道電子結(jié)合能，還經(jīng)常用量子化學(xué)方法進(jìn)行計(jì)算，并將二者進(jìn)行比較。線射 半峰高寬是評(píng)定某種 X射線單色性好壞的一個(gè)重要指標(biāo)。 除在一般的分析中人們所經(jīng)常使用的 Al/Mg雙陽(yáng)極 X射線源外，人們?yōu)槟承┨厥獾难芯磕康?，還經(jīng)常選用一些其他陽(yáng)極材料作為激發(fā)源。 X射線的單色性越高，譜儀的能量分辨率也越高。XPS ?? X射線光電子譜儀vX射線光電子譜儀216。216。216。靶能量 (eV) 相對(duì)強(qiáng)度 能量 (eV) 相對(duì)強(qiáng)度K?1 K?2 K?’ K?3 K?4 K?5 K?6 K? XPS ?? X射線光電子譜儀vX射線光電子譜儀216。X射線Mg XPS ?? X射線光電子譜儀 vX射線光電子譜儀XPS ?? X射線光電子譜儀vX射線光電子譜儀216。即其中為真空能級(jí)算起的結(jié)合能 ?SP和 ?S分別是譜儀和樣品的功函數(shù) 是被入射光子所激發(fā)出的光電子的動(dòng)能。為光子的頻率，
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