x射線光電子能譜分析-文庫吧資料
2025-01-07 01:40本頁面
【正文】 對 多種元素中的某一元素濃度 ：注意：（ 1）不適用非均勻樣品；（ 2）對過渡金屬，不同的化學(xué)狀態(tài)有不同的原子靈敏度因子；（ 3）上式的誤差 1020% X射線光電子能譜的應(yīng)用射線光電子能譜的應(yīng)用 表面元素全分析 1. 表面元素全分析的目的 了解樣品表面的 元素組成 ，考察譜線之間 是否存在相互干擾 ，并 為獲取窄區(qū)譜（高分辨譜）提供能量設(shè)置范圍 的依據(jù)。這種現(xiàn)象稱為 “靜電效應(yīng) ”，也稱為 “荷電效應(yīng) ”。對絕緣體，會在表面帶正電，導(dǎo)致光電子的動能降低，結(jié)合能升高。 光電子能譜儀實驗技術(shù)光電子能譜儀實驗技術(shù)3. XPS峰強度的經(jīng)驗規(guī)律（ 1）主量子數(shù)小的殼層 的峰比主量子數(shù)大 的峰強；（ 2）同一殼層，角量子 數(shù)大者峰強； （ 3） n和 l都相同者， j大 者峰強。（ 2） 背底或伴峰 ：如光電子 (從產(chǎn)生處向表面 )輸 送過程中因非彈性散射 (損失能量 )而產(chǎn)生的 能量損失峰， X射線源的強伴線產(chǎn)生的伴 峰，俄歇電子峰等。 結(jié)合能比動能更能反應(yīng)電子的殼層結(jié)構(gòu)（能級結(jié)構(gòu)），216。 縱坐標(biāo)：相對強度（ CPS）。因在記錄譜圖所必需的時間內(nèi)，殘留氣體會吸附到樣品表面上，甚至有可能和樣品發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而影響電子從樣品表面上發(fā)射并產(chǎn)生外來干擾譜線。電子進入器件后在通道內(nèi)連續(xù)倍增，增益可達 109 光電子能譜儀實驗技術(shù)光電子能譜儀實驗技術(shù)減少電子在運動過程中同殘留氣體分子發(fā)生碰撞而損失信號強度。 筒鏡式電子能量分析器 同軸圓筒，外筒接負(fù)壓、內(nèi)筒接地，兩筒之間形成靜電場； 靈敏度高、分辨率低； 光電子能譜儀實驗技術(shù)光電子能譜儀實驗技術(shù)3. 檢測器 用電子倍增器檢測電子數(shù)目。（ 2）類型 光電子能譜儀實驗技術(shù)光電子能譜儀實驗技術(shù)216。 光電子能譜儀實驗技術(shù)光電子能譜儀實驗技術(shù)2. 電子能量分析器（ 1）作用：探測樣品發(fā)射出來的不同能量電子的相對強度。在 X射線光電子能譜中 最重要的兩個 X射線源是 Mg和 Al的特征K?射線 . 光電子能譜儀實驗技術(shù)光電子能譜儀實驗技術(shù) 雙陽極 X射線 源示意圖 要獲得高分辨譜圖和減少伴峰的干擾，可以采用射線單色器來實現(xiàn)。 光電子能譜儀實驗技術(shù)光電子能譜儀實驗技術(shù)1．Ｘ射線激發(fā)源 XPS中最常用的 X射線源主要由燈絲、柵極和陽極靶構(gòu)成。216。 UPS采用 16~41ev的真空光電子作激發(fā)源。 XPS采用能量為 1000~1500ev 的射線源，能激發(fā)內(nèi)層電子。商品譜儀中將這些激發(fā)源組裝在同一個樣品室中，成為一個多種功能的綜合能譜儀。 與氧化態(tài)關(guān)系 光電子能譜儀實驗技術(shù)光電子能譜儀實驗技術(shù) 光電子能譜儀的結(jié)構(gòu) 電子能譜儀主要由 激發(fā)源 、 電子能量分析器 、探測電子的 監(jiān)測器 和 真空系統(tǒng) 等幾個部分組成。 XPS的基本原理的基本原理216。因而元素的價態(tài)改變或周圍元素的電負(fù)性改變，則內(nèi)層電子的結(jié)合能改變。n 右下角的分?jǐn)?shù)代表內(nèi)量子數(shù) j l— 為角量子數(shù)， l = 0, 1, 2, 3 ……, XPS的基本原理的基本原理注意 : 在 XPS譜圖中自旋－軌道偶合作用的結(jié)果，使l不等于 0（非 s軌道）的電子在 XPS譜圖上出現(xiàn) 雙峰 ，而 S軌道 上的電子沒有發(fā)生能級分裂，所以在 XPS譜圖中只有 一個峰 。 XPS的基本原理的基本原理 XPS譜圖分析中原子能級的表示方法 XPS譜圖分析中原子能級的表示用兩個數(shù)字和一個小字母表示。 XPS的基本原理的基本原理（ 2） XPS信息深度 樣品的探測深度通常用電子的逃逸深度度量。 XPS的基本原理的基本原理2. 光電離幾率和 XPS的信息深度（ 1）光電離幾率 n 定義
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