x射線光電子能譜分析-wenkub.com
2025-01-01 01:40 本頁面
【正文】 因此 O1S的結(jié)合能越大意味著酸量越少，酸強(qiáng)度增大。 有機(jī)物界面反應(yīng)u 方法：測反應(yīng)前后某一元素結(jié)合能的變化。 b: 。 振激峰的強(qiáng)度隨輻射劑量的增加而明顯下降。 X射線光電子能譜的應(yīng)用射線光電子能譜的應(yīng)用252。u 例 1 紫外光對(duì)聚丙烯酸甲酯的降解 X射線光電子能譜的應(yīng)用射線光電子能譜的應(yīng)用 X射線光電子能譜的應(yīng)用射線光電子能譜的應(yīng)用u 例 2：聚偏氯乙烯降解反應(yīng)隨時(shí)間的變化 X射線光電子能譜的應(yīng)用射線光電子能譜的應(yīng)用216。 例子（課本 P386） 功能陶瓷中 Ti, Pb, La的相對(duì)含量 X射線光電子能譜的應(yīng)用射線光電子能譜的應(yīng)用（ 4）化學(xué)結(jié)構(gòu)分析 依據(jù)： 原子的化學(xué)環(huán)境與化學(xué)位移之間的關(guān)系； 羰基碳上電子云密度小， 1s電子結(jié)合能大（動(dòng)能?。环鍙?qiáng)度比符合碳數(shù)比 。 X射線光電子能譜的應(yīng)用射線光電子能譜的應(yīng)用（ 3） 材料表面不同元素之間的定量216。 方法u 對(duì)試樣做 XPS分析，得到窄區(qū)譜。（ 2）與全譜相比，它的掃描時(shí)間長，通過的能 量小，掃描步長也小，這樣有利于提高測 試的分辨率。 光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù)光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù)2. 校正方法 (1) 外標(biāo)法（最常用） C 1s結(jié)合能： eV 若荷電效應(yīng)在實(shí)驗(yàn)過程中不穩(wěn)定，則實(shí)驗(yàn)前后各掃一次 C 1s譜，取平均值。 光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù)光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù) XPS的能量校正1. 靜電效應(yīng) 在樣品測試過程中，光電子不斷從表面發(fā)射，造成表面電子 “虧空 ”，對(duì)金屬樣品，通過傳導(dǎo)來補(bǔ)償。 結(jié)合能與激發(fā)光源的能量無關(guān) 光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù)光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù)2. 譜峰、背底或伴峰（ 1） 譜峰 ： X射線光電子入射，激發(fā)出的彈性散 射的光電子形成的譜峰，譜峰明顯而尖銳。298K吸附一層氣體分子所需時(shí)間 104Pa時(shí)為 1秒； 107Pa時(shí)為1000秒 光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù)光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù) 光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù)光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù) 樣品的制備 光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù)光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù) XPS譜圖的表示 1. XPS譜圖的表示 橫坐標(biāo)：動(dòng)能或結(jié)合能，單位是 eV，一般以結(jié)合能 為橫坐標(biāo)。 電子倍增器是一種采用連續(xù)倍增電極表面的靜電器件，內(nèi)壁具有二次發(fā)射性能。它必須在高真空條件下工作，壓力要低于 105帕，以便盡量減少電子與分析器中殘余氣體分子碰撞的幾率。 X射線源的 主要指標(biāo) 是 強(qiáng)度 和 線寬 ，一般采用 K?線，因?yàn)樗?X射線發(fā)射譜中強(qiáng)度最大的。 與 X射線相比能量較低，只能使原子的價(jià)電子電離，用于研究價(jià)電子和能帶結(jié)構(gòu)的特征。電子能譜常用激發(fā)源 光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù)光電子能譜儀實(shí)驗(yàn)技術(shù)216。 與元素電負(fù)性的關(guān)系 三氟乙酸乙酯 電負(fù)性： FOCH 4個(gè)碳元素所處化學(xué)環(huán)境不同； XPS的基本原理的基本原理 XPS的基本原理的基本原理216。 XPS的基本原理的基本原理 化學(xué)位移1. 定義 由于化合物結(jié)構(gòu)的變化和元素氧化狀態(tài)的變化引起譜峰有規(guī)律的位移稱為化學(xué)位移2. 化學(xué)位移現(xiàn)象起因及規(guī)律（ 1）原因 內(nèi)層電子一方面 受到原子核強(qiáng)烈的庫侖作用而具有一定的結(jié)合能 ，另一方面又 受到外層電子的屏蔽作用 。 電子逃逸深度 ?（ Ek）：逸出電子非彈性散射的平 均自由程； ?：金屬 ~3nm；氧化物 2~4nm ； 有機(jī)和高分子 4~10nm ； 通常：取樣深度 d = 3? ； XPS的基本原理的基本原理3. XPS的特點(diǎn) 在實(shí)驗(yàn)時(shí)樣品表面受輻照損傷小，能檢測周期表中除 H 和 He
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1