x射線光電子譜(xps)x-rayphotoelectr-閱讀頁
2025-02-17 03:37本頁面
【正文】 析一樣， XPS分析也是利用已出版的 XPS手冊。216。其中有些是 XPS中所固有的，是永遠可以觀察到的；有些則依賴于樣品的物理、化學(xué)性質(zhì)。光電子譜線 但是，由于與價電子的耦合， 純金屬 的 XPS譜也 可能 存在明顯的不對稱 。XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 216。高結(jié)合能端弱峰的線寬一般比低結(jié)合能端的譜線寬 1~4絕緣體的譜線一般比導(dǎo)體的譜線寬 XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 Auger譜線： 在 XPS中，可以觀察到 KLL,MNN和 NOO四個系列的 Auger線。因為 Auger電子的動能是固定的，而 X射線光電子的結(jié)合能是固定的，因此，可以通過改變激發(fā)源 (如 Al/Mg雙陽極 X射線源 )的方法，觀察峰位的變化與否而識別 Augar電子峰和 X射線光電子峰。XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 X射線的伴峰： X射線一般不是單一的特征 X射線，而是還存在一些能量略高的小伴線，所以導(dǎo)致 XPS中，除 K?1,2所激發(fā)的主譜外，還有一些小的半峰。XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 X射線 “鬼峰 ” ： 有時，由于 X射源的陽極可能不純或被污染，則產(chǎn)生的 X射線不純。 RadiationAnode(L?)Mg(K?)XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 震激和震離線： 在光發(fā)射中， 因內(nèi)層形成空位，原子中心電位發(fā)生突然變化將引起外殼電子躍遷， 這時有兩種可能： (a)若外層電子躍遷到更高能級，則稱為電子的震激 (shakeup)； (b)若外層電子躍過到非束縛的連續(xù)區(qū)而成為自由電子，則稱為電子的震離 (shakeoff)。 Ne的震激和震離過程的示意圖 Cu的 2p譜線及震激結(jié)構(gòu) 216。 Mn+離子的 3s軌道電離時的兩種終態(tài) MnF2的 Mn3s電子的 XPS譜 216。216。 eV時，非彈性散射的主要方式是激發(fā)固體中自由電子的集體振蕩，產(chǎn)生等離子激元。XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 一般XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的識別 216。O是經(jīng)常出現(xiàn)的，所以首先識別 C,O的其他類型的譜線。利用 X射線光電子譜手冊中的各元素的峰位表確定其他強峰，并標出其相關(guān)峰，注意有些元素的峰可能相互干擾或重疊。XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的識別 216。在此步，一般假設(shè)這些峰是某些含量低的元素的主峰。 確認識別結(jié)論。d,等雙峰線，其雙峰間距及峰高比一般為一定值。對于 p峰，特別是 4p線，其強度比可能小于 1:2。XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 216。識別化合態(tài)的主要方法就是測量 X射線光電子譜的峰位位移。對于半導(dǎo)體、絕緣體，在測量化學(xué)位移前應(yīng)首先決定荷電效應(yīng)對峰位位移的影響。XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 光電子峰 216。216。 元素化學(xué)狀態(tài)的變化有時還將引起譜峰半峰高寬的變化。XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 光電子峰 S的 2p峰在不同化學(xué)狀態(tài)下的結(jié)合能值 XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 光電子峰 XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 Auger線 216。216。216。 XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 Auger線 216。216。XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 Auger線 216。Ag及其化合物的二維化學(xué)狀態(tài)圖 XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 伴峰 216。XPS ?? XPS分析方法v定量分析 216。 f0為 X射線強度， ?為原子密度， ?K為 K層微分電離截面， Ω為立體接收角， T為檢測效率， ?為電子的平均自由程。 XPS ?? XPS分析方法v定量分析 設(shè) f0為常數(shù)，有效接收面積為 A，光電子平均出射方向與樣品表面夾角為 ?，入射光和出射光電子方向的夾角為 ?，則可得到以下特定條件下譜線強度的表達式。 XPS ?? XPS分析方法v定量分析 襯 底：167。一級原理模型–半無限襯底表面吸附少量氣體，其覆蓋度 1。167。覆蓋層：?‘覆蓋層內(nèi)的電子逸出深度， ?’為覆蓋層的原子平均密度 XPS ?? XPS分析方法v定量分析 同 AES中的靈敏度因子法相似。XPS中一般以譜峰面積計算，不計入背散射效應(yīng)。XPS分析中，定量分析的方法與 AES的定量方法基本相似，如標樣法，校正曲線法等，大同小異。XPS ?? XPS分析方法v小面積 XPS分析 216。由于 X射線源產(chǎn)生的 X射線的線度小至 mm左右，使 XPS的空間分辨能力大大增加，使得 XPS也可以成像，并有利于深度剖面分析。XPS ?? XPS分析總結(jié)v基本原理： 光電效應(yīng)v基本組成： 真空室、 X射線源、電子能量分析器v輔助組成： 離子槍v主要功能： 成分分析、化學(xué)態(tài)分析v采譜方法： 全譜、高分辨率譜v分析方法： 定性分析、定量分析謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1