光電子經(jīng)典-閱讀頁
2025-01-10 13:38本頁面
【正文】 after lithography and etch for different triangular lattice designs.248nm DUV lithography on SOI SOI photonic crystals for 1550nm ： periods ： 400－ 500nm hole sizes： 160－ 300nm.PCS 制備工藝PBG限制波導(dǎo) PCS 特性特性PCS 特性特性PBG限制波導(dǎo)－微腔耦合PC微腔復(fù)用 /解復(fù)用器 PCS 應(yīng)用研究進展應(yīng)用研究進展PC濾波器 PCS 應(yīng)用研究進展應(yīng)用研究進展 共面 PC諧振腔 PCS 應(yīng)用研究進展應(yīng)用研究進展1563 nm 1609 nmLcavity=6?m, Q=400微腔耦合波導(dǎo)激光器( CALTECH ) ( MIT ) PCS 應(yīng)用研究進展應(yīng)用研究進展光子晶體微腔激光器HCL:H2O=4:1 wet chemical etch4 % Compressively Strained InGaAsP QWsSlab thichness: 10nm QWs separated by 23nm barriersLattice constant: ? = 550nm, Radius of the holes: d=215nmCentral defect cavity: 19 holesPMMA—Electronbeam lithographyCrCu layer—Ar + ion beam etchSiN2 layer—CF 4 reactive ion etchInP SubstrateInGaAsP QWs region—ECR etch PCS 應(yīng)用研究進展應(yīng)用研究進展光子晶體微腔激光器 PCS 應(yīng)用研究進展應(yīng)用研究進展光子晶體微腔激光器 PCS 應(yīng)用研究進展應(yīng)用研究進展光子晶體光子晶體（ 三維 ） 制備工藝制備工藝 半導(dǎo)體光刻工藝 ? Waves of certain? can not enter intoor propagate through the materials.ModeldWSi ddddayz(a)(b)(c)(d)(e) bFabrication ExampleSi / SiO2?? gap= 14 % ? 0,center? = ?m 制備工藝制備工藝 溶膠－凝膠（ Solgel)法 SiSubstrateSubstrate微球尺度 855nm?％－ SiO2 Opals ( 模板 ) 制備Th80oC65oC 制備工藝制備工藝 溶膠－凝膠（ Solgel)法 － Si inverted opals 制備550oCSubstrateSubstrateSubstrateLPCVD 制備工藝制備工藝 (111) surface2層 4層 16層a. 透射譜： — 理論 — 實驗b. 理論計算的光子能帶空氣球大?。? (a, b): 1mm, (c, e): 670nm 制備工藝制備工藝 (100) surfacec. 理論計算的光子能帶 b. 反射譜： — 841nm, — 1070nm空氣球大?。? (d, f) : 855mm(c )(d) Patterned photonic crystals with high aspect ratiosDoping and patterning Si photonic crystals(b) 在大面晶體中刻進 100?m 光子晶體環(huán) (a) 在 Si 光子晶體中引入填隙缺陷 制備工藝制備工藝 應(yīng)用研究應(yīng)用研究 量子信息處理光電子學(xué)的未來《 光電子技術(shù)及應(yīng)用 》 課程的講義參考了： 姚敏玉教授的 《 激光原理 》 講義 劉小明教授的 《 光電子技術(shù)基礎(chǔ) 》 講義 董毅副教授的 《 光通信 》 講義 鄭小平副教授的 《 光纖傳感技術(shù) 》 講義 感謝：光電子學(xué)的未來謝 謝謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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