【正文】 ，右修正板上 3：左右修正板皆上　 ：蒸著速率設(shè)定，0:固定功率，以第三段預(yù)融功率蒸著 18. Den：石英振盪器之膜材密度設(shè)定 ：石英振盪器之Zero Factor設(shè)定3) 一般新機(jī)臺(tái)掃瞄組存於PLC內(nèi)，使用者透過(guò)人機(jī)介面設(shè)定；若PLC人機(jī)無(wú)此設(shè)定功能，必需透過(guò)”電子鎗掃瞄設(shè)定”將此資料存於電腦系統(tǒng)中，以供呼叫利用?！彪娮渔j組態(tài)設(shè)定”點(diǎn)選，再按下”顯示資料”即可進(jìn)入電子鎗參數(shù)設(shè)定，設(shè)定完成後，按下”確定”鍵即可儲(chǔ)存設(shè)定值並離開(kāi)，若只是查詢參數(shù)，直接按下”取消”即可離開(kāi)，任意修改不會(huì)被儲(chǔ)存。有的系統(tǒng)版本沒(méi)有提供此項(xiàng)功能。有的系統(tǒng)版本沒(méi)有提供此項(xiàng)功能。若設(shè)為0，就沒(méi)有鍍後資料可參考。1：表示記錄資料。 1 表自動(dòng)洩?dú)猓? 則否。單圈旋轉(zhuǎn)之監(jiān)控片機(jī)構(gòu)未必有提供模式1的轉(zhuǎn)換型式，依實(shí)際系統(tǒng)而定。1：監(jiān)控片位置設(shè)定採(cǎi)用相對(duì)位置，如設(shè)定位置為6，現(xiàn)在位置在16的位置，監(jiān)控片就會(huì)轉(zhuǎn)到22的位置。*高折射低功率限制: 設(shè)定高折射膜材最小功率限制，適用於有設(shè)定蒸著速率的情況下，若有異常發(fā)生，造成速率偵測(cè)過(guò)大，也還能維持最小功率值鍍完膜層。:*高折射高功率限制: 設(shè)定高折射膜材最大功率限制，適用於有設(shè)定蒸著速率的情況下，以免調(diào)節(jié)過(guò)大，造成坩堝的破壞。值大調(diào)節(jié)快，但不可過(guò)大，以免產(chǎn)生調(diào)節(jié)振盪。適用於有設(shè)定蒸著速率的情況下。*高折射材料: 設(shè)定蒸鍍時(shí)，自動(dòng)調(diào)節(jié)高折射膜材蒸著速率快慢。:*氧流量調(diào)節(jié): 設(shè)定蒸鍍時(shí)，自動(dòng)調(diào)節(jié)氧流量之快慢值。 適用於定真空模式(模式3)。 適用於定氧流量模式(模式4)。設(shè)定此值需合乎系統(tǒng)實(shí)際蒸著流量與壓力關(guān)係，設(shè)小沒(méi)有保護(hù)作用，設(shè)大會(huì)動(dòng)不動(dòng)就有警報(bào)出現(xiàn)。*低真空限制: 設(shè)定鍍膜時(shí)低真空限制，單位為105Toor，若蒸著中，系統(tǒng)壓力大於此設(shè)定值超過(guò)五秒就會(huì)出現(xiàn)異常警報(bào)訊息。2) 參數(shù)說(shuō)明: :*取樣平均數(shù):*雜訊判斷值(%):*雜訊平均數(shù): 以上三值只對(duì)光學(xué)膜厚監(jiān)控有效，若使用者對(duì)系統(tǒng)不是很瞭解的話，強(qiáng)烈建議使用內(nèi)定值，不要任意更改。 製程組態(tài)設(shè)定1) 將游標(biāo)移至”製程監(jiān)控”224。石英膜厚監(jiān)控之補(bǔ)層會(huì)自動(dòng)換層，無(wú)需設(shè)定。有的版本無(wú)此選項(xiàng)功能，監(jiān)控片內(nèi)定不會(huì)轉(zhuǎn)動(dòng)，若有需要須手動(dòng)切換。 *: 若進(jìn)入之補(bǔ)層是監(jiān)控片的第一層且尚未鍍過(guò)，確認(rèn)現(xiàn)在監(jiān)控片是否用過(guò)，若用過(guò)則選擇”是(Yes)”，反之選”否(No)”。 *: 設(shè)定進(jìn)入層是否自動(dòng)換層，若是選擇”是(Yes)”，反之選”否(No)”。4) 參數(shù)說(shuō)明: *: 設(shè)定進(jìn)入補(bǔ)層之層數(shù) *: 要進(jìn)入補(bǔ)的那一層若未鍍過(guò)，而且監(jiān)控片是新的監(jiān)控片時(shí)，選擇”是(Yes)”，反之選”否(No)”。2) 什麼時(shí)機(jī)會(huì)用到補(bǔ)層蒸著程序呢？一般製程正常的話，只要點(diǎn)選”自動(dòng)蒸著”，就可順利完成鍍膜製程，但製程中若有異?；驙顩r發(fā)生，迫使蒸著製程必要中斷的話，就必要利用”補(bǔ)層蒸著”由中斷層進(jìn)入蒸著，完成整個(gè)鍍膜程序，否則只有報(bào)廢。2. 修正板就定位3. 監(jiān)控片位置定位確認(rèn)4. 坩堝位置定位確認(rèn)5. 通氧確認(rèn)6. 石英條件確認(rèn)7. 膜藥預(yù)融8. 參考光量確認(rèn)(光學(xué)膜厚監(jiān)控)或石英膜厚確認(rèn)是否歸零(物理膜厚監(jiān)控)9. 打開(kāi)電子鎗遮板，進(jìn)行蒸著10. 即時(shí)監(jiān)控膜厚與蒸著條件，達(dá)設(shè)定膜厚即關(guān)閉電子鎗與遮板，進(jìn)入 下層，重複19之動(dòng)作 補(bǔ)層蒸著1) 將游標(biāo)移至”製程監(jiān)控”224。 2) 進(jìn)入膜層蒸著程序一般有下列之程序，由於系統(tǒng)與版本的差異，設(shè)定動(dòng)作或許先後有點(diǎn)差別或缺某些動(dòng)作，但皆應(yīng)在遮板打開(kāi)前完成。有必要可按”省略”鍵直接進(jìn)入，需退出直接按下”放棄”鍵即可。、監(jiān)控片位置或是否自動(dòng)洩?dú)馓崾究颍瑒?wù)必詳加確認(rèn)。，若有問(wèn)題，會(huì)出現(xiàn)一些訊息或無(wú)法進(jìn)入蒸著，可利用硬體測(cè)試作逐項(xiàng)測(cè)試，進(jìn)而排除故障點(diǎn)。大致所要滿足的條件如下: (***.tfc)是否選擇正確，有對(duì)話框出現(xiàn)，請(qǐng)操作者確認(rèn)。 自動(dòng)蒸著 1) 將游標(biāo)移至”製程監(jiān)控”224。每一訊息框可獨(dú)立放大、縮小或關(guān)閉，是不會(huì)影響自動(dòng)蒸著程序，若關(guān)掉其中某一訊息框，可點(diǎn)選相對(duì)應(yīng)之下拉功能鍵將其顯示出來(lái)，如關(guān)閉監(jiān)控波長(zhǎng)訊息，將游標(biāo)移至”製程監(jiān)控”224。2) 與蒸著製程監(jiān)控的相關(guān)參數(shù)有製程組態(tài)參數(shù)、電子鎗參數(shù)、電極參數(shù)、電子鎗掃瞄參數(shù)與離子源參數(shù)等等，若系統(tǒng)中沒(méi)有提供某項(xiàng)設(shè)定功能，則此功能列呈現(xiàn)反白。2) 此比率值需做膜材測(cè)試、量測(cè)、計(jì)算方可得知。提醒使用者需事先由檔案功能開(kāi)啟所要修改之製程檔?！辟Y料轉(zhuǎn)換”點(diǎn)選，即出現(xiàn)如圖 ，點(diǎn)選路徑及所要轉(zhuǎn)換的薄膜設(shè)計(jì)檔檔名，再按下”開(kāi)啟”鍵，就會(huì)出現(xiàn)如圖 。尤其膜層愈多顯現(xiàn)的效率愈好。若使用者對(duì)製程未分析或膜厚有所改變的話，此功能就會(huì)反白，提省使用者注意，必需再經(jīng)分析，才可獲得正確的監(jiān)控波長(zhǎng)以供選擇?！北O(jiān)控波長(zhǎng)選取”點(diǎn)選，即出現(xiàn)如圖 。若使用者對(duì)製程未分析或膜厚有所改變的話，此功能就會(huì)反白，提省使用者注意?！蹦げ姆治鼋Y(jié)果”點(diǎn)選，即出現(xiàn)如圖 。若要增加或減少資料筆數(shù)，可從功能選項(xiàng)裡的增加資料及刪除資料來(lái)進(jìn)行。 3)要修改膜材之NK值,可直接點(diǎn)”材料編輯”224。 *02刪除膜材資料: ，將滑鼠點(diǎn)選所要移除的膜材(呈現(xiàn)反藍(lán)) ，再點(diǎn)選”功能”選項(xiàng)裡的”刪除膜材材料”，按是即可刪除，反之按否。此畫(huà)面之功能鍵提供了增加膜材與刪除膜材資料功能。 膜材檔資料1) 將游標(biāo)移至”製程分析”224?！憋@示資料”，便可進(jìn)行資料修改。(需注意刪除路徑檔名是否正確)。2) *01新增基材資料: ”功能”選項(xiàng)點(diǎn)選”增加基材材料”，鍵入所要基材名稱，按下OK即可完。此畫(huà)面之功能鍵提供了增加基材與刪除基材資料功能。 基材檔資料 1) 將游標(biāo)移至”製程分析”224。1) 起始波長(zhǎng)與終止波長(zhǎng)是分析波長(zhǎng)之開(kāi)始(最短波長(zhǎng))與截止(最長(zhǎng)波長(zhǎng))，而起始校正波長(zhǎng)與終止校正波長(zhǎng)是光譜量測(cè)系統(tǒng)校正波長(zhǎng)，此四個(gè)參數(shù)與光譜系統(tǒng)是相關(guān)的，無(wú)法更改的，也不允許更改。 分析檔參數(shù)設(shè)定將游標(biāo)移至”製程分析”224。如果是認(rèn)定前次所選不是很恰當(dāng)?shù)脑?，就另?dāng)別論。 ?在監(jiān)控波長(zhǎng)可能出現(xiàn)不同數(shù)量的回頭點(diǎn)時(shí)，儘可能選在參考波長(zhǎng)附近那一條。 ?選取有回頭點(diǎn)之監(jiān)控波長(zhǎng)，其最後一段穿透率變化量需大於 % 以上。選取所需監(jiān)控波長(zhǎng)，鍵盤(pán)↑↓鍵或用滑鼠點(diǎn)選↑↓可切換膜層，選至最後一層時(shí)，點(diǎn)選儲(chǔ)存鍵即可儲(chǔ)存，若按取消鍵，就不會(huì)儲(chǔ)存新選擇之監(jiān)控波長(zhǎng)。*監(jiān)控波長(zhǎng)選擇，可移動(dòng)鍵盤(pán)→←鍵或用滑鼠點(diǎn)選224。3) 需重新分析的情況 ˙膜層總數(shù)有所變更˙蒸著材料有所變更˙膜厚有所變更˙比率有所改變˙監(jiān)控片組成有所變更*經(jīng)分析完成後，會(huì)產(chǎn)生膜層堆疊之光譜圖以供參考，點(diǎn)擊右上角之上下鍵，即可觀察每一層堆疊情況。 膜層分析1) 在新建立製程檔、舊製程檔資料有所更改，或材料檔有所變更的情況下，則需要重新分析，方能產(chǎn)生正確的監(jiān)控波長(zhǎng)，供操作者選擇利用。*: 設(shè)定膜層蒸著所需離子鎗資料編碼，其相關(guān)編號(hào)內(nèi)容，參考離子鎗資料設(shè)定檔。若設(shè)為 0，就表示此保護(hù)功能無(wú)效。*: 設(shè)定膜層蒸著最大時(shí)間，若膜層大於此設(shè)定時(shí)間未能完成，就會(huì)出現(xiàn)警報(bào)，等待處裡。若設(shè)為 0，就表示此保護(hù)功能無(wú)效。*:設(shè)定膜層蒸著最小時(shí)間，若膜層小於此設(shè)定時(shí)間完成，就會(huì)出現(xiàn)警報(bào)，等待處裡。有一個(gè)以上的回頭點(diǎn)，但第一段光變化量過(guò)小，易造成實(shí)際光量變化小於雜訊設(shè)定，務(wù)必將此值設(shè)定為1，才不會(huì)造成永無(wú)回頭的情況，%，就設(shè)為1，但還是依實(shí)際情況而定。一般正常情況下(%)，此值設(shè)為0，沒(méi)有什麼問(wèn)題。*:每一層之等待真空度(需到達(dá)此真空度以下，才進(jìn)入執(zhí)行此層所設(shè)定之工作如融藥、蒸著…) ，其真空度單位:E5 Toor，如設(shè) 8 表示 Torr。真空度單位: E5 Torr 如設(shè) 8 表 Torr。*:若通氧方式設(shè)0 時(shí),不理會(huì)此設(shè)定值。3:真空度控制，與方式1類(lèi)似，差別在膜層蒸著結(jié)束後直接換層，氧流量維持沒(méi)有歸零的動(dòng)作，適用於有離子助鍍之膜層。 2:直接設(shè)定氧流量(SCCM)。 1:真空度控制，電腦會(huì)自動(dòng)調(diào)節(jié)氧流量來(lái)符合所設(shè)定之真空度。*:設(shè)定膜層蒸著所需電子鎗資料編碼，其相關(guān)編號(hào)內(nèi)容參考電子鎗資料設(shè)定檔。 *:設(shè)定鍍膜材料所在之坩堝位置。*:設(shè)定膜層監(jiān)控片位置，依設(shè)計(jì)所需設(shè)定。如:方法: 21 表用 1 號(hào)電極、光學(xué)膜厚監(jiān)控、自動(dòng)切換膜層。個(gè)位數(shù):4:石英膜厚監(jiān)控，自動(dòng)切換膜層，膜層是否完成，判斷與切換由電腦自動(dòng)控制。個(gè)位數(shù):2:時(shí)間控制換層，蒸著時(shí)間設(shè)定於相對(duì)應(yīng)之膜厚資料欄。 編碼以十位數(shù)(xx)表之十位數(shù):0或空白 表示該層使用電子鎗1十位數(shù):1 表示該層使用電子鎗2(雙鎗設(shè)備)十位數(shù):2 表示該層使用 1 號(hào)電極十位數(shù):3 表示該層使用 2 號(hào)電極 個(gè)位數(shù):0:光學(xué)膜厚監(jiān)控、手動(dòng)切換膜層，操作者需根據(jù)光譜，自行判斷何時(shí)換層。所以監(jiān)控膜厚實(shí)為 膜厚x比率。若是光學(xué)膜厚監(jiān)控(方法:x1 or x0)，則是光學(xué)膜厚，單位:QWOT，1/4 波長(zhǎng)之厚度為1(QWOT)；若是石英振盪監(jiān)控(方法:x4)，則是物理膜厚，單位: kA(千埃) ， 1 A= nm(奈米)；若為時(shí)間控制(方法:x2)，設(shè)定值為時(shí)間，單位:秒；若是離子鎗清潔(Clean)設(shè)定(方法:3)時(shí)，設(shè)定值為時(shí)間，單位:秒。 *:可按右邊小箭頭拉下視窗選擇此層要鍍的膜材，此膜材資料是透過(guò)”膜材檔資料”所建立。設(shè)定值0:表示石英振盪片維持原位置，製程中不會(huì)轉(zhuǎn)動(dòng)更換；設(shè)定值1～6:表示製程使用設(shè)定值位置之石英振盪片，製程中不會(huì)轉(zhuǎn)動(dòng)更換；其他設(shè)定值(大於6):表示製