【正文】 製程石英膜厚訊息 蒸著製程蒸著速率訊息 蒸著製程氧氣流量訊息 蒸著製程真空訊息 蒸著製程鍍藥預(yù)融 手動蒸著1) “自動蒸著”與”補(bǔ)層蒸著”功能提供了實際鍍膜蒸著的進(jìn)入點。3) 蒸著製程訊息含狀態(tài)訊息、廣波域訊息、監(jiān)控波長訊息、石英膜厚訊息、蒸著速率訊息、氧氣流量訊息、真空訊息與鍍藥預(yù)融等等，在不同的蒸著條件下，系統(tǒng)會自動出現(xiàn)不同的訊息圖框，即時顯示蒸著狀況，以利使用者隨時掌握?！闭糁u程監(jiān)控波長訊息”點選，即可顯示出監(jiān)控波長訊息框，非必要，請勿任意關(guān)閉自動顯示之訊息框?！弊詣诱糁秉c選，即可進(jìn)入自動蒸著，在實際啟動電子鎗蒸著前，需滿足製程所設(shè)定之條件與參數(shù)，否則無法進(jìn)行實際蒸著。，分析資料檔(***.mit)是否讀取正確，有對話框出現(xiàn)，請操作者確認(rèn)。，若無法正確讀取，會出現(xiàn)警報訊息，提醒操作者注意，請排解確認(rèn)後再重新進(jìn)入。 滿足了上面的條件即可初始化一些硬體動作，待完成後，就可進(jìn)入鍍膜製程設(shè)定的第一層，往下就進(jìn)入了自動蒸著程序，除非有問題或設(shè)定有手動操作程序，否則直到製程完了，不需任何手動操作。1. 等待膜層設(shè)定之等待真空，或許未設(shè)定?！毖a(bǔ)層蒸著”點選，即可進(jìn)入補(bǔ)層蒸著，其程序如同自動蒸著。3) 由於不同的膜層監(jiān)控方式，如進(jìn)入層是光學(xué)膜厚監(jiān)控的話，；如進(jìn)入層是石英膜厚監(jiān)控的話。切記:進(jìn)入層已鍍過或非堆疊的第一層，務(wù)必選否(No) ，否則會造成無法挽救的後果。若是因回頭點過多或雜訊過大中斷再進(jìn)入的話，務(wù)必要選”否(No) ，手動換層，否則系統(tǒng)進(jìn)入蒸著時，會有異常訊息出現(xiàn)或直接跳到下一層。 切記:進(jìn)入層已鍍過或非堆疊的第一層，務(wù)必選否(No) ，否則會造成無法挽救的後果。*: 若進(jìn)入之補(bǔ)層若尚未鍍過，選擇”是(Yes)”，反之選”否(No)”?！?dāng)一切設(shè)定完成後，按”確定”即可進(jìn)入補(bǔ)層蒸鍍，按”退出”就會離開蒸著程序，回到等待程序中?！毖u程組態(tài)設(shè)定”點選，即可進(jìn)入系統(tǒng)相關(guān)參數(shù)設(shè)定，設(shè)定完成後，按下”確定”鍵即可儲存設(shè)定值並離開，若只是查詢參數(shù)，直接按下”取消”即可離開，任意修改不會被儲存。:*起始真空(105Toor): 設(shè)定自動鍍膜起始真空，單位為105Toor，系統(tǒng)真空值要小於此設(shè)定值，才能自動進(jìn)入蒸著。*高真空限制: 設(shè)定鍍膜時高真空限制，單位為105Toor，在通氧膜層，若失氧造成系統(tǒng)壓力小於此設(shè)定值，時間超過五秒即會產(chǎn)生警報。:*氧流量調(diào)節(jié)增量[SCCM]: 蒸鍍時，滑鼠每按一次的氧氣調(diào)節(jié)量。*真空調(diào)節(jié)增量[105Toor]: 蒸鍍時，滑鼠每按一次的真空調(diào)節(jié)量。*電子鎗電流調(diào)節(jié)增量[1mA]: 蒸鍍時，滑鼠每按一次的蒸著電流調(diào)節(jié)量。值大調(diào)節(jié)快，但不可過大，以免產(chǎn)生調(diào)節(jié)振盪。值大調(diào)節(jié)快，但不可過大，以免產(chǎn)生調(diào)節(jié)振盪。*低折射材料: 設(shè)定蒸鍍時，自動調(diào)節(jié)低折射膜材蒸著速率快慢。適用於有設(shè)定蒸著速率的情況下。其值要依實際設(shè)定，過大沒有保護(hù)作用，過小可能無法達(dá)到設(shè)定蒸著速率。*低折射高功率限制: 說明同上*低折射低功率限制: 說明同上:*監(jiān)控片轉(zhuǎn)換: 設(shè)定值 1 或 0　其他無效0：監(jiān)控片位置設(shè)定採用絕對位置，如設(shè)定位置為6，就會轉(zhuǎn)到6的位置，人機(jī)面板顯示也是6的位置。兩桶式的監(jiān)控片機(jī)構(gòu)，兩種方式皆有提供，依使用者習(xí)慣自行設(shè)定，一般建議設(shè)為1。*洩?dú)庾詣? 自動洩?dú)庠O(shè)定。*記錄開關(guān): 蒸著時，是否要記錄各項資料。0：不記錄任意資料。*預(yù)熱程序: 設(shè)定電子鎗鎢絲預(yù)熱要採用那一組電子鎗資料，可由下拉圖式框選取或自行鍵入，0:表示省略鎢絲預(yù)熱程序。*膜層鍍後延遲: 膜層蒸著完畢遮板關(guān)閉，延遲此設(shè)定時間，搜集紀(jì)錄鍍後資料，再切換至下一層。 電子鎗組態(tài)設(shè)定 1) 將游標(biāo)移至”製程監(jiān)控”224?！惫δ堋辨I提供了新增資料與刪除資料的功能。4) 蒸著起始電流與第三段預(yù)融電流(PW3)相同5) 三段式預(yù)融方式，PW2 要比 PW3 高，如此有助膜材的穩(wěn)定性。6) 若電子鎗電流或掃瞄需自動控制的話，則面板上之自動/手動開關(guān)需切換在自動的位置，否則無法自動控制。下圖為設(shè)定時間(t1,t2,t3,t4,t5,t6)與設(shè)定電流(pw1,pw2,pw3)關(guān)係 參考光量掃瞄1) 將游標(biāo)移至”製程監(jiān)控”224。2) 功能說明如下: ：此功能尚未提供 ：單一顯示表示畫面只保留最新之掃瞄光量，重覆顯示會將所有掃瞄過的光量同時顯示在畫面上，同一按鍵切換。：不更新儲存資料，直接退出。: 按下此鍵，提供使用者設(shè)定是否檢查製程中之初始參考光量及其上下光量容差。3) 參考光量最大值儘量接近50000為佳。 暗區(qū)掃瞄1) 將游標(biāo)移至”製程監(jiān)控”224。2) 功能說明如下: ：此功能尚未提供 ：單一顯示表示畫面只保留最新之掃瞄光量，重覆顯示會將所有掃瞄過的光量同時顯示在畫面上，同一按鍵切換。：不更新儲存資料，直接退出。4) 在光譜系統(tǒng)剛開啟或溫度不穩(wěn)定之下，切勿儲存此掃瞄資料。若溫度變化超過攝氏5度以上，建議重取儲存，確保品質(zhì)?！北O(jiān)控波長顯示”點選，即可顯示每片監(jiān)控片監(jiān)控波長之推疊圖形以供參考。3) 操作者若久未使用某一製程，可呼叫出此製程，再利用此功能，了解波長堆疊狀況。 蒸著製程狀態(tài)訊息 1) 在整個蒸著過程中，直到蒸著完畢。按鍵功能說明如下：：蒸著中，不論狀態(tài)如何，按下此鍵，將強(qiáng)制離開此層，進(jìn)入下一層。 停：按下此按鍵，將關(guān)閉電子鎗遮板暫停蒸著，但其他動作照常。 棄：蒸著程序中，按下此鍵，將關(guān)閉相關(guān)設(shè)定離開製程，回復(fù)製程等待中。：按下此功能，將切為手動換層，需點按”完成此層”才能進(jìn)入下層。如補(bǔ)層蒸著是以手動換層進(jìn)入，此進(jìn)入層將無法自動換層，若需自動換層或可自動換層，點按”自動繼續(xù)”即可。在有速率控制的膜層蒸鍍時，可利用此鍵切換為固定功率蒸著，亦可再利用此鍵切為速率控制。(流量)：在通氧模式3下，可利用此鍵微調(diào)真空度；在通氧模式4下，可利用此鍵微調(diào)氧流量。3) 訊息說明：：顯示此製程膜層總數(shù)，含預(yù)融、離子源清潔及實際蒸著層。 3. 監(jiān)控片：顯示監(jiān)控片現(xiàn)在位置。 5. 回頭點：顯示現(xiàn)在監(jiān)控波長之回頭點(光學(xué)膜厚監(jiān)控)。 7. 真空：顯示現(xiàn)在偵測到的真空。 9. Rate：顯示此層蒸鍍速率現(xiàn)在值(有石英振盪器之裝置)。 11. 全時間：顯示此次進(jìn)入蒸鍍至此時之總時間。 ：顯示此層之監(jiān)控波長(光學(xué)膜厚監(jiān)控)。 15. 電子鎗：顯示現(xiàn)在所使用之電子鎗。 ：1：自動換層，0：手動換層。 19. 換層：顯示為手動換層或自動換層。 ：顯示現(xiàn)在石英壽命(有石英振盪器之裝置)。 蒸著製程廣波域訊息1) 蒸著膜層若是光學(xué)膜厚監(jiān)控(廣波域監(jiān)控系統(tǒng))，在蒸著源遮板打開後。圖中之綠色曲線是設(shè)計波形，紅色曲線是經(jīng)由監(jiān)控片實際量測到之波形。 蒸著製程監(jiān)控波長訊息1) 蒸著膜層若是光學(xué)膜厚監(jiān)控，在蒸著源遮板打開後。圖中之綠色曲線是設(shè)計之穿透率變化曲線(由製程分析選取)，紅色曲線是實際變化曲線。3) 圖右上方提供放大、縮小及關(guān)閉功能，蒸著中若關(guān)閉此圖，可藉由點選”蒸著製程監(jiān)控波長訊息”，即可顯示出。2) 此圖所顯示是一個蒸著過程中即時石英膜厚擷取，膜厚到達(dá)設(shè)定值就會自動切換到下一層。3) 圖右上方提供放大、縮小及關(guān)閉功能，蒸著中若關(guān)閉此圖，可藉由點選”蒸著製程石英膜厚訊息”，即可顯示出。2) 此圖所顯示是一個蒸著過程中蒸著速率調(diào)節(jié)變化情形，橫座標(biāo)是時間軸(sec)，縱座標(biāo)是蒸著速率(A/Sec)，綠色直線是速率設(shè)定值，紅色曲線是即時速率偵測值。3) 圖右上方提供放大、縮小及關(guān)閉功能，蒸著中若關(guān)閉此圖，可藉由點選”蒸著製程蒸著速率訊息”，即可顯示出。2) 此圖所顯示是蒸著過程中氧流量隨時間的變化情形，橫座標(biāo)是時間軸(sec)，縱座標(biāo)是流量值(SCCM)。3) 圖右上方提供放大、縮小及關(guān)閉功能，蒸著中若關(guān)閉此圖，可藉由點選”蒸著製程氧流量訊息”，即可顯示出。2) 此圖所顯示是蒸著過程中真空度隨時間的變化情形，橫座標(biāo)是時間軸(sec)，縱座標(biāo)是流量值(E5Torr)。3) 圖右上方提供放大、縮小及關(guān)閉功能，蒸著中若關(guān)閉此圖，可藉由點選”蒸著製程真空訊息”，即可顯示出。2) 此圖顯示膜材預(yù)融功率(Power)隨時間的變化情形，橫座標(biāo)是時間軸(sec)，縱座標(biāo)是功率(電子鎗模式時，1表示100mA)。3) 圖右上方提供放大、縮小及關(guān)閉功能，蒸著中若關(guān)閉此圖，可藉由點選”蒸著製程鍍藥預(yù)融”，即可顯示出。2) 即時量測步驟如下：1. 暗區(qū)掃瞄(非每次需要， 節(jié)所述) 2. 基準(zhǔn)線參數(shù)：設(shè)定所儲存之參考光量為何基準(zhǔn)，如100%(此值最常使 用)或基材BK7。4. 參考光量掃瞄儲存：如量測時間間隔過久，量測前建議先進(jìn)行一次參考光量掃瞄儲存。 量測1) 將游標(biāo)移至”線上量測”224。2) 按鍵說明：1. 資料儲存：按下此鍵即可將資料儲存為..\measure\ 檔，以供操作者參考。3. 顯示：單一顯示表示畫面只保留最新之掃瞄光譜，重覆顯示會將所有掃瞄過的光譜同時顯示在畫面上，同一按鍵切換顯示。”量測參數(shù)”點選，在此畫面即可設(shè)定穿透率光譜量測範(fàn)圍。：關(guān)閉設(shè)定畫面?！被鶞?zhǔn)線參數(shù)”點選，在此畫面即可設(shè)定量測基準(zhǔn)為何。：關(guān)閉設(shè)定畫面。*Base Line Trans(%)：點選之後，可設(shè)定基準(zhǔn)光譜，一般 100 最常使用?！庇嬎鉔K值(3點)”點選，在此畫面即可計算膜材折射率。：計算時，基材必須跟監(jiān)控片基材一致，蒸鍍時不可有吸收現(xiàn)象，基材本身不可有吸收現(xiàn)象，一次只能做單一藥材。”計算NK值(單點)”點選，在此畫面即可進(jìn)行簡單單層膜單點極值穿透率或折射率計算。 (單一膜材)，膜材極值是鍍完後量測所得(T%)，輸入後按”膜材N計算” ，便可得膜材單點極值折射率；也可反向操作折射率，若已知膜材單點極值折射率，可輸入之，再按”膜材穿透率”便可得單點極值穿透率。3) *注意事項：基材本身吸收小，藥材試鍍儘可能避免吸收，方能得到較準(zhǔn)確的計算