磁控濺射鍍膜技術(shù)ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-02-27 22:19本頁(yè)面
【正文】 , 1994). Web coatings and glass coating. Target materials sometimes difficult to find in cylindrical shape. 特點(diǎn) ? 等離子體密度比二極濺射提高一個(gè)數(shù)量級(jí) ,達(dá)到 103，靶電流密度提高一個(gè)數(shù)量級(jí) ? 靶材刻蝕速率，鍍膜速率與靶電流密度成正比，即磁控濺射鍍膜速率比二極濺射提高一個(gè)數(shù)量。濺射氣體通常選氬氣。 （ 1）材料的濺射產(chǎn)額 y與轟擊靶材表面的正離子種類(lèi)、能量、入射角有關(guān)。 ? 陽(yáng)極位置只影響擊穿電壓。 E） 避免弧光放電 ? 用大功率啟動(dòng)新靶，材料表面出氣，局部真空變壞 ? 直流濺射情況，靶面有不良導(dǎo)體形成 ? 靶設(shè)計(jì)、安裝不當(dāng)，及在運(yùn)用過(guò)程中受力、受熱引起的機(jī)械變形，造成的局部擊穿 輝光放電區(qū)電位分布 靶 基距 （ 1）阿斯頓暗區(qū) （ 2）陰極暗區(qū)，克羅克斯暗區(qū)（ 3）負(fù)輝區(qū) （ 4）法拉第暗區(qū) （ 5）正輝柱 （ 6）陽(yáng)極暗區(qū) （ 7）陽(yáng)極輝柱 ? 陰極暗區(qū)寬度一般為 12cm，鍍膜設(shè)備中陰極與基片距離大多 510cm，可知兩極間只存在陰極暗區(qū)和負(fù)輝區(qū)，盡量減小極間距離（靶 基距），獲得盡量高的鍍膜速率。 cm )電壓 V/NV B湯森放電正常輝光弧光異常輝光P=133Pa(Ne)VA) 伏安特性曲線(xiàn)，分幾段： ? 電壓很小時(shí)，只有很小電流通過(guò)： ? 加大電壓進(jìn)入湯生放電區(qū)； ? “雪崩”，進(jìn)入“正常輝光放電區(qū)” ? 離子轟擊區(qū)覆蓋整個(gè)陰極表面，再增加功率進(jìn)入“非正常輝光放電區(qū)”，濺射工藝的工作點(diǎn)選在此區(qū)： ? 繼續(xù)增加功率，達(dá)到新的擊穿，進(jìn)入低電壓大電流的“弧光放電區(qū)” B) 靶的 放電的伏安特性曲線(xiàn)與哪些因 素有關(guān)？ ? 靶的幾何形狀、尺寸，零部件安裝精度，受力或熱引起的變形 ? 靶電極材料及表面狀態(tài)（污染、光潔度等） ? 靶區(qū)氣體壓力及組分 ? C) 沒(méi)有完全相同的靶，任何兩個(gè)靶的 伏安特性曲線(xiàn)不可能完全相同 D)兩個(gè)靶并聯(lián)用一臺(tái)電源難以使兩個(gè)靶都處于最佳狀態(tài) ,影響電源壽命 ,降低膜層質(zhì)量。 ? 1999年豪威公司與清華大學(xué)合作在國(guó)際上首次研制成功中頻雙靶反應(yīng)濺射制備二氧化硅膜與氧化銦錫膜在線(xiàn)聯(lián)鍍裝置投入生產(chǎn)。） 系統(tǒng)是其典型代表 ,已于1994年正式投入生產(chǎn) 。 ? 1970年 圓柱 磁控濺射 陰極獲得工業(yè)應(yīng)用 發(fā)展概況（ 3） ? 1980年前后 ,提出脈沖單靶磁控濺
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