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磁控濺射鍍膜技術(shù)ppt課件-文庫吧資料

2025-02-27 22:19本頁面
  

【正文】 , 1994). Web coatings and glass coating. Target materials sometimes difficult to find in cylindrical shape. 特點(diǎn) ? 等離子體密度比二極濺射提高一個(gè)數(shù)量級(jí) ,達(dá)到 103,靶電流密度提高一個(gè)數(shù)量級(jí) ? 靶材刻蝕速率,鍍膜速率與靶電流密度成正比,即磁控濺射鍍膜速率比二極濺射提高一個(gè)數(shù)量。濺射氣體通常選氬氣。 ( 1)材料的濺射產(chǎn)額 y與轟擊靶材表面的正離子種類、能量、入射角有關(guān)。 ? 陽極位置只影響擊穿電壓。 E) 避免弧光放電 ? 用大功率啟動(dòng)新靶,材料表面出氣,局部真空變壞 ? 直流濺射情況,靶面有不良導(dǎo)體形成 ? 靶設(shè)計(jì)、安裝不當(dāng),及在運(yùn)用過程中受力、受熱引起的機(jī)械變形,造成的局部擊穿 輝光放電區(qū)電位分布 靶 基距 ( 1)阿斯頓暗區(qū) ( 2)陰極暗區(qū),克羅克斯暗區(qū)( 3)負(fù)輝區(qū) ( 4)法拉第暗區(qū) ( 5)正輝柱 ( 6)陽極暗區(qū) ( 7)陽極輝柱 ? 陰極暗區(qū)寬度一般為 12cm,鍍膜設(shè)備中陰極與基片距離大多 510cm,可知兩極間只存在陰極暗區(qū)和負(fù)輝區(qū),盡量減小極間距離(靶 基距),獲得盡量高的鍍膜速率。 cm )電壓 V/NV B湯森放電正常輝光弧光異常輝光P=133Pa(Ne)VA) 伏安特性曲線,分幾段: ? 電壓很小時(shí),只有很小電流通過: ? 加大電壓進(jìn)入湯生放電區(qū); ? “雪崩”,進(jìn)入“正常輝光放電區(qū)” ? 離子轟擊區(qū)覆蓋整個(gè)陰極表面,再增加功率進(jìn)入“非正常輝光放電區(qū)”,濺射工藝的工作點(diǎn)選在此區(qū): ? 繼續(xù)增加功率,達(dá)到新的擊穿,進(jìn)入低電壓大電流的“弧光放電區(qū)” B) 靶的 放電的伏安特性曲線與哪些因 素有關(guān)? ? 靶的幾何形狀、尺寸,零部件安裝精度,受力或熱引起的變形 ? 靶電極材料及表面狀態(tài)(污染、光潔度等) ? 靶區(qū)氣體壓力及組分 ? C) 沒有完全相同的靶,任何兩個(gè)靶的 伏安特性曲線不可能完全相同 D)兩個(gè)靶并聯(lián)用一臺(tái)電源難以使兩個(gè)靶都處于最佳狀態(tài) ,影響電源壽命 ,降低膜層質(zhì)量。 ? 1999年豪威公司與清華大學(xué)合作在國際上首次研制成功中頻雙靶反應(yīng)濺射制備二氧化硅膜與氧化銦錫膜在線聯(lián)鍍裝置投入生產(chǎn)。) 系統(tǒng)是其典型代表 ,已于1994年正式投入生產(chǎn) 。 ? 1970年 圓柱 磁控濺射 陰極獲得工業(yè)應(yīng)用 發(fā)展概況( 3) ? 1980年前后 ,提出脈沖單靶磁控濺
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