磁控濺射鍍膜原理與工藝-文庫吧資料
2025-07-05 15:27本頁面
【正文】 頂蓋，以控制頂蓋與強敵的相對位置，過程中注意安全，小心擠壓到手指）。先向真空腔內(nèi)充氣一段時間，然后升鐘罩，裝好基片，清理鍍膜室，降下鐘罩。用無水酒精清洗基片，使基片鍍膜面清潔無臟污后用擦鏡紙包好，放在干燥器內(nèi)備用。（1）動手操作前認真學習講操作規(guī)程及有關資料，熟悉鍍膜機和有關儀器的結構及功能、操作程序與注意事項，保證安全操作。經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，最終落在基片、真空室內(nèi)壁及靶源陽極上。磁控濺射系統(tǒng)在陰極靶材的背后放置強力磁鐵，～10Pa 壓力的惰性氣體(Ar)，作為氣體放電的載體。SAJ500超高真空磁控濺射鍍膜機（配有純銅靶材）；氬氣瓶；陶瓷基片；擦鏡紙。③學會使用磁控濺射鍍膜技術。3試驗①熟悉真空鍍膜的操作過程和方法。在曲面玻璃鍍膜機中，還有一個可以調(diào)節(jié)的參數(shù)就是陰極與基片之間的距離。它們之間，任何兩種的比率也可以進行調(diào)節(jié)。最后一個變量是氣體。對于雙端鍍膜機，鍍膜區(qū)的傳動速度可以在每分鐘0 ~ 200英寸（大約為0 ~ ）之間選擇。另一個變量是速度。在電流控制模式下，固定并監(jiān)控輸出電流，這時可以調(diào)節(jié)電壓。電源是一個恒流源。每一個陰極都具有自己的電源。在濺射過程中，通過改變改變這些參數(shù)可以進行工藝的動態(tài)控制。如果磁場強度過高，可能在開始的時候沉積速率會非常高，但是由于刻蝕區(qū)的關系，這個速率會迅速下降到一個非常低的水平。磁場強度如果不適當（比如過低），那么即使磁場強度一致也會導致膜層沉積速率低下，而且可能在螺栓頭處發(fā)生濺射。用來捕獲二次電子的磁場必須在整個靶面上保持一致，而且磁場強度應當合適。這時候，為了得到優(yōu)良的膜層，必須重新調(diào)整功率或傳動速度。不過，這種情況只有通過更換靶材才能得到解決。同樣，靶材塊的晶體結構、顆粒結構、硬度、應力以及雜質(zhì)等參數(shù)也會影響到濺射速率，而這些則可能會在產(chǎn)品上形成條狀的缺陷。在一套靶中，由于顆粒結構不同，也會產(chǎn)生不同的濺射速率。在鍍膜操作中，如果采用了新的或不同的靶，應當特別注意這一點。每個單獨的靶都具有其自身的內(nèi)部結構和顆粒方向。其中，一些是可以在工藝運行期間改變和控制的；而另外一些則雖然是固定的，但是一般在工藝運行前可以在一定范圍內(nèi)進行控制。所以，為了得到最大的沉積速率和最好的附著力，基片必須盡可能地放置在靠近陰極的位置上。濺射粒子和氣體分子（及離子）的平均自由程也會在其中發(fā)揮作用。根據(jù)鍍膜材料、功率、陰極的數(shù)量以及膜層的種類的不同，通常的運行范圍是每分鐘90 ~ 400（ ~ 米）英寸之間。不過，為了保證膜層的均勻性，傳動速度必須保持恒定。 傳動速度玻璃基片在陰極下的移動是通過傳動來進行的。能夠得到最大沉積速率的氣體壓強范圍非常狹窄。如果氣壓過低，等離子體就會熄滅同時濺射停止。 氣體壓強將氣體壓強降低到某一點可以提高離子的平均自由程、進而使更多的離子具有足夠的能量去撞擊陰極以便將粒子轟擊出來，也就是提高濺射速率。為了確保得到適當質(zhì)量的同一膜層，%的高純氣體。首先，真空泵將室體抽到一個高
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