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正文內(nèi)容

磁控濺射鍍膜原理與工藝(完整版)

  

【正文】 中最突出的成就之一。關(guān)鍵詞:濺射;濺射變量;工作氣壓;沉積率。緒論濺射現(xiàn)象于1870年開(kāi)始用于鍍膜技術(shù),1930年以后由于提高了沉積速率而逐漸用于工業(yè)生產(chǎn)。它以濺射率高、基片溫升低、膜基結(jié)合力好、裝置性能穩(wěn)定、操作控制方便等優(yōu)點(diǎn),成為鍍膜工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域(特別是建筑鍍膜玻璃、透明導(dǎo)電膜玻璃、柔性基材卷繞鍍等對(duì)大面積的均勻性有特別苛刻要求的連續(xù)鍍膜場(chǎng)合)的首選方案。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過(guò)程,和靶原子碰撞,把部分動(dòng)量傳給靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成級(jí)聯(lián)過(guò)程。DCMFRF電源價(jià)格便宜一般昂貴靶材圓靶/矩形靶平面靶/旋轉(zhuǎn)靶試驗(yàn)室一般用圓平面靶靶材材質(zhì)要求導(dǎo)體無(wú)限制無(wú)限制抵御靶中毒能力弱強(qiáng)強(qiáng)應(yīng)用金屬金屬/化合物工業(yè)上不采用此法可靠性好較好較好2磁控濺射工藝研究在氣體可以電離的壓強(qiáng)范圍內(nèi)如果改變施加的電壓,電路中等離子體的阻抗會(huì)隨之改變,引起氣體中的電流發(fā)生變化。首先,真空泵將室體抽到一個(gè)高真空(大約為106torr)。能夠得到最大沉積速率的氣體壓強(qiáng)范圍非常狹窄。濺射粒子和氣體分子(及離子)的平均自由程也會(huì)在其中發(fā)揮作用。在鍍膜操作中,如果采用了新的或不同的靶,應(yīng)當(dāng)特別注意這一點(diǎn)。這時(shí)候,為了得到優(yōu)良的膜層,必須重新調(diào)整功率或傳動(dòng)速度。在濺射過(guò)程中,通過(guò)改變改變這些參數(shù)可以進(jìn)行工藝的動(dòng)態(tài)控制。另一個(gè)變量是速度。在曲面玻璃鍍膜機(jī)中,還有一個(gè)可以調(diào)節(jié)的參數(shù)就是陰極與基片之間的距離。磁控濺射系統(tǒng)在陰極靶材的背后放置強(qiáng)力磁鐵,~10Pa 壓力的惰性氣體(Ar),作為氣體放電的載體。先向真空腔內(nèi)充氣一段時(shí)間,然后升鐘罩,裝好基片,清理鍍膜室,降下鐘罩。(6)清洗完成后,按離子源參數(shù)調(diào)節(jié)相反的順序?qū)⒏鲄?shù)歸零,關(guān)閉離子源,將流量計(jì)Ⅱ置于關(guān)閉檔。靶材基底負(fù)偏壓V工作氣壓103torr傳動(dòng)速度m/min鍍膜時(shí)間min厚度nm沉積率nm/min純銅陶瓷7036200純銅陶瓷7036260純銅陶瓷7036320純銅陶瓷7036310純銅陶瓷7036290純銅陶瓷7036260純銅陶瓷7036225備注:純銅含銅率≥%由工作氣壓與沉積率的關(guān)系表可以看出:在其他參數(shù)不變的條件下,隨著工作氣壓的增大,沉積速率先增大后減小。在某一個(gè)最佳工作氣壓下,有一個(gè)對(duì)應(yīng)的最大沉積率。努力過(guò)后,才知道許多事情,堅(jiān)持堅(jiān)持,就過(guò)來(lái)了。歲月是有情的,假如你奉獻(xiàn)給她的是一些色彩,它奉獻(xiàn)給你的也是一些色彩。參考文獻(xiàn)[1]王增福. 實(shí)用鍍膜技術(shù). 電子工業(yè)出版社,2008.[2]程守洙,江之永. 普通物理
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