cz生長原理及工藝流程(完整版)
【正文】 有一定的穩(wěn)定時間達到熔體溫度和熔體的 流動的穩(wěn)定。爐內(nèi)的傳熱、傳質(zhì)、流體力學、化學反應(yīng)等過程都直接影響到單晶的生長與生長成的單晶的質(zhì)量，拉晶過程中可直接控制的參數(shù)有溫度場、籽晶的晶向、坩堝和生長成的單晶的旋轉(zhuǎn)與升降速率，爐內(nèi)保護氣體的種類、流向、流速、壓力等。 2．籽晶與熔硅的熔接 當硅料全部熔化后，調(diào)整加熱功率以控制熔體的溫度。熟練的 操作人員，能根據(jù)彎月面光環(huán)的寬度及明亮程度來判斷熔體的溫度是否合適。 。在籽晶能承受晶錠重量的前提下，細頸應(yīng)盡可能細長，一般直徑之比應(yīng)達到 1： 10。 6．等徑生長 當晶體基本實現(xiàn)等徑 生長并達到目標直徑時，就可實行直徑的自動控制。調(diào)整熱場的結(jié)構(gòu)和坩堝在熱場中的初始位置，可以改變晶體中的溫度梯度。無位錯生長時，在整根晶體上四條棱線應(yīng)連續(xù)，只要有一條棱線消失或出現(xiàn)不連續(xù)，說明出現(xiàn)了位錯 (斷苞 )。由于晶體轉(zhuǎn)軸與溫度場對稱軸不一致，因而產(chǎn)生了徑向生長速率的起伏。實際硅單晶無位錯生長時所觀察到的“苞絲 ”包括了這兩種表面條紋。目前先進的單晶爐可以實現(xiàn)從引晶到收尾的整個過程 。 7．收尾 收尾的作用是防止位錯反延。螺紋的螺距為每旋轉(zhuǎn)一周固液界面邊緣在液面方向的位移，如式 (4． 8)所示。拉晶人員應(yīng)調(diào)整拉晶工藝參數(shù)，盡可能避免出現(xiàn)位錯。 無位錯狀態(tài)的判斷因晶體的晶向而異，一般可通過晶錠外側(cè)面上的生長條紋 (通常稱為苞絲 )、小平面 (通常稱為扁棱和棱線 )來判斷。晶體內(nèi)總是存在著熱應(yīng)力，實踐表明，晶體在生長過程中等溫面不可能保持絕對的平面，而只要等溫面不是平面就存在著徑向溫度梯度，形成熱應(yīng)力，晶體中軸向溫度分布往往具有指數(shù)函數(shù)的形式，因而也必然會產(chǎn)生熱應(yīng)力。目前的拉晶工藝幾乎都采用平放肩工藝，即肩部夾角接近 180176。細頸工藝通常采用高拉速將晶體直徑縮小到大約 3mm。因此，在熔接之后應(yīng)用引細頸工藝，即 Dash 技術(shù)，可以使位錯消失，建立起無位錯生長狀態(tài)。按工藝要求調(diào)整氣體的流量、壓力、坩堝位置、
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