cz生長原理及工藝流程-全文預(yù)覽
【正文】 往具有指數(shù)函數(shù)的形式，因而也必然會產(chǎn)生熱應(yīng)力。放肩時，直徑增大很快，幾乎不出現(xiàn)彎月面光環(huán)，轉(zhuǎn)肩過程中，彎月面光環(huán)漸漸出現(xiàn)，寬度增大，亮度變大，拉晶操作人員應(yīng)能根據(jù)彎月面光環(huán)的寬度和亮度，準(zhǔn)確地判斷直徑的變化，并及時調(diào)整拉速，保證轉(zhuǎn)肩平滑，晶體直徑均勻并達(dá)到目標(biāo)值。目前的拉晶工藝幾乎都采用平放肩工藝，即肩部夾角接近 180176。在這種條件下，即使 [ll0]晶向生長位錯也通過攀移傳播到晶體表面。細(xì)頸工藝通常采用高拉速將晶體直徑縮小到大約 3mm。 、 l9． 28176。因此，在熔接之后應(yīng)用引細(xì)頸工藝，即 Dash 技術(shù)，可以使位錯消失，建立起無位錯生長狀態(tài)。預(yù)熱后，下降籽晶至熔體的表面，讓它們充分接觸，這一過程稱為熔接。按工藝要求調(diào)整氣體的流量、壓力、坩堝位置、晶轉(zhuǎn)、堝轉(zhuǎn)。大多數(shù)造成重大損失的事故 (如坩堝破裂 )都發(fā)生在或起源于這一 CZ 生長原理及工藝流程 CZ 法的基本原理，多晶體硅料經(jīng)加熱熔化，待溫度合適后，經(jīng)過將籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑、收尾等步驟，完成一根單晶錠的拉制。 1．裝料、熔料 裝料、熔料階段是 CZ 生長過程的第一個階段，這一階段看起來似乎很簡單，但是這一階段操作正確與否往往關(guān)系到生長過程的成敗。一般情況下，有兩個傳感器分別監(jiān)測熔體表面和加熱器保溫罩石墨圓筒的溫度，在熱場和拉晶工藝改變不大的情況下，上一爐的溫度讀數(shù)可作為參考來設(shè)定引晶溫度。待熔體穩(wěn)定后，降下籽晶至離液面 3～ 5mm 距離，使粒晶預(yù)熱，以減少籽經(jīng)與熔硅的溫度差，從而減少籽晶與熔硅接觸時在籽晶中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。 3．引細(xì)頸 雖然籽晶都是采用無位錯硅單晶制備的 [16～ 19]，但是當(dāng)籽晶插入熔體時，由于受到籽晶與熔硅的溫度差所造成的熱應(yīng)力和表面張力的作用會產(chǎn)生位錯。當(dāng)以 [l00]、 [lll]和 [ll0]晶向生長時，滑移面與生長軸的最小夾角分別為 36． 16176。位錯沿滑移面延伸和產(chǎn)生滑移，因此位錯要延伸、滑移至晶體表面而消失，以 [100]晶向生長最容易，以 [111]晶向生長
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