cz生長原理及工藝流程-預覽頁
【正文】 次之，以 [ll0]晶向生長情形若只存在延伸效應則位錯會貫穿整根晶體。高拉速可形成過飽和點缺陷。 4．放肩 引細頸階段完成后必須將直徑放大到目標直徑，當細頸生長至足夠長度，并且達到一定的提拉速率，即可降低拉速進行放肩。為保持液面位置不變，轉(zhuǎn)肩時或轉(zhuǎn)肩后應開始啟動堝升，一般以適當?shù)膱迳⑹怪S晶升變化。 在等徑生長階段，不僅要控制好晶體的直徑，更為重要的是保持晶體的無位錯生長。從式 (4． 28)可知，軸向溫度梯度不引起位錯的條件是 徑向溫度梯度引起的位錯密度由下式表示 式中 l是晶體長度。調(diào)節(jié)保護氣體的流量、壓力，調(diào)整氣體的流向，可以帶走揮發(fā)物 SiO 和有害雜質(zhì) CO 氣體，防止爐塵掉落，有利于無位錯單晶的生長，同時也有改變晶體中的溫度梯度的作用。 夾角。 出現(xiàn)位錯后的處理視情況不同處理方法也不同，當晶錠長度不長時，應進行回熔，然后重新拉晶；當晶錠 超過一定的長度，而坩堝中還有不少熔料時，可將晶錠提起，冷卻后取出，然后再拉出下一根晶錠；當坩堝中的熔體所剩不多時，或者將晶體提起，或者繼續(xù)拉下去，斷苞部分作為回爐料?，F(xiàn)在我們再來討論在同樣的條件下，晶體的徑向 (垂直于提拉方向 )生長速率起伏所產(chǎn)生的結(jié)果。徑向生長速率的起伏導致在該條件下生長的晶體的表面出現(xiàn)了細牙螺紋。 晶體轉(zhuǎn)軸與溫度場對稱軸不一致，晶體旋轉(zhuǎn)時引起了生長速率的起伏，因而在晶體內(nèi)引起了溶質(zhì)濃度的起伏，這就是旋轉(zhuǎn)性雜質(zhì)條紋；同樣原因引起的生長速率起 伏，在晶體表面所引起的直徑變化是旋轉(zhuǎn)性表面條紋。 以上關(guān)于表面生長條紋產(chǎn)生機制的討論是在固液界面溫度等于凝固點的近似假設條件下進行的，考慮到生長動力學效應界面溫度有一定的過冷度，且與生長機制有關(guān)，因此 111晶向生長的無位錯硅單晶的生長過程中單晶表面可以看到明顯的表面條紋 (常被 稱為 “苞絲 ”)，而一旦出現(xiàn)位錯后就會消失，在111以外的晶向生長的無位錯硅單晶生長時也看不到這樣的現(xiàn)象。 一般來說，位錯反延的距離大約等于生長界
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