cz生長(zhǎng)原理及工藝流程-免費(fèi)閱讀
【正文】 一般來(lái)說(shuō)，位錯(cuò)反延的距離大約等于生長(zhǎng)界面的直徑。 晶體轉(zhuǎn)軸與溫度場(chǎng)對(duì)稱軸不一致，晶體旋轉(zhuǎn)時(shí)引起了生長(zhǎng)速率的起伏，因而在晶體內(nèi)引起了溶質(zhì)濃度的起伏，這就是旋轉(zhuǎn)性雜質(zhì)條紋；同樣原因引起的生長(zhǎng)速率起 伏，在晶體表面所引起的直徑變化是旋轉(zhuǎn)性表面條紋?，F(xiàn)在我們?cè)賮?lái)討論在同樣的條件下，晶體的徑向 (垂直于提拉方向 )生長(zhǎng)速率起伏所產(chǎn)生的結(jié)果。 夾角。從式 (4． 28)可知，軸向溫度梯度不引起位錯(cuò)的條件是 徑向溫度梯度引起的位錯(cuò)密度由下式表示 式中 l是晶體長(zhǎng)度。為保持液面位置不變，轉(zhuǎn)肩時(shí)或轉(zhuǎn)肩后應(yīng)開(kāi)始啟動(dòng)堝升，一般以適當(dāng)?shù)膱迳⑹怪S晶升變化。高拉速可形成過(guò)飽和點(diǎn)缺陷。當(dāng)以 [l00]、 [lll]和 [ll0]晶向生長(zhǎng)時(shí)，滑移面與生長(zhǎng)軸的最小夾角分別為 36． 16176。待熔體穩(wěn)定后，降下籽晶至離液面 3～ 5mm 距離，使粒晶預(yù)熱，以減少籽經(jīng)與熔硅的溫度差，從而減少籽晶與熔硅接觸時(shí)在籽晶中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。 1．裝料、熔料 裝料、熔料階段是 CZ 生長(zhǎng)過(guò)程的第一個(gè)階段，這一階段看起來(lái)似乎很簡(jiǎn)單，但是這一階段操作正確與否往往關(guān)系到生長(zhǎng)過(guò)程的成敗。大多數(shù)造成重大損失的事故 (如坩堝破裂 )都發(fā)生在或起源于這一 預(yù)熱后，下降籽晶至熔體的表面，讓它們充分接觸，這一過(guò)程稱為熔接。 、 l9． 28176。在這種條件下，即使 [ll0]晶向生長(zhǎng)位錯(cuò)也通過(guò)攀移傳播到晶體表面。放肩時(shí)，直徑增大很快，幾乎不出現(xiàn)彎月面光環(huán)，轉(zhuǎn)肩過(guò)程中，彎月面光環(huán)漸漸出現(xiàn)，寬度增大，亮度變大，拉晶操作人員應(yīng)能根據(jù)彎月面光環(huán)的寬度和亮度，準(zhǔn)確地判斷直徑的變化，并及時(shí)調(diào)整拉速，保證轉(zhuǎn)肩平滑，晶體直徑均勻并達(dá)到目標(biāo)值。從式 (4． 30)可知，徑向溫度梯度不引起位錯(cuò)的條件是 因此，必須控制徑向溫度梯度和軸向溫度梯度不能過(guò)大，使熱應(yīng)力不超過(guò)硅的臨界應(yīng)力，滿足這樣的條件才能保持無(wú)位錯(cuò)生長(zhǎng)。但實(shí)際生長(zhǎng)時(shí)往往由于生長(zhǎng)方向的偏離，造成小平面有大有小，有的甚至消失。 在近似地認(rèn)為固液界面上任意一
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