freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

磁控濺射鍍膜原理與工藝(參考版)

2025-07-02 15:27本頁面
  

【正文】 只有你自己才能把歲月描畫成一幅難以忘懷的人生畫卷。歲月是有情的,假如你奉獻給她的是一些色彩,它奉獻給你的也是一些色彩。努力過后,才知道許多事情,堅持堅持,就過來了。有時候覺得自己像個神經(jīng)病。在紛雜的塵世里,為自己留下一片純靜的心靈空間,不管是潮起潮落,也不管是陰晴圓缺,你都可以免去浮躁,義無反顧,勇往直前,輕松自如地走好人生路上的每一步3. 花一些時間,總會看清一些事。參考文獻[1]王增福. 實用鍍膜技術(shù). 電子工業(yè)出版社,2008.[2]程守洙,江之永. 普通物理學. 北京:高等教育出版社, 1982.[3]嚴一心,林鴻海. 薄膜技術(shù). 北京:兵器工業(yè)出版社,1994. [4]KumruM.[J ].Thin Solid .1. 若不給自己設(shè)限,則人生中就沒有限制你發(fā)揮的藩籬。在某一個最佳工作氣壓下,有一個對應的最大沉積率。(2)隨著Ar氣分子的增多,濺射原子與Ar氣分子的碰撞次數(shù)大量增加,這導致濺射原子能量在碰撞過程中大大損失,致使粒子到達基片的數(shù)量減少,沉積速率下降。而當工作氣壓過大時,沉積速率會減小,原因有如下兩點:(1)由于氣體分子平均自由程減小,濺射原子的背反射和受氣體分子散射的幾率增大,而且這一影響已經(jīng)超過了放電增強的影響。氣體分子平均自由程與壓強有如下關(guān)系其中為氣體分子平均自由程, k為玻耳茲曼常數(shù),T為氣體溫度, d為氣體分子直徑, p為氣體壓強。靶材基底負偏壓V工作氣壓103torr傳動速度m/min鍍膜時間min厚度nm沉積率nm/min純銅陶瓷7036200純銅陶瓷7036260純銅陶瓷7036320純銅陶瓷7036310純銅陶瓷7036290純銅陶瓷7036260純銅陶瓷7036225備注:純銅含銅率≥%由工作氣壓與沉積率的關(guān)系表可以看出:在其他參數(shù)不變的條件下,隨著工作氣壓的增大,沉積速率先增大后減小。當氣罐流量變?yōu)榱愫?,關(guān)閉流量計Ⅱ,繼續(xù)抽半個小時到兩個小時。(9)鍍膜完畢后,關(guān)閉直流或射頻電源,關(guān)閉氬氣總閥門。否則查明原因),調(diào)節(jié)控制電離真空計示數(shù)約1Pa,調(diào)節(jié)直流或射頻電源到所需功率,開始鍍膜。(6)清洗完成后,按離子源參數(shù)調(diào)節(jié)相反的順序?qū)⒏鲄?shù)歸零,關(guān)閉離子源,將流量計Ⅱ置于關(guān)閉檔。(5)但真空度達到5104Pa時,關(guān)閉復合真空計,開啟電離真空計,通氬氣(流量20L/min),打開氣路閥,將流量計Ⅰ撥至閥控檔,穩(wěn)定后打開離子源,依次調(diào)節(jié)加速至200V~250V,中和到12A左右,陽極80V,陰極10V,屏極300V。(4)(選擇操作)打開加熱控溫電源。(2)基片和靶準備好后,升降機下降至真空腔密封(注意:關(guān)閉真空腔時用手扶著
點擊復制文檔內(nèi)容
環(huán)評公示相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號-1