磁控濺射鍍膜技術(shù)ppt課件(參考版)
2025-02-24 22:19本頁(yè)面
【正文】 請(qǐng)批評(píng)指正，謝謝！ 結(jié)束語(yǔ) 。 控制系統(tǒng)的穩(wěn)定性 PEM閉環(huán)控制回路示意圖 等離子體 陰極 氧分壓 可控閥門(mén) 接氧氣源 光探頭 濾光片 放大器 控制器 設(shè)定閉環(huán)控制方塊圖真空室內(nèi)靶、布?xì)狻⒊闅狻⒒恢弥? Va cu um P um pMa gn et ro nReactive ga s in le tSu bs tr at e真空室內(nèi)靶、布?xì)?、抽氣、基片位置之? Pl as ma S hi el dga s in le tVa cu um P um pBa ck P l a t eSu bs tr at eCa th o d e s六 、射頻磁控濺射 ? 1966年 IBM采用射頻濺射鍍制 SiO2膜 ? 采用 ，注意接地與匹配調(diào)節(jié)。 ? 等離子體發(fā)射檢測(cè)法 (PEM: Plasma Emission Monitor），根據(jù)某種元素（ 通常是金屬離子）特征光譜的強(qiáng)弱變化來(lái)對(duì)反應(yīng)氣體進(jìn)行控制。二者在放大 50， 000倍的條件下得到的表面情況存在明顯區(qū)別。這有利于以磁控濺射為基礎(chǔ)實(shí)現(xiàn)離子鍍，有可能使磁控濺射離子鍍與陰極電弧蒸發(fā)離子鍍處于競(jìng)爭(zhēng)地位 。 四 、非平衡磁控濺射 ? 普通的磁控濺射陰極的磁場(chǎng)集中于靶面附近的有限的區(qū)域內(nèi)，基片表面沒(méi)有磁場(chǎng)，稱平衡磁控濺射陰極 ? 1985年 Window提出增大普 通的磁控濺射陰極的雜散磁場(chǎng)，從而使等離子體范圍擴(kuò)展到基片表面附近的非平衡磁控濺射陰極 ? 如果通過(guò)陰極的內(nèi)外兩個(gè)磁極端面的磁通量不等，則為非平衡磁控濺射陰極，非平衡磁控濺射陰極磁場(chǎng)大量向靶外發(fā)散 ? 普通的磁控濺射陰極的磁場(chǎng)將等離子體約束在靶面附近，基片表面附近的等離子體很弱，只受輕微的離子和電子轟擊。 三、 磁控濺射 在二極濺射裝置上加一與電場(chǎng)E的正交磁場(chǎng) B 在正交電磁場(chǎng)作用下電子圍繞磁力線作曲線運(yùn)動(dòng)加大了運(yùn)動(dòng)路徑 ,大大提高電子對(duì)氣體的電離幾率 e x B B e E B ExB S N N S e ? Rotatable cylindrical magron (BOC
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