真空與真空鍍膜技術(shù)簡(jiǎn)介(參考版)
2025-05-15 00:44本頁(yè)面
【正文】 設(shè)蒸發(fā)源為點(diǎn)蒸發(fā)源，單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)任何方向一立體角dω的質(zhì)量為： 蒸發(fā)物質(zhì)到達(dá)任一方向面積元 ds質(zhì)量為 設(shè)蒸發(fā)物的密度為 ρ，單位時(shí)間淀積在 ds上的膜厚為 t， 則 比較以上兩式可得 ?? dmdm 4?dstdm ..??dsrmdm 2c o s4 ???24cosrmt????對(duì)于平行平面 ds， φ=θ， 則上式為 由 可得 在點(diǎn)源的正上方區(qū)域 (δ=0)時(shí)， 24cosrmt????,cos rh?? 222 hr ?? ?2/322 )(4 hmht?? ???2014 hmt???薄膜厚度的測(cè)量 20????t1. 干涉顯微鏡法 干涉條紋間距 Δ0 ，條紋移動(dòng) Δ，臺(tái)階高為 ，測(cè)出 Δ0 和 Δ，即可測(cè)得膜厚 t 其中 λ為單色光波長(zhǎng)，如用白光， λ取 nmm ??? ??待測(cè)薄膜 基片 2 稱(chēng)重法 如果薄膜面積 A，密度 ρ和質(zhì)量 m可以被精確測(cè)定的話， 膜厚 t就可以計(jì)算出來(lái)： 3 石英晶體振蕩器法 廣泛應(yīng)用于薄膜淀積過(guò)程中厚度的實(shí)時(shí)測(cè)量，主要應(yīng)用于淀積速度，厚度的監(jiān)測(cè)，還可以反過(guò)來(lái)（與電子技術(shù)結(jié)合）控制物質(zhì)蒸發(fā)或?yàn)R射的速率，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)于淀積過(guò)程的自動(dòng)控制。 當(dāng) p = 103 Pa時(shí)， L≈500 cm。 真空蒸發(fā)鍍膜簡(jiǎn)介 真空系統(tǒng) (DM— 300鍍膜機(jī) ) 真空系統(tǒng) (DM—
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