真空與真空鍍膜技術(shù)簡介-資料下載頁
2025-05-11 00:44本頁面
【正文】 p (cm)，其中 p的單位是 Pa。 當 p = 103 Pa時， L≈500 cm。 L基片到蒸發(fā)源的距離，分子作 直線運動。 設(shè)蒸發(fā)源為點蒸發(fā)源，單位時間內(nèi)通過任何方向一立體角dω的質(zhì)量為： 蒸發(fā)物質(zhì)到達任一方向面積元 ds質(zhì)量為 設(shè)蒸發(fā)物的密度為 ρ，單位時間淀積在 ds上的膜厚為 t， 則 比較以上兩式可得 ?? dmdm 4?dstdm ..??dsrmdm 2c o s4 ???24cosrmt????對于平行平面 ds， φ=θ， 則上式為 由 可得 在點源的正上方區(qū)域 (δ=0)時， 24cosrmt????,cos rh?? 222 hr ?? ?2/322 )(4 hmht?? ???2014 hmt???薄膜厚度的測量 20????t1. 干涉顯微鏡法 干涉條紋間距 Δ0 ，條紋移動 Δ，臺階高為 ，測出 Δ0 和 Δ，即可測得膜厚 t 其中 λ為單色光波長，如用白光， λ取 nmm ??? ??待測薄膜 基片 2 稱重法 如果薄膜面積 A，密度 ρ和質(zhì)量 m可以被精確測定的話， 膜厚 t就可以計算出來： 3 石英晶體振蕩器法 廣泛應用于薄膜淀積過程中厚度的實時測量，主要應用于淀積速度，厚度的監(jiān)測，還可以反過來（與電子技術(shù)結(jié)合）控制物質(zhì)蒸發(fā)或濺射的速率，從而實現(xiàn)對于淀積過程的自動控制。 ?Amt?
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