真空蒸鍍技術(shù)介紹ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-01-15 04:45本頁(yè)面
【正文】 法需要針對(duì)不同的被蒸發(fā)材料選擇加熱材料和方法n 加熱溫度不能過(guò)高，易產(chǎn)生電阻絲等加熱材料的污染加熱溫度不能過(guò)高，易產(chǎn)生電阻絲等加熱材料的污染電子束蒸發(fā)裝置的示意圖 特點(diǎn)：n 蒸發(fā)溫度高n 污染小，適用于高純、難熔物質(zhì)的蒸發(fā)n 熱效率較低n 導(dǎo)致產(chǎn)生一定的輻射電弧蒸發(fā)裝置的示意圖 特點(diǎn)：n 設(shè)備簡(jiǎn)單n 加熱溫度高，適用于難熔金屬、石墨的蒸發(fā)n 可避免電阻、坩堝材料的污染n 可控制性較差n 在放電過(guò)程中易產(chǎn)生電極顆粒的飛濺，影響薄膜 的均勻性激光蒸發(fā)裝置的示意圖 特點(diǎn)：n 污染小n 加熱溫度高n 過(guò)程容易控制n 特別適于蒸發(fā)復(fù)雜成分的合金或化合物n 光子瞬間內(nèi)將能量傳遞給被蒸發(fā)物質(zhì)， 粒子能量高于普通蒸發(fā)方法n 需要特殊的窗口材料n 易產(chǎn)生物質(zhì)顆粒的飛濺n 設(shè)備較為復(fù)雜，難于大規(guī)模使用空心陰極蒸發(fā)裝置的示意圖 特點(diǎn) :n 大電流、高速率n 被蒸發(fā)出來(lái)的物質(zhì)原子被大量離化n 要維持 1?102Pa的氣體壓力n 易產(chǎn)生陰極損耗和蒸發(fā)物質(zhì)的飛濺蒸發(fā)法的優(yōu)點(diǎn)n方法和設(shè)備可以相對(duì)簡(jiǎn)單n較高的沉積速度（數(shù)十 ?m/小時(shí)）n相對(duì)較高的真空度和薄膜純度蒸發(fā)法的缺點(diǎn)n蒸發(fā)粒子的能量相對(duì)較低蒸發(fā)薄膜沉積法的優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)蒸發(fā)粒子的能量與物質(zhì)鍵合能的比較 能量項(xiàng) 能量數(shù)值 （ eV）蒸發(fā)粒子動(dòng)能 300K時(shí) 2200K時(shí)物質(zhì)的鍵合能 SiSi固體鍵合能 NN氣體分子鍵合能兩者相比，可看到蒸發(fā)法時(shí)，沉積粒子的能量偏低例一： 分子束外延方法制備?FeSi2/Si薄膜二極管 ?m發(fā)光器件器件的層狀結(jié)構(gòu) (a) 器件 A， (b) 器件 BY. Ugajin, T. Sunohara, T. Suemasu, Investigation of currentinjection in β?FeSi2/Si doubleheterostructures lightemitting diodes by molecular beamepitaxy, Thin Solid Films (2022)p|n結(jié)分子束外延 ?FeSi2/Si薄膜二極管發(fā)光器件的制備u 使用離子泵支持的 MBE系統(tǒng)，在 nSi (111)襯底上制備 pSi/p?FeSi2/pSi/nSi結(jié)構(gòu)的層狀結(jié)構(gòu)u 使用電子束加熱的 Si、 Fe 蒸發(fā)源u Si(111)襯底高真空清潔處理： 850?C?30分鐘u 450?C生長(zhǎng) 200nm pSi， 熱處理 1000?C?10分鐘 （ 樣品 A不進(jìn)行此項(xiàng)處理 ） u 750?C生長(zhǎng) 90nm [110]/[101] 取向的 p?FeSi2 u 500?C生長(zhǎng) 500nm pSiu 700?C生長(zhǎng) 200nm B攙雜的 p+Siu N2中 800?C ?14 小時(shí)器件熱處理?FeSi2/Si薄膜器件 的 X射線衍射曲線Highly [110]/[101]oriented ?FeSi2 was formed in both samples. 77K 溫度下 ?FeSi2/Si薄膜器件的光發(fā)射譜EL of ?FeSi2 is dominant in sample A, and Sirelated EL is intense in sample B. FeSi2 ?不同溫度下 ?FeSi2/Si薄膜器件的 IV 曲線Highquality Si pn junction in sample B improves the electron injection into ?FeSi2 (higher turnon voltage), and thus significant EL enhancement will be obtained.第二講 小結(jié)n薄膜材料可使用在高真空環(huán)境下進(jìn)行的熱蒸發(fā)薄膜材料可使用在高真空環(huán)境下進(jìn)行的熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)等多種不同的蒸發(fā)法制備，其最主、電子束蒸發(fā)等多種不同的蒸發(fā)法制備，其最主要的優(yōu)點(diǎn)是可以保持薄膜的高純度和高的沉積速要的優(yōu)點(diǎn)是可以保持薄膜的高純度和高的沉積速率率n蒸發(fā)法在沉積化合物以及合金薄膜時(shí)會(huì)遇到成蒸發(fā)法在沉積化合物以及合金薄膜時(shí)會(huì)遇到成分不易控制的問(wèn)題分不易控制的問(wèn)題n薄膜沉積的均勻性是蒸發(fā)法必須考慮的一個(gè)問(wèn)薄膜沉積的均勻性是蒸發(fā)法必須考慮的一個(gè)問(wèn)題題n在利用蒸發(fā)法制備薄膜時(shí)，其粒子的能量相對(duì)在利用蒸發(fā)法制備薄膜時(shí)，其粒子的能量相對(duì)較低較低基本概念復(fù)習(xí)u掌握物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積技術(shù)各自的特點(diǎn)。u列舉真空蒸發(fā)法裝置的組成。u熟悉元素、化合物、合金等不同物質(zhì)粒子蒸發(fā)時(shí)的行為特點(diǎn)；列舉使蒸發(fā)法不宜被用于合金或化合物薄膜制備的主要原因。u熟悉影響蒸發(fā)法薄膜沉積時(shí)影響薄膜沉積均勻性的因素。u各種真空蒸發(fā)方法薄膜沉積的設(shè)備和各方法的優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)。u估算 1200K時(shí) Al原子的動(dòng)能。
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