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真空蒸發(fā)ppt課件-資料下載頁(yè)

2025-05-04 07:24本頁(yè)面
  

【正文】 ? 無(wú)法蒸發(fā)難熔材料; ? 蒸發(fā)率低; ? 蒸發(fā)時(shí)化合物容易分解。 電子束蒸發(fā)裝置 適用于 高純 和 高熔點(diǎn) 物質(zhì)的蒸發(fā);避免反應(yīng); 電子束蒸發(fā)的有效距離 (高速蒸發(fā) ) dense cloud 電子束蒸發(fā)中的問(wèn)題: 有效距離 沉積速率隨時(shí)間變化 電離離子的作用 XRay轟擊 hv/h~ 離子束輔助蒸發(fā)沉積 激光加熱裝置 (PLD) ~ 2 J/脈沖,脈沖頻率 ~ 30 Hz ArF (193 nm) KrF (248 nm) XeCl (308 nm) plume is highly directional, cosn?, where 8 n 12 窗口材料: MgF2, sapphire, CaF2, UVgrade quartz 光被材料吸收 熱傳導(dǎo): 溫度分布: 蒸發(fā)速率: xT優(yōu)點(diǎn): 瞬時(shí)加熱,具有閃爍蒸發(fā)的特點(diǎn);能保持源料組分;污染少;難熔金屬;易實(shí)現(xiàn)同時(shí)或順序多源蒸發(fā)。 缺點(diǎn): 昂貴;膜厚不易控制 (單個(gè)脈沖就可沉積數(shù)百納米 );容易有粒子飛濺;蒸發(fā)量少;不適合工業(yè)生產(chǎn); 風(fēng)車式的擋板 蒸發(fā)法在工業(yè)生產(chǎn)上的應(yīng)用 (Web Coating) 包裝紙,電容紙,裝飾紙 m, 10m/s, 5mm/s 21 1 e xp( /a pqT T hL v c dh ???? ? ? ???)(dtdTdc 1p TThq a ????討論: 分子束外延 (MBE) 超高真空 108Pa,分子束流直接噴射到襯底。到達(dá)襯底的分子僅由蒸發(fā)系統(tǒng)的幾何形狀和蒸發(fā)源溫度決定。所以可以精確控制晶體生長(zhǎng)速率、雜質(zhì)濃度、多元化合物成分比。 ?超高真空下的干式工藝,殘留氣體等雜質(zhì)混入少,表面清潔。與半導(dǎo)體的其它工藝(離子注入、干法刻蝕、薄膜沉積等)有很好的相容性。 ?可以獲得原子尺度平整的膜層,利于制備超晶格、異質(zhì)結(jié)。 ?可在大尺寸襯底( 6~12英寸)上外延生長(zhǎng)性能分散性?。?1%)的均勻膜層。 ?成膜溫度低,降低熱膨脹和襯底自擴(kuò)散的影響; ?可嚴(yán)格控制組元成分和雜質(zhì)濃度,能制備出急劇變化的雜質(zhì)濃度和組成器件。 ?非熱平衡下生長(zhǎng),可進(jìn)行超過(guò)固溶度極限的高濃度摻雜 。 ?能進(jìn)行原位監(jiān)測(cè)生長(zhǎng)過(guò)程。 三室型 MBE系統(tǒng)圖 真空蒸發(fā)總結(jié)
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