真空蒸發(fā)ppt課件(參考版)
2025-05-07 07:24本頁(yè)面
【正文】 ?能進(jìn)行原位監(jiān)測(cè)生長(zhǎng)過(guò)程。 ?成膜溫度低，降低熱膨脹和襯底自擴(kuò)散的影響； ?可嚴(yán)格控制組元成分和雜質(zhì)濃度，能制備出急劇變化的雜質(zhì)濃度和組成器件。 ?可以獲得原子尺度平整的膜層，利于制備超晶格、異質(zhì)結(jié)。 ?超高真空下的干式工藝，殘留氣體等雜質(zhì)混入少，表面清潔。到達(dá)襯底的分子僅由蒸發(fā)系統(tǒng)的幾何形狀和蒸發(fā)源溫度決定。 電子束蒸發(fā)裝置 適用于 高純 和 高熔點(diǎn) 物質(zhì)的蒸發(fā)；避免反應(yīng)； 電子束蒸發(fā)的有效距離 (高速蒸發(fā) ) dense cloud 電子束蒸發(fā)中的問(wèn)題： 有效距離 沉積速率隨時(shí)間變化 電離離子的作用 XRay轟擊 hv/h~ 離子束輔助蒸發(fā)沉積 激光加熱裝置 (PLD) ~ 2 J/脈沖，脈沖頻率 ~ 30 Hz ArF (193 nm) KrF (248 nm) XeCl (308 nm) plume is highly directional, cosn?, where 8 n 12 窗口材料： MgF2, sapphire, CaF2, UVgrade quartz 光被材料吸收 熱傳導(dǎo)： 溫度分布： 蒸發(fā)速率： xT優(yōu)點(diǎn)： 瞬時(shí)加熱，具有閃爍蒸發(fā)的特點(diǎn)；能保持源料組分；污染少；難熔金屬；易實(shí)現(xiàn)同時(shí)或順序多源蒸發(fā)。 1）與蒸發(fā)材料形成低熔點(diǎn)合金的問(wèn)題； 2）薄膜純度有限。 ?? t a n2t a n ?計(jì)算機(jī)模擬得出的 Ni薄膜在不同溫度下的纖維狀生長(zhǎng)過(guò)程。 如圖表示與蒸發(fā)源平行放置于正上方的平面基片 提高膜厚均勻性的措施： 1) 采用若干分離的小面積蒸發(fā)源，最佳的數(shù)量 , 合理的布局和蒸發(fā)速率； 2)改變基片放置方式以提高厚度均勻 ： a) 球面放置基片（ 只對(duì) n=1適用 ）； b) 基片平面旋轉(zhuǎn)； c) 行星旋轉(zhuǎn)基片架； 204sesdM MdA r??旋轉(zhuǎn)方式 : (a) 基片在圓頂上，繞軸旋轉(zhuǎn) 。 預(yù)蒸發(fā)活性金屬薄膜。/s) 1 10 100 1000 109 103 104 105 106 107 101 102 103 104 105 10 1 101 102 103 103 102 10 1 避免環(huán)境殘存氣體對(duì)薄膜的污染 :
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