真空蒸發(fā)ppt課件-展示頁
2025-05-13 07:24本頁面
【正文】 現(xiàn)了離子束濺射沉積 、 脈沖激光濺射沉積 (PLD)、 強流離子束蒸發(fā)沉積 、 離子束輔助沉積 (IBAD)、 低能離子束沉積； ?以等離子體技術(shù)為基礎(chǔ)出現(xiàn)了等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PECVD)、 磁控濺射鍍膜； Nanosolar的 ink print技術(shù) 大氣中的塵埃粒子及其大小范圍 比較清潔的城市中： 177 K/L。 廣泛地應(yīng)用在機械、電真空、無線電、光學(xué)、原子能、空間技術(shù)等領(lǐng)域。 二．真空蒸發(fā)的物理過程： ，使鍍膜材料粒子蒸發(fā)或升華，成為具有一定能量的氣態(tài)粒子 (原子，分子，原子團(tuán)， 0 .1 ? eV)； 無碰撞的直線運動方式 傳輸?shù)交w； ； 。 ln BPA T??ln p ∽ T 曲線 金屬材料 ln p ∽ T 曲線 無機非金屬材料 其它解決方案： ? 源的總量非常大； ? 多蒸發(fā)源 (MBE)； ? 瞬時蒸發(fā)； ? 多層膜擴(kuò)散合金化。 化合物 MX 的蒸發(fā)情況可分類如下： 1) 化合物不分解 MX (S或 L) → MX (g) 例 : MgF2(s) →MgF 2(g) 2) 蒸發(fā)分解 MX (s) →M (g) +X (g) 例： 2CdTe(S)→2Cd(g)+Te 2(g) 化合物的蒸發(fā)沉積： 3) 蒸發(fā)部分分解 MXn(S) →MX(g) + X n1(g) 例 : SiO2(S)→SiO(g) +O 2(g) 4) 部分蒸發(fā) nMX(s) → nM(S) + X n (g) 例： 2BN(S)→2B(S)+N 2(g) 直接蒸發(fā)化合物鍍料制備化合物薄膜的例子 : SiO, GeO, SnO, AlN, CaF2, MgF2, B2O3 例：沉積 GaAs (沉積窗口 ) 106 torr 109 torr 850K 1000K ?需用分立源 ?低壓下相圖 ?沉積窗口 薄膜的純度 Ci Ci 定義：在 1cm2表面上每秒鐘剩余氣體分子碰撞的數(shù)目與蒸發(fā)淀積粒子數(shù)目之比。 adAe MRNR ??TMRMPCgdagi 2????則室溫下沉積 Sb 膜中的最大氧含量 2OP(Torr)
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