真空蒸發(fā)ppt課件-閱讀頁
2025-05-19 07:24本頁面
【正文】 echnol. A 18, 1838(2022) J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 2509(2022) Oblique and edge views of a tetragonal square spiral structure Scott R. Kennedy, et al Nano Letters Between the 4th and 5th bands, very robust to disorder. 15%, 24% 真空蒸發(fā)裝置 真空蒸發(fā)加熱裝置 真空蒸發(fā)加熱裝置 真空蒸發(fā)加熱裝置 真空蒸發(fā)加熱裝置 蒸發(fā)坩鍋種類 A small effusion source using a PBN oven 電阻蒸發(fā)源材料： W， Mo， Ta， BN， C 等 . 熔點高 , 平衡蒸汽壓低 ,化學性能穩(wěn)定。 電阻式蒸發(fā)源溫度估計： ? ?22 ( 0) / ( 0) /n cW i R i T T L A???對于鎢， n= 8(0 ) 5 . 5 1 0 m T ( 0 ) = 2 9 3 K? ?? ? ?電阻式蒸發(fā)： 優(yōu)點：簡單 缺點： ? 分餾問題； ? 加熱元件和源料的反應(yīng)問題； ? 無法蒸發(fā)難熔材料； ? 蒸發(fā)率低； ? 蒸發(fā)時化合物容易分解。 缺點： 昂貴；膜厚不易控制 (單個脈沖就可沉積數(shù)百納米 )；容易有粒子飛濺；蒸發(fā)量少；不適合工業(yè)生產(chǎn)； 風車式的擋板 蒸發(fā)法在工業(yè)生產(chǎn)上的應(yīng)用 (Web Coating) 包裝紙，電容紙，裝飾紙 m， 10m/s， 5mm/s 21 1 e xp( /a pqT T hL v c dh ???? ? ? ???)(dtdTdc 1p TThq a ????討論： 分子束外延 (MBE) 超高真空 108Pa，分子束流直接噴射到襯底。所以可以精確控制晶體生長速率、雜質(zhì)濃度、多元化合物成分比。與半導體的其它工藝（離子注入、干法刻蝕、薄膜沉積等）有很好的相容性。 ?可在大尺寸襯底（ 6~12英寸）上外延生長性能分散性小（ 1%）的均勻膜層。 ?非熱平衡下生長，可進行超過固溶度極限的高濃度摻雜 。 三室型 MBE系統(tǒng)圖 真空蒸發(fā)總結(jié)
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