《真空蒸發(fā)》ppt課件-預(yù)覽頁
【正文】 e(S)→2Cd(g)+Te 2(g) 化合物的蒸發(fā)沉積： 3) 蒸發(fā)部分分解 MXn(S) →MX(g) + X n1(g) 例 : SiO2(S)→SiO(g) +O 2(g) 4) 部分蒸發(fā) nMX(s) → nM(S) + X n (g) 例： 2BN(S)→2B(S)+N 2(g) 直接蒸發(fā)化合物鍍料制備化合物薄膜的例子 : SiO, GeO, SnO, AlN, CaF2, MgF2, B2O3 例：沉積 GaAs (沉積窗口 ) 106 torr 109 torr 850K 1000K ?需用分立源 ?低壓下相圖 ?沉積窗口 薄膜的純度 Ci Ci 定義：在 1cm2表面上每秒鐘剩余氣體分子碰撞的數(shù)目與蒸發(fā)淀積粒子數(shù)目之比。 提高薄膜生長速率 。 (b) 基片在鼓面上，源位于中軸線，鼓面繞中軸線旋轉(zhuǎn)； (c)行星式旋轉(zhuǎn) . Calculated film thickness variation across the radius of a rotating disk. 較準或提高襯底溫度 蒸發(fā)沉積的陰影問題 計算機模擬凹坑內(nèi)的沉積 蒸發(fā)法制備薄膜的結(jié)構(gòu) 蒸發(fā)原子的沉積過程 : (1)陰影效應(yīng) (2)表面擴散 (3)體擴散 (4)脫附 薄膜中顆粒最大和最小尺寸隨襯底溫度的變化曲線 薄膜中顆粒最大和最小尺寸隨襯底溫度的變化曲線 蒸發(fā)法制備的金屬薄膜的組織形態(tài)隨襯底相對溫度的變化 TS/Tm TS/Tm TS/Tm TS/Tm 蒸發(fā)沉積 Al薄膜的纖維生長方向與入射離子方向間的關(guān)系。 電阻式蒸發(fā)源溫度估計： ? ?22 ( 0) / ( 0) /n cW i R i T T L A???對于鎢， n= 8(0 ) 5 . 5 1 0 m T ( 0 ) = 2 9 3 K? ?? ? ?電阻式蒸發(fā)： 優(yōu)點：簡單 缺點： ? 分餾問題； ? 加熱元件和源料的反應(yīng)問題； ? 無法蒸發(fā)難熔材料； ? 蒸發(fā)率低； ? 蒸發(fā)時化合物容易分解。所以可以精確控制晶體生長速率、雜質(zhì)濃度、多元化合物成分比。 ?可在大尺寸襯底（ 6~12英寸）上外延生長性能分散性?。?1%）的均勻膜層。 三室型 MBE系統(tǒng)圖 真空蒸發(fā)總結(jié)
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