真空蒸發(fā)ppt課件(完整版)
【正文】 融源； ?在氣相或襯底表面沒有化學(xué)反應(yīng)； ?代表性技術(shù)：蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜； ?技術(shù)特點(diǎn)：真空度高、沉積溫度低、設(shè)備相對比較簡單。 加熱方式可以多種多樣。/s) 1 10 100 1000 109 103 104 105 106 107 101 102 103 104 105 10 1 101 102 103 103 102 10 1 避免環(huán)境殘存氣體對薄膜的污染 : 使用高真空技術(shù) 。 1）與蒸發(fā)材料形成低熔點(diǎn)合金的問題； 2）薄膜純度有限。 ?可以獲得原子尺度平整的膜層，利于制備超晶格、異質(zhì)結(jié)。 ?成膜溫度低，降低熱膨脹和襯底自擴(kuò)散的影響； ?可嚴(yán)格控制組元成分和雜質(zhì)濃度，能制備出急劇變化的雜質(zhì)濃度和組成器件。 電子束蒸發(fā)裝置 適用于 高純 和 高熔點(diǎn) 物質(zhì)的蒸發(fā)；避免反應(yīng)； 電子束蒸發(fā)的有效距離 (高速蒸發(fā) ) dense cloud 電子束蒸發(fā)中的問題： 有效距離 沉積速率隨時(shí)間變化 電離離子的作用 XRay轟擊 hv/h~ 離子束輔助蒸發(fā)沉積 激光加熱裝置 (PLD) ~ 2 J/脈沖，脈沖頻率 ~ 30 Hz ArF (193 nm) KrF (248 nm) XeCl (308 nm) plume is highly directional, cosn?, where 8 n 12 窗口材料： MgF2, sapphire, CaF2, UVgrade quartz 光被材料吸收 熱傳導(dǎo)： 溫度分布： 蒸發(fā)速率： xT優(yōu)點(diǎn)： 瞬時(shí)加熱，具有閃爍蒸發(fā)的特點(diǎn)；能保持源料組分；污染少；難熔金屬；易實(shí)現(xiàn)同時(shí)或順序多源蒸發(fā)。 預(yù)蒸發(fā)活性金屬薄膜。 影響真空鍍膜質(zhì)量和厚度的因素主要有蒸發(fā)源的溫度、蒸發(fā)源的形狀、基片的位置、真空度等。 ?化學(xué)氣相沉積 (CVD) ?化學(xué)氣相沉積 : 沉積過程中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，薄膜與原料的化合狀態(tài)不一樣。 ?新的薄膜制備技術(shù)： ?以蒸發(fā)沉積為基礎(chǔ)發(fā)展出了電子束蒸發(fā)沉積 、 分子束外延薄膜生長 (MBE)、 加速分子束外延生長 (MBE)； ?以載能束與固體相互作用為基礎(chǔ) , 先后出現(xiàn)了離子束濺射沉積 、 脈沖激光濺射沉積 (PLD)、 強(qiáng)流離子束蒸發(fā)沉積 、 離子束輔助沉積 (IBAD)、 低能離子束沉積；
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