【摘要】磁控濺射法制備CdS薄膜及性能表征密級公開學(xué)號101554畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)磁控濺射法制備CdS薄膜及性能表征 院(
2025-06-26 03:14
【摘要】實(shí)驗(yàn)4磁控濺射法制備薄膜材料1、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.掌握真空的獲得2.掌握磁控濺射法的基本原理與使用方法3.掌握利用磁控濺射法制備薄膜材料的方法二、實(shí)驗(yàn)原理磁控濺射屬于輝光放電范疇,利用陰極濺射原理進(jìn)行鍍膜。膜層粒子來源于輝光放電中,氬離子對陰極靶材產(chǎn)生的陰極濺射作用。氬離子將靶材原子濺射下來后,沉積到元件表面形成所需膜層。磁控原理就是采用正交電磁場的
2024-08-14 11:30
【摘要】磁控濺射法制備Cu膜摘要沉積速率高、基材溫升低的磁控濺射工藝,已經(jīng)成為半導(dǎo)體集成電路金屬化工藝的主流。本文重點(diǎn)對在硅晶圓上濺射金屬銅薄膜的實(shí)際鍍膜過程中的淀積速率進(jìn)行了理論和實(shí)驗(yàn)研究。結(jié)果表明淀積速率隨工作氣壓的增大先增大后減?。浑S著溫度增大而減小,但均勻性增強(qiáng);當(dāng)入射離子的能量超過濺射閾值時(shí),淀積速率隨著濺射功率的增加先增加后下降;同時(shí)還討論了濺射功率、淀積時(shí)間對膜厚和膜質(zhì)
2025-06-30 16:07
【摘要】?濺射基本原理??濺射沉積裝置及工藝?離子成膜技術(shù)?濺射技術(shù)的應(yīng)用第三章薄膜制備技術(shù)――濺射法?濺射:荷能粒子轟擊固體表面,固體表面原子或分子獲得入射粒子所攜帶的部分能量,從而使其射出的現(xiàn)象。?1852年Grove研究輝光放電時(shí)首次發(fā)現(xiàn)了濺射現(xiàn)象。?離子濺射:由于離子易于在電磁場中
2025-05-18 04:10
【摘要】利用射頻濺射法鍍金屬薄膜實(shí)驗(yàn)3利用射頻濺射法鍍金屬薄膜實(shí)驗(yàn)時(shí)間:實(shí)驗(yàn)地點(diǎn):福煤實(shí)驗(yàn)樓D405指導(dǎo)老師:呂晶老師【摘要】磁控濺射技術(shù)在薄膜制備領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,通過射頻濺射法鍍金屬薄膜實(shí)驗(yàn)可以進(jìn)一步熟悉真空獲得和測量,學(xué)會使用磁控鍍膜技術(shù),了解磁控鍍膜的原理及方法和了解真空鍍膜技術(shù)?!娟P(guān)鍵字】磁控濺射;薄膜制備;鍍膜技術(shù)0簡介
2025-06-29 20:55
【摘要】摘 要與傳統(tǒng)的金屬互連材料Al相比,Cu具有更低的電阻率,更好的抗電遷徙性能和更高的熱傳導(dǎo)系數(shù)。采用Cu作為互連線材料可大大提高電路的運(yùn)算速度與可靠性,銅已經(jīng)取代了鋁成為新一代的互連材料。但Cu在Si和Si的氧化物中擴(kuò)散相當(dāng)快,且Cu一旦進(jìn)入其中即形成深能級雜質(zhì),對器件中的載流子具有很強(qiáng)的陷阱效應(yīng),使器件性能退化甚至失效。而要解決Cu擴(kuò)散問題的
2025-06-25 18:24
【摘要】納米薄膜?薄膜是一種物質(zhì)形態(tài),其膜材十分廣泛,單質(zhì)元素、化合物或復(fù)合物,無機(jī)材料或有機(jī)材料均可制作薄膜。?薄膜與塊狀物質(zhì)一樣,可以是非晶態(tài)的、多晶態(tài)的或單晶態(tài)的。?近20年來,薄膜科學(xué)發(fā)展迅速,在制備技術(shù)、分析方法、結(jié)構(gòu)觀察和形成機(jī)理等方面的研究都取得了很大進(jìn)展。其中無機(jī)薄膜的開發(fā)和應(yīng)用更是日新月異,十分引人注目。?
2024-08-18 11:23
【摘要】編號: 本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目:基于熱蒸發(fā)方法的硫系薄膜制備與光學(xué)性能研究Researchpreparedbythermalevaporationoftheopticalpropertiesofchalcogenidethinfilms寧波大學(xué)信息學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)
2025-06-30 20:13
【摘要】摘 要隨著集成電路工藝技術(shù)的發(fā)展,Cu逐漸取代傳統(tǒng)的互連材料Al。在綜述了Cu互連的優(yōu)勢及面臨的挑戰(zhàn)、擴(kuò)散阻擋層的制備工藝和發(fā)展趨勢之后,本實(shí)驗(yàn)在優(yōu)化工藝條件下利用射頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)在Si襯底上制備了一系列阻擋層為25nm厚的Cu/Zr/Si、Cu/Zr-N/Si、Cu/Zr-N/Zr/Zr-N/Si試樣,在高純的氮?dú)獗Wo(hù)條件下對這些試樣進(jìn)行了400℃-800℃下的退火
2025-07-01 09:11
【摘要】編號:本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目:基于熱蒸發(fā)方法的硫系薄膜制備與光學(xué)性能研究Researchpreparedbythermalevaporationoftheopticalpropertiesofchalcogenidethinfilms寧波大學(xué)
2024-09-01 17:32
【摘要】第十一屆中國太陽能光伏會議南京國際博覽中心化學(xué)水浴法制備CIGS薄膜太陽電池緩沖層CdS薄膜的研究曹章軼上??臻g電源研究所2022年11月19日光伏中心,曹章軼報(bào)告提綱?一、研究背景?二、研究內(nèi)容?三、在兩種溶液體系中制備CdS薄膜的研究?四、在柔性襯底CIGS太陽電池中的應(yīng)用
2025-01-16 10:59
【摘要】第六章薄膜材料的表征方法第一節(jié)薄膜厚度測量技術(shù)第二節(jié)薄膜結(jié)構(gòu)的表征方法第三節(jié)薄膜成分的表征方法第一節(jié)薄膜厚度測量技術(shù)一、薄膜厚度的光學(xué)測量方法二、薄膜厚度的機(jī)械測量方法一、薄膜厚度的光學(xué)測量方法1、光的干涉條件()2cosnABBCANnd
2025-05-06 18:46
【摘要】目錄濺射參數(shù)對單層AZO和多層AZO/Cu/AZO薄膜性能的影響研究畢業(yè)論文目錄摘要 6Abstract 7第一章緒論 1 1氧化鋅的基本性質(zhì) 1ZnO的晶體結(jié)構(gòu) 2ZnO的電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)特性 3ZnO的能帶結(jié)構(gòu) 3ZnO的應(yīng)用 3 3 3 3AZO/Cu/AZO多層透明導(dǎo)電薄膜的研
2025-06-30 21:44
【摘要】薄膜的物理氣相沉積1第三章薄膜的物理氣相沉積(Ⅱ)——濺射法及其他PVD方法薄膜的物理氣相沉積2濺射法:帶有電荷的離子被電場加速后具有一定動能,將離子引向欲被濺射的靶電極。在離子能量合適的情況下,入射離子在與靶表面原子的碰撞過程中將后者濺射出來。濺射原子帶有一定動能,且沿一定方向射
2025-01-10 07:53
【摘要】錳氧化物薄膜制備工藝及表征手段?薄膜課題講解簡介 ???????錳氧化物屬于典型的強(qiáng)關(guān)聯(lián)電子材料,具有包括龐磁電阻、電荷/軌道有序、電子相分離、多鐵性等奇特的物理特性。這些現(xiàn)象涉及一系列凝聚態(tài)物理學(xué)基
2025-03-02 21:40