磁控濺射鍍膜原理與工藝(更新版)
【正文】 學(xué). 北京：高等教育出版社, 1982.［3］嚴(yán)一心，林鴻海. 薄膜技術(shù). 北京：兵器工業(yè)出版社,1994. ［4］KumruM.[J ].Thin Solid .1. 若不給自己設(shè)限，則人生中就沒(méi)有限制你發(fā)揮的藩籬。氣體分子平均自由程與壓強(qiáng)有如下關(guān)系其中為氣體分子平均自由程, k為玻耳茲曼常數(shù)，T為氣體溫度, d為氣體分子直徑, p為氣體壓強(qiáng)。否則查明原因），調(diào)節(jié)控制電離真空計(jì)示數(shù)約1Pa，調(diào)節(jié)直流或射頻電源到所需功率，開(kāi)始鍍膜。（2）基片和靶準(zhǔn)備好后，升降機(jī)下降至真空腔密封（注意：關(guān)閉真空腔時(shí)用手扶著頂蓋，以控制頂蓋與強(qiáng)敵的相對(duì)位置，過(guò)程中注意安全，小心擠壓到手指）。經(jīng)過(guò)多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，最終落在基片、真空室內(nèi)壁及靶源陽(yáng)極上。3試驗(yàn)①熟悉真空鍍膜的操作過(guò)程和方法。對(duì)于雙端鍍膜機(jī)，鍍膜區(qū)的傳動(dòng)速度可以在每分鐘0 ~ 200英寸（大約為0 ~ ）之間選擇。每一個(gè)陰極都具有自己的電源。用來(lái)捕獲二次電子的磁場(chǎng)必須在整個(gè)靶面上保持一致，而且磁場(chǎng)強(qiáng)度應(yīng)當(dāng)合適。在一套靶中，由于顆粒結(jié)構(gòu)不同，也會(huì)產(chǎn)生不同的濺射速率。所以，為了得到最大的沉積速率和最好的附著力，基片必須盡可能地放置在靠近陰極的位置上。 傳動(dòng)速度玻璃基片在陰極下的移動(dòng)是通過(guò)傳動(dòng)來(lái)進(jìn)行的。為了確保得到適當(dāng)質(zhì)量的同一膜層，%的高純氣體。一般來(lái)說(shuō)：提高電壓可以提高離化率。磁控濺射包括很多種類。磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar正離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。通常將欲沉積的材料制成板材靶，固定在陰極上。真空鍍膜技術(shù)有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子，其能量在1至幾十電子伏范圍內(nèi)。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下最終沉積在基片上。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。如果氣體壓強(qiáng)不變，濺射源下的基片的移動(dòng)速度也是恒定的，那么沉積到基片上的材料的量則決定于施加在電路上的功率。超過(guò)該點(diǎn)之后，由于參與碰撞的分子過(guò)少則會(huì)導(dǎo)致離化量減少，使得濺射速率發(fā)生下降。鍍膜區(qū)內(nèi)一般的傳動(dòng)速度范圍為每分鐘0 ~ 600 英寸（大約為0 ~ 米）之間。兩個(gè)重要的固定參數(shù)是：靶結(jié)構(gòu)和磁場(chǎng)。這也需要在鍍膜期間加以注意。這就會(huì)使膜層受到污染。在功率控制模式下，功率固定同時(shí)監(jiān)控電壓，通過(guò)改變輸出電流來(lái)維持恒定的功率?？梢栽谌N氣體中選擇兩種作為主氣體和輔氣體來(lái)進(jìn)行使用。④研究不同工作氣壓對(duì)鍍膜影響。（2）清洗基片。啟動(dòng)急?？刂?，報(bào)警至于通位置，功能選則為烘烤。將擋板逆時(shí)針旋至最大通路。濺射原子經(jīng)多次碰撞后會(huì)有部分逃離沉積區(qū)域，基片對(duì)濺射原子的收集效率就會(huì)減小，從而導(dǎo)致了沉積速率的降低。用一些事情，總會(huì)看清一些人。學(xué)習(xí)參考
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