【正文】 應(yīng)用金屬金屬/化合物工業(yè)上不采用此法可靠性好較好較好2磁控濺射工藝研究在氣體可以電離的壓強(qiáng)范圍內(nèi)如果改變施加的電壓，電路中等離子體的阻抗會(huì)隨之改變，引起氣體中的電流發(fā)生變化。它以濺射率高、基片溫升低、膜基結(jié)合力好、裝置性能穩(wěn)定、操作控制方便等優(yōu)點(diǎn)，成為鍍膜工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域(特別是建筑鍍膜玻璃、透明導(dǎo)電膜玻璃、柔性基材卷繞鍍等對(duì)大面積的均勻性有特別苛刻要求的連續(xù)鍍膜場(chǎng)合)的首選方案。關(guān)鍵詞：濺射；濺射變量；工作氣壓；沉積率。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過(guò)程。真空系統(tǒng)和工藝氣體系統(tǒng)共同控制著氣體環(huán)境。 距離與速度及附著力為了得到最大的沉積速率并提高膜層的附著力，在保證不會(huì)破壞輝光放電自身的前提下，基片應(yīng)當(dāng)盡可能放置在離陰極最近的地方。靶材損耗區(qū)自身也會(huì)造成比較低下的濺射速率。施加的功率越高，沉積速率就越大。 磁控濺射系統(tǒng)是在基本的二極濺射系統(tǒng)發(fā)展而來(lái)，解決二極濺射鍍膜速度比蒸鍍慢很多、等離子體的離化率低和基片的熱效應(yīng)明顯的問(wèn)題。從監(jiān)控程序中調(diào)出工藝設(shè)置文件，啟動(dòng)開(kāi)始清洗。通過(guò)試驗(yàn)及對(duì)結(jié)果的分析可以得出如下結(jié)論：在其他參數(shù)不變的條件下，隨著工作氣壓的增大，沉積率先增大后減小。你必須努力，當(dāng)有一天驀然回首時(shí)，你的回憶里才會(huì)多一些色彩斑斕，少一些蒼白無(wú)力。由此可知，在保持氣體分子直徑和氣體溫度不變的條件下，如果工作壓強(qiáng)增大，則氣體分子平均自由程將減小，濺射原子與氣體分子相互碰撞次數(shù)將增加，二次電子發(fā)射將增強(qiáng)。（3）啟動(dòng)機(jī)械泵，抽一分鐘左右之后，打開(kāi)復(fù)合真空計(jì)，當(dāng)示數(shù)約為10E1量級(jí)時(shí)，啟動(dòng)分子泵，頻率為400HZ（默認(rèn)），同時(shí)預(yù)熱離子清洗打開(kāi)直流或射流電源及流量顯示儀。②了解磁控濺射鍍膜的原理及方法。根據(jù)陰極的尺寸和系統(tǒng)設(shè)計(jì)，功率可以在0 ~ 150KW（標(biāo)稱(chēng)值）之間變化。加工過(guò)程會(huì)造成靶材內(nèi)部結(jié)構(gòu)的差異，所以即使是相同合金成分的靶材也會(huì)存在濺射速率的差異。降低傳動(dòng)速度使玻璃在陰極范圍內(nèi)經(jīng)過(guò)的時(shí)間更長(zhǎng)，這樣就可以沉積出更厚的膜層。這樣電流會(huì)增加，所以會(huì)引起阻抗的下降。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，產(chǎn)生E（電場(chǎng)）B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移，簡(jiǎn)稱(chēng)EB漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線(xiàn)。.. . . ..磁控濺射鍍膜原理及工藝摘要：真空鍍膜技術(shù)作為一種產(chǎn)生特定膜層的技術(shù)，在現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)生活中有著廣泛的應(yīng)用。若為環(huán)形磁場(chǎng)，則電子就以近似擺線(xiàn)形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng)，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar正離子來(lái)轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。提高電壓時(shí)，阻抗的降低會(huì)大幅度地提高電流，即大幅度提高了功率。不過(guò)，為了保證膜層的均勻性，傳動(dòng)速度必須保持恒定。同樣，靶材塊的晶體結(jié)構(gòu)、顆粒結(jié)構(gòu)、硬度、應(yīng)力以及雜質(zhì)等參數(shù)也會(huì)