【正文】 當(dāng)硅料全部熔化后，調(diào)整加熱功率以控制熔體的溫度。硅料全部熔化后熔體必須有一定的穩(wěn)定時(shí)間達(dá)到熔體溫度和熔體的 流動(dòng)的穩(wěn)定。在這種條件下，冷卻過程中熱應(yīng)力很小，不會產(chǎn)生新的位錯(cuò)。當(dāng)這些熱應(yīng)力超過了硅的臨界應(yīng)力時(shí)晶體中將產(chǎn)生位錯(cuò)。 這里所提到的 “苞絲 ”實(shí)質(zhì)上是旋轉(zhuǎn)性表面條紋。在拉晶過程中，當(dāng)無位錯(cuò)生長狀態(tài)中斷或拉晶完成而使晶體突然脫離液面時(shí)，已經(jīng)生長的無位錯(cuò)晶體受到熱沖擊，其熱應(yīng)力往往超過硅的臨界應(yīng)力。 除了上述的旋轉(zhuǎn)性生長條紋以外，由于固液界面溫度的隨機(jī)性的起伏，引起生長速率的起伏，也會產(chǎn)生表面條紋。 100方向生長時(shí)，有四條棱線，沒有苞絲。從原理上說也可以采用升高熔體的溫度來實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)肩，但升溫會增強(qiáng)熔體中的熱對流，降低熔體的穩(wěn)定性，容易出現(xiàn)位錯(cuò) (斷苞 )，所以，目前的工藝都采取提高拉速的快轉(zhuǎn)肩工藝。 和 0176。階段。裝料量越大，則所需時(shí)間越長。因此，細(xì)頸的最小長度 L 與直徑 D 的關(guān)系可由下式表示： 式中， θ 為滑移面與生長軸的最小夾角。由軸向溫度梯度引起的位錯(cuò)密度 ND 可以用下式表示 [41]： 式中， β 是硅的熱脹系數(shù) (在 500～ 850℃ 溫度范圍內(nèi)約為 )， b 是柏格斯矢量的絕 對 值， G 是切變模量， σC 是硅的臨界應(yīng)力， r 是晶體半徑。在 4． 2． 5 節(jié)中我們已經(jīng)討論了在晶體轉(zhuǎn)軸與溫度場對稱軸不一致的條件下，晶體旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的軸向 (沿提拉方向 )的生長速率起伏以及由此而產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)性雜質(zhì)條紋。這時(shí)會產(chǎn)生位錯(cuò)，并將反延至其溫度尚處于范性形變最低溫度的晶體中去 (圖 4． 20)，形成位錯(cuò)排，星形結(jié)構(gòu)。故旋轉(zhuǎn)性雜質(zhì)條紋和旋轉(zhuǎn)性表面條紋都是同一原因引起的。但實(shí)際生長時(shí)往往由于生長方向的偏離，造成小平面有大有小，有的甚至消失。放肩時(shí)，直徑增大很快，幾乎不出現(xiàn)彎月面光環(huán)，轉(zhuǎn)肩過程中，彎月面光環(huán)漸漸出現(xiàn)，寬度增大，亮度變大，拉晶操作人員應(yīng)能根據(jù)彎月面光環(huán)的寬度和亮度，準(zhǔn)確地判斷直徑的變化，并及時(shí)調(diào)整拉速，保證轉(zhuǎn)肩平滑，晶體直徑